我最近在用microblaze作一个flash的控制器，具体就是用microblaze的EMC来产生控制时序来读写板上的flash芯片，遇到了两个问题，希望达人能帮下忙：
（1）首先是EMC产生WE信号的问题，因为读写flash要求的速率比较高，所以当然是希望WE的周期越小越好，我修改了EMC的几个参数，具体如下：
# #120000
 ARAMETER C_TCEDV_PS_MEM_0 = 120000
# #120000
ARAMETER C_TAVDV_PS_MEM_0 = 120000
# #35000
ARAMETER C_THZCE_PS_MEM_0 = 35000
# #15000
ARAMETER C_THZOE_PS_MEM_0 = 15000
# #120000
# 120000
ARAMETER C_TWC_PS_MEM_0 = 500
# #70000
# 70000
ARAMETER C_TWP_PS_MEM_0 = 30
最下面两个是控制WE的，但是PARAMETER C_TWC_PS_MEM_0改到10000以下后WE的周期就不再减小了，一直是287ns，这个时间我总觉得有点不太正常，我的板上晶振是75M的，一个时钟周期才十几个ns，所以想请教一下，是不是我设置的方法不正确？我是觉得有毛病。
（2）第二个是延时的问题，为了测试一些语句的具体执行时间，我用了一个while循环来用示波器观察，程序是这样的：
while(1)
{
// for(i=0;i<100;i++);
XGpio_mSetDataReg(XPAR_TEST_HOLES_BASEADDR, 1,0xff);
// for(i=0;i<1;i++);
i = 0;
i = 1;
i = 2;
i = 3;
i = 4;
i = 5;
i = 6;
i = 7;
XGpio_mSetDataReg(XPAR_TEST_HOLES_BASEADDR, 1,0x00);
}
测试中发现，for循环一次的时间是80ns，但是改用上面的那些i ＝ 0；之类的赋值语句时就不能产生延时的效果，具体就是在示波器上看不出来波形的变化，就算赋值语句的执行时间短一些，那我加了很多条语句也应该能有变化阿
小弟是初学者，问题可能出在我的操作方法上，希望高手能提出点批评意见，不胜感谢！ | 
