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资深工程师心目中最经典的十款存储器
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porereading
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porereading
发表于 2015-4-4 18:37
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只看该作者
资深工程师心目中最经典的十款存储器
工程师
,
存储器
,
经典的
一位为电子行业奉献了10年的电子工程师亲口讲述,他心目中最伟大的十款存储器。有SRAM、DRAM、EEPROM、PLASH、可读写类、只可读类等等。同时存储器在我们日常生活中也随处可见,每人必备的U盘、硬盘、光盘等等,所以作为工程师的我们必须关注下这十款经典的存储器。
下面就为大家带来电子行业中这位资深工程师心目中最经典的十款存储器。
NO.1
:
24C16
火热度:
❤❤❤❤❤
月搜索量:
1671
次
一款非常热门的CMOS非易失性电可擦除存储器,允许用户以任何组合的EEPROM配置存储器的应用程序,且具有高耐久性,高可靠性和低功耗等特点。
主要特点和优势:
200μA典型工作电流
IIC兼容接口提供双向数据传输协议
可最大限度地降低每字节写入的总时间
可替代器件:
http://www.datasheet5.com/search?q=24C16&D5PDF
NO.2
:
DS28C22
火热度:
❤❤❤❤❤
月搜索量:
1613
次
由Maxim推出的一款安全存储器,具有加密强,双向,响应认证和消息加密功能,还有助于加密的读取和使用一次性垫主机和从机之间写入的内容。在不使用时,可以进入最低功耗睡眠模式。可应用于:系统知识产权保护、密钥生成和安全交换的加密图形系统等等。
主要特点和优势:
用户可编程的,不可逆转的EEPROM的保护模式
支持100kHz和400kHz的I 2 C通信速率
支持节能休眠模式0.5μA(典型值)
可替代器件:
http://www.datasheet5.com/search?q=DS28C22&D5PDFPDF
NO.3
:
93LC46B
火热度
:
❤❤❤❤❤
月搜索量:
1527
次
一款低电压、电可擦除串行EEPROM,先进的CMOS技术使这些器件非常适用于低功耗非易失性存储器应用,并且是标准的8引脚DIP封装,8引脚表面贴装SOIC和TSSOP封装,这款器件最大的特点就是数据存储时间可以达到惊人的200年。
主要特点和优势:
单电源供电,工作电压可低至2.5V
数据保存>200年
自定时擦除和写入周期(包括自动擦除)
可替代器件:
http://www.datasheet5.com/search?q=93LC46B&D5PDF
NO.4
:
24C04
火热度
:
❤❤❤❤
月搜索量:
1339
次
由ST早期推出的一款串行I2C总线可擦除可编程EEPROM,运用了ST公司的高耐力先进的CMOS技术,确保具有1万次擦除/写周期和40年之久的数据保存期。同时采用了双向数据总线和串行时钟兼容的标准。
主要特点和优势:
1万次擦除/写周期与40年数据保存期
可编程写保护
自定时编程周期、自动地址递增
可替代器件:
http://www.datasheet5.com/search?q=24c04&D5PDF
NO.5
:
IDT71V416
火热度
:
❤❤❤❤
月搜索量:
1224
次
一款高速静态RAM,拥有IDT最先进的技术,结合创新的电路设计技术,提供了一种具有成本效益的解决方案的高速内存需要,且有一个输出使能引脚,以最快的速度6ns工作,具有12ns的地址存取时间。
主要特点和优势:
先进的高速CMOS静态RAM
中心电源/接地引脚,可降低噪音
双向数据直接输入和输出
可替代器件:
http://www.datasheet5.com/search?q=IDT71V416&D5PDF
NO.6
:
M24256
火热度
:
❤❤❤❤
月搜索量:
1139
次
由ST推出的一款典型的电可擦除可编程存储器(EEPROM),并且可与I2C兼容,这是一种使用双向数据总线和串行时钟一个两线串行接口。这种存储器可以达到超过100,000次的擦除/写周期。
主要特点和优势:
自定时编程周期
超过100,000次的擦除/写周期
随机和顺序读模式
可替代器件:
http://www.datasheet5.com/search?q=M24256&D5PDF
NO.7
:
MT48LC8M16A2
火热度
:
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月搜索量:
1003
次
由美光科技推出的一款非常优秀的高速SDRAM,用内部流水线体系结构来实现高速操作,也允许列地址改变在每个时钟周期,实现了高速,完全随机访问,同时隐藏预充电周期,并提供无缝高速,随机存取操作。
主要特点和优势:
自动预充电,包括并发自动预充电
标准和低功耗自刷新模式
列地址是可以改变每个时钟周期
可替代器件:
http://www.datasheet5.com/search?q=MT48LC8M16A2&D5PDF
NO.8
:
29LV160B
火热度
:
❤❤❤
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884
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16兆位CMOS 3.0V闪存。该IC提供80、90和120ns访问时间,允许高速微处理器无需等待状态操作。同时为了消除总线争夺,设备具有独立的芯片使能,由写使能和输出使能控制。
主要特点和优势:
支持通用闪存接口
顶部或底部启动块配置可用
每扇区保证最低1,000,000次写周期
可替代器件:
http://www.datasheet5.com/search?q=29LV160B&D5PDF
NO.9
:
SST39VF6401
火热度
:
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月搜索量:
799
次
一款CMOS多功能闪存+,具有高性能的字编程能力, 为了防止意外写,他们有片硬件和软件数据保护方案。这些器件提供了一个保证100,000周期典型的耐力,数据保存的额定值>100年,在设计、制造和测试行业有着广泛的应用。
主要特点和优势:
单电压读写操作
低功耗(在5 MHz典型值)
70ns和90ns的快速读取访问时间
可替代器件:
http://www.datasheet5.com/search?q=SST39VF6401&D5PDF
NO.10
:
DS2430A(
中文)
火热度
:
❤❤❤
月搜索量:
756
次
由Maxim推出的一款电可擦除、可编程只读存储器,该器件由激光刻制的48位序列号是绝对唯一的,可作为器件的ID,同时数据传输按照1-Wire总线协议进行,只需要一根数据线和一根地线。典型应用包括:储存校准系数、板卡识别以及产品升级的状态信息等。
主要特点和优势:
唯一的、工厂光刻并经过检测的 64 位注册
将控制、寻址、数据和电源集于一个数据引脚
内置多点控制器可保证器件兼容于其它总线产品
可替代器件:
http://www.datasheet5.com/search?q=DS2430A&D5PDF
以上是为大家展现的最炙手可热的实在是“hold不住”的十大存储器,存储器的出现改变了我们的生活,让我们可以随身携带大量信息,同时也赋予了高速发展计算机的记忆功能。
时代在发展,科技在进步,电子行业同时也在蓬勃壮大,各种类型的放大器也在不断的新陈代谢。
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