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移动存储器的发展迎春天

移动存储器的发展迎春天

关键字:移动存储器   NAND Flash   DRAM   3D   LPDDR4规格  
最新移动存储器规格LPDDR4出炉

2014年8月25日讯 - JEDEC固态技术协会,全球微电子产业标准领导制定机构今天发布JESD209-4低功耗双倍数据速率4 (LPDDR4)标准。该标准旨在大幅度提高移动计算设备的存储器速度与效率。适用设备包括智能手机、平板电脑以及超薄笔记本电脑。LPDDR4存储器输入/输出最终的运行速率能够达到每秒4266MT,是LPDDR3的两倍。新的接口标准将对下一代便携式电子设备的性能产生巨大影响。“LPDDR4将带来大幅度性能提升,” JEDEC理事长邱德明先生指出。“该标准的制定旨在满足世界最先进的移动系统对功耗、带宽、封装、成本以及兼容性等多方面的要求。” 代号为JESD209-4的LPDDR4标准由JEDEC的JC-42.6委员会主持开发完成,现在可以免费在JEDEC官方网站下载。

随着移动计算市场的持续增长,对更快设备和更长续航的需求也在增长。LPDDR4的发布将输出输入接口的数据速率由LPDDR3的每秒2133MT提高到了每秒3200MT乃至每秒4266MT的目标速度。为实现这一目标,委员会成员不得不重新设计架构,从16位单通道晶片改为每通道16位的双通道晶片,总位数达到32位。

“从LPDDR2 到LPDDR3的变化是渐进性的。而到了LPDDR4,架构则完全改变,” JC-42.6小组委员会主席Hung Vuong指出。“我们知道,要达到业界所要求的性能,唯一的办法是完全脱离以前各代的架构来设计。” 双通道架构缩短了数据信号从存储器阵列到I/O粘贴片的传送距离。这样就降低了LPDDR4接口所要求的大量数据传输所需要的功耗。由于存储器上的大部分面积被存储器阵列所占据,翻倍扩大接口面积对总体尺寸的影响微乎其微。

双通道架构使得时钟与地址总线可以同数据总线放在一起。因此,数据总线到时钟及地址总线之间的偏斜得以降到最小,从而使得LPDDR4器件达到更高的数据速率。同LPDDR3架构相比,这样节省了功耗同时提高了定时边际。
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