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富士通半导体FRAM 铁电存储器“免费样片”使用心得
» 【晒FRAM铁电存储器样片】+FRAM与E2PROM的可替换性比较2――读写命令
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【晒FRAM铁电存储器样片】+FRAM与E2PROM的可替换性比较2――读写命令
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yang_alex
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yang_alex
发表于 2014-8-14 23:42
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【晒FRAM铁电存储器样片】+FRAM与E2PROM的可替换性比较2――读写命令
存储器
,
接口
本帖最后由 yang_alex 于 2014-8-15 00:04 编辑
【晒FRAM铁电存储器样片】+FRAM与E2PROM的可替换性比较2――读写命令
原来ST的E2PROM--M24256-BW 和准备用来替换的Fujitsu的FRAM--MB85RC256V都是I2C接口,自然都遵守I2C协议,这个就不比较
了。但是他们的读写命令是相同的吗?那就从DATASHEET中比比看吧。
首先比较的是读模式,包括当前地址读、随机地址读、当前地址顺序读、随机地址顺序读
ST的器件选择指令(Dev Sel)
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(60.36 KB)
2014-8-14 23:42
原来ST的E2PROM--M24256-BW Fujitsu的FRAM--MB85RC256V
1、当前地址读
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(9.27 KB)
2014-8-14 23:42
下载
(52.92 KB)
2014-8-14 23:42
2、随机地址读
下载
(16.54 KB)
2014-8-14 23:42
下载
(53.07 KB)
2014-8-14 23:47
3、当前地址顺序读和随机地址顺序读
下载
(34.92 KB)
2014-8-14 23:42
下载
(32.94 KB)
2014-8-14 23:42
注意:Fujitsu的FRAM--MB85RC256V没有当前地址顺序读的命令。
4、字节写入
下载
(24.33 KB)
2014-8-14 23:42
下载
(57.28 KB)
2014-8-14 23:42
5、页写入
下载
(26.62 KB)
2014-8-14 23:42
下载
(58.3 KB)
2014-8-14 23:42
结论:从比较结果看,除第3条Fujitsu的FRAM--MB85RC256V没有当前地址顺序读的命令外,两者的读写命令是兼容的。这就意味着软件代码有可能不需修改(之所以说可能,就是因为要查看原来代码是否使用了当前地址顺序读的命令,此外还要看看读写的时序(这个后面再说))。
FU-RDMode-S.GIF
(32.94 KB)
下载次数:272
2014-8-14 23:42
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