TD－LTE产业链逐渐扩大 28纳米或成主流 市场, 纳米, 产业链

当智能手机和平板电脑等移动终端日渐流行之时，4月2日，展讯宣布其两款双核智能手机平台实现商用并通过中国移动入库测试，但是公司市场方面工作人员在对外宣传上，显得相当谨慎。
不过，展讯市场推广总监周伟芳在日前召开的中国电子信息博览会上对媒体表示，展讯芯片占据中国移动2012年TD-SCDMA手机出货量的五成以上。而按照54%的市场占有率粗略估算，预计展讯2013年的出货量将超过7000万部。

从市场数据来看，由于3G已经开始占据市场主导地位，TD-SCDMA终端增长迅猛，一举超过WCDMA终端的销量。此外，由于4G牌照预计将在2013年底或2014年初颁发，受这一市场消息利好，TD产业将迎来新一轮的高速增长，中国芯片企业也将从中受益，展讯销量增长只是其中一个缩影。

市场逐渐形成

“TD-SCDMA将成为2013年终端市场增长的亮点。”GfK（中国）研究经理任燕表示，2013年市场仍将以TD-SCDMA为主，从技术成熟度和中国移动的发展重点来看，TD-LTE产业将在2015年形成规模。

GfK（中国）数据显示，2012年TD-SCDMA终端销量达到5600万台，其预测2013年将达到1亿1500万台。

事实上，TD-LTE的发展显得更加主动。与TD-SCDMA时代不同的是，从一开始三星、LG、HTC、诺基亚等国际终端厂商就加入TD-LTE，并有明确的产品发布。虽然与FDD-LTE相比在全球市场仍有一定差距，但是与TD-SCDMA相比，国际化程度高出很多。

2013年2月，TD-SCDMA终端市场份额首次超过WCDMA，成为中国市场最大的网络制式，这也为TD-LTE培育了产业链，因为后者的发展需要上下游产业链的整体配合。

至于电信运营商方面，TD-LTE的国际化也显逐渐走向成熟。目前，其已在全球13个国家14个运营商实现商用，而TD-LTE走出去战略将带着中国芯片厂商和手机整机厂商走向国际化市场。

因此，对于TD芯片市场的发展，IHS iSuppli半导体首席分析师顾文军表示主要存在三个机遇，即中国移动的TD-LTE商用、4G牌照的发放，以及相关产业政策或将出台，引发产业投资热。

不过，TD-LTE全球产业链正在逐步形成并扩大，目前已经包括了超过10家系统设备厂商、超过18家芯片厂商、10余家测试设备厂商，以及50多家终端厂商。

分析机构Strategy Analytics预计，在2013至2014年，TD-LTE基站数量可能会超过40万，考虑到中国移动超过7亿的用户规模，中国TD-LTE市场的启动对芯片厂商意味着巨大的机会，尤其是展讯、联芯科技等中国企业将从中受益。

事实上，有消息称，中国移动于近期启动了4G终端相关招标，而华为、中兴、三星、酷派约七款产品成功入围。根据采购计划，中移动采购数据类TD-LTE终端16万部，其中MIFI约3万部，CPE约10万部，TD- LTE手机约1万部。

在科通芯城执行副总裁朱继志看来，经过多年的发展，产业链发展逐渐成熟，中国终端制造会带动上游芯片厂商向上发展。
“目前国内厂家在TD-LTE里面的发言权还很弱，在标准的制定，专利的拥有上面很少。”顾文军告诉记者。

从国内芯片厂商市场出货量来看，目前最大的是展讯，其次是联发科，其他厂商的出货量很少，甚至可以忽略不计。而从展讯和联发科来看，这两个厂商仍然将主要精力放在TD-SCDMA上，并非TD-LTE。因此，对于国产芯片厂商来说，保守的策略是目前面对市场的唯一方式。

对此，任燕解释称，从技术投入方面来看，展讯和联发科的策略一直是重点放在成熟市场，所以TD-LTE多模芯片对这两家来说是2014年的事情。

从终端层面来看，目前国产TD-LTE芯片技术成熟度与国际品牌有较大差距，主要是华为、展讯等少数厂家。顾文军表示，在这个领域，目前国内芯片几乎没有和高通竞争的实力。可以看到的是，做4G基带芯片的创毅视讯因为其收入下降原因，今年中止了在创业板的IPO审查。

因此，虽然中国厂商在TD-SCDMA上积累有专利和知识产权，以及技术优势，但是由于TD-LTE应该是多模标准，而中国企业在WCDMA和LTE领域几乎没有专利和技术积累，这导致在竞争中中国厂商的发展将受到很大制约。

所以无论是技术成熟度，还是中国移动发展的重点，芯片厂商都选择了对TD-LTE优先发展数据卡，然后才发展智能终端。

对此，中兴方面亦回复记者称，“2013年TD-LTE终端主要以MiFi为主，CPE与数据卡辅助，下半年LTE单卡双待手机需求将会增加，LTE CSFB手机处于实验阶段。”

具体来说，智能终端的TD-LTE多模芯片工艺要求为28纳米，而国产厂商创毅视讯、联芯科技等厂商仍停留40纳米。因此，除了已有商用产品发布的华为海思和中兴微电子外，其他基本用于数据卡。这是因为数据卡主要用于Wi-Fi环境下的数据传输，对整个运算和芯片设计的技术要求低一点，而手机最低也要达到28纳米。

联芯科技总经理助理刘先军表示，对于TD-LTE芯片市场来说，在产业发展初期，基于40纳米工艺芯片的数据类终端可以满足TD-LTE应用需求。随着TD-LTE产业成熟和商用推广，未来TD-LTE芯片和终端需进一步提升性能，LTE芯片将逐渐向28纳米演进，以提供更佳的用户体验。

正因为如此，“80%的智能终端上市新品采用的芯片还是高通，而华为和中兴的TD-LTE手机使用的是自己的芯片。”任燕称，“这是产业和政策决定的。”

此前，利用海思的芯片，华为曾推出了一款TD-LTE手机Ascend D2，主要用于中国移动试商用网络。而中兴也利用中兴微电子的芯片推出了一款智能终端产品Grand Era LTE，用于中国移动在中国香港市场，后者已宣布TD-LTE网络正式投入商用。

不过，也有另一种声音认为，工艺并不是制约芯片厂商发展的因素。朱继志表示，追求工艺会导致企业承担更大的风险。