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富士通半导体FRAM 铁电存储器“免费样片”使用心得
» 【晒FRAM铁电存储器样片】+ 使用心得之MB85RC64样品收到及概述
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【晒FRAM铁电存储器样片】+ 使用心得之MB85RC64样品收到及概述
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fengye5340
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fengye5340
发表于 2014-7-23 14:42
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【晒FRAM铁电存储器样片】+ 使用心得之MB85RC64样品收到及概述
存储器
本帖最后由 fengye5340 于 2014-8-8 21:41 编辑
本次申请的样品型号是:
MB85RC64
,它是一款采用
I2C
接口的
FRAM
,容量
64k
位
(8K
字节
)
,型号上可以兼容
EERPOM24C64
产品。它的更详细信息如下:
一、
MB85RC64
概要:
MB85RC64
了
FRAM
(铁电随机存取记忆体)独立芯片配置了
8192×8
位,形成铁电工艺和硅栅
CMOS
工艺技术非易失性内存单元;
MB85RC64
采用两线串行接口(与世界标准的
I2C
总线兼容)。与
SRAM
不同的
MB85RC64
是无需使用数据备份电池,能够保留数据。
MB85RC64
的读写次数
10
亿次,与
EPROM
和
FLASH
相比,有显著的改善。而且不在向写完存储器后,不需要查询序列。
二、
MB85RC64
特性:
1
、容量:
8K*8=64Kbit
2
、工作电压:
2.7-3.6V(
在实际应用中,我们采用
STM32
平台
)
3
、最大频率:
400KHZ
,鉴于
STM32
在
IIC
外设的表现,通常都是采用模拟
IIC
总线,对速度没有太大要求
4
、数据保存周期:
10
年
5
、最大写入次数:
10
的
10
次方,达到亿次级别了,而以前常用的
EERPOM
仅是
100000
次级别,对于大量读写周期的产品来说,应用
EERPOM
有风险。
6
、封装:
8SOIC
,兼容现有
24CXX
。
7
、功耗低:
工作电流
0.15mA
,待机电流
5uA
,一般来说,用于工业控制过程,可以不用考虑低功耗特性。
三、结构图和引脚参数如下:
四
模块框图:
五
I2C
电路:
MB85RC64
有两线串行接口,支持
I2C
总线,并作为从器件工作。
I2C
总线定义的
“
主机
”
和
“
从机
”
设备的沟通角色,主机启动总线控制权。此外,通过
I2C
总线,在一个主机可以连接多个从器件。在这种情况下,必须给从器件分配一个唯一的设备地址。
在实际项目应用时,一般一个控制板只会板载一个
FRAM
器件,不存在多挂载多器件情况,所以,这里的设备地址:
A2 A1 A0
都默认设置为
000,
在
3.3V
应用平台中,上拉电阻的取值为
4.7K
,这个很重要,这个与在
5V
电平下是
10K
上拉取值有区别。
六:
I2C
通信协议
I2C
总线是双线串行接口,采用了双向数据总线(
SDA
)和串行时钟(
SCL
)。数据传输只能由总线主机,这也将提供串行时钟的同步启动。
SCL
为低电平时,
SDA
信号应该改变。然而,作为一种例外,启动和停止时的通信序列,
SDA
被允许改变当
SCL
为高电平。
启动条件:
开始时,
SCL
为稳定高电平,
SDA
产生下降沿。
停止条件:
停止时,
SCL
为稳定低电平,
SDA
产生上升沿。停止条件是终止从设备和主机通信。
MB85RC64
不需要像内部写存储器像
E2PROM
花时间去查询序列,因此当写停止命令结束,设备进入待机模式。
响应
(ACK)
I2C
总线的
8
位串行数据包含了地址和存储信息,响应信号是
8
位数据是否发送和接收成功的标志。当
8
位数据成功进行传输,在第
9
个时钟脉冲时,信息接收端通常产生一位低电平
L
;在信息发送端,第
9
个时钟脉冲允许释放一个
H-Zi
的时间,接收并校验。在释放
H-Zi
期间,如果
SDA
被置低电平
L,
先前发送的
8
位数据被成功接收。
如果在响应信号置低电平
L
之前,检测到停止信号,
I2C
总线停止读写,进入待机模式。
如果没有停止命令,响应信号未出现低电平
L
,那么总线保持不动作。
七:器件地址
在
I2C
总线开始条件下,主机发送
8
位器件地址码。
8
位器件地址码包括器件类型码(
4
位),器件地址码(
3
位),读
/
写控制码(
1
位)。
器件类型码:
前
4
位的器件地址码是器件类型码,
MB85RC64
应配置为“
1010
”。
MB85RC64
地址码:
在器件类型码后的三位是
MB85RC64
地址码,由
A2/A1/A0
决定。通过
A2/A1/A0
的硬件端口连接,为每片
MB85RC64
分配唯一的地址。如果从设备接收器件地址码,根据
3
位器件地址码,唯一的从器件进行响应。
读
\
写控制码:
器件地址码最后一位是读
\
写控制码,‘
0
’
是写使能;‘
1
’
是读使能。
八:数据结构
I2C
总线,在开始条件下,发送
8
位器件地址码之后,响应标志位
L
是数据的第
9
位。确认从设备响应后,
I2C
总线上主机发送的
8
位数据至从设备的第二个
8
位地址,当数据发送之后,从机同样发送一个低电平“
L
”。在操作之后,在
8
位数据发送完成之后,总是伴随一位“
L
”响应标识位。
根据读
/
写标志位,决定主机或者从机驱动数据线。当数据标志位为写时,主机驱动数据线,从机接收
8
位数据,当主机检测到响应标识位(
ACK
)
,
主机进行下一个
8
位字节的发送;当数据标志位为读的时候,从机驱动数据线,主机接收
8
位数据,当从机检测到响应标识位(
ACK
)
,
从机进行下一个
8
位字节的发送。
九:
FRAM
响应,不需查询序列
MB85RC64
执行写操作和读操作的速度相同,因此没有等待查询响应信号
(ACK)
的时间。
至于
E2PROM
,查询确认是在编程步骤中的修改检测。响应信号
ACK
,在器件未发出响应信号时,程序员编程过程中被放置在程序中发送数据的第
9
位。这满足的检测校验条件的方法称为程序轮询总线,用来满足响应检测
,
这样可以提高读写速度。
十.写保护(
WP
)
MB85RC64
的
WP
管脚有写保护的功能。当
WP
管脚位高电平“
H
”的时候,存储阵列写保护;当
WP
管脚为低电平“
L
”的时候,存储阵列可以被复写。
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fengye5340
发表于 2014-7-23 14:48
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本帖最后由 fengye5340 于 2014-8-8 21:44 编辑
十一.控制命令
位写
在开始条件下,8位地址码的读写控制码位低电平“L”,从机响应ACK。之后,主机以同样的方式发送8位字节数据,发送结束后,产生停止条件。
页面写
在开始条件下,额外的8位数据在器件地址码发送之后被发送,则要求进行页面写。如果更多的字节和地址码一起被发送并达到存储器的末位地址,访问地址将跳转00H。因此,如果超出8K字节的数据被发送,为了从铁电存储器的开始地址写数据,数据会被复写。因为存储器的写操作和总线的速度一致,所以在响应信号一结束,数据就被写入存储器。
当前地址读
在读写操作完成主机发布结束命令后,在无断电的情况下,若之前访问的地址是“n”,则下次访问的地址是“n+1”。当访问到存储器的末尾地址后,访问地址自动跳转到00H。在电源启动后,当前访问地址不确定。
随机读
当要读取一个存储器中的一个字节的数据,可以通过‘写’命令指定要读取数据的地址,与‘写’命令同步时钟读出,然后产生开始条件并发送一个‘读’命令字节(1010 A1A2A3 1)。最后数据接收端产生一个否定响应信号(NACK)。在这种情况下,这个字节是由主机产生。
连续读
像随机读一样,在指定数据读取地址之后,数据可以被连续读取。如果读取数据的地址超出了MB85RC64的最后地址,芯片内部的地址会跳转到开始地址0000H。
总结:
通过上面的描述,可以看出,这个芯片从电平,通信协议,控制命令等方面兼容EERPOM,如果我们要做应用,只需要把原来的EERPOM芯片从电路板封装上拿掉,然后换成FRAM即可。唯一的不足就是FRAM价格比EERROM高,为了追求高稳定性和长寿命,需要付出EERPOM几倍的价格。FRAM在工业控制和医疗电子方面应用具有比EERPOM较大的优势,目前计划应用在智能硬度计项目中,它的核心控制板控制量多,保存数据量大,采用这个大容量的FRAM是非常适合的。
下面附件是数据手册:
MB85RC64.pdf
(598.91 KB)
下载次数:476
2014-7-23 14:48
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