| 通常这8颗1bit芯片是通过地址总线和数据总线在PCB（印刷电路板）上连接而成的，对于CPU来说它就是一颗8bit的RAM芯片，而不再是独立的8个1 bit芯片。在上图所示的地址总线位宽是22bit，这样这个地址总线所能控制的存储模块的容量应该是222=4194304bit,也就是4MB的容量；数据总线的位宽是8bit，就是通过刚才提到的8个1bit的基本存储单元的Dout并联在一起实现的－－这样也能够满足CPU的要求了。（对于这种存储颗粒我们称之为4194304 x 8模块或者4Mx8，注意这里的“M”不是“MByte”而是“Mbit”）。为了举例说明，我们用一条TI（德仪公司）出品的TM4100GAD8 SIMM内存为例来说明，因为这种内存的构造相对比较简单，便于大家理解。TM4100GAD8基于4M x 8模块制造，容量4MB，采用30线SIMM封装。如果前面我说的东西你看明白了，就应该知道这条内存采用了4Mx1 DRAM颗粒。下面的数据是我在TI官方网站上找到的（目前很少有公司的网站还提供自己以前产品的数据）：构造：4194304 × 8。工作电压：5-V。30线SIMM（Single In-Line Memory Module：SIMM）。采用8片4Mbit DRAM内存颗粒，塑料SOJs封装。长刷新期16 ms(1024周期)。 
在上面的示意图中，A0–A10是地址输入引脚。/CAS:行地址脉冲选通器引脚。DQ1–DQ8：数据输入/数据输出引脚。NC：空信号引脚。/RAS：列地址脉冲选通器引脚。VSS：接地引脚。/W：写入启用引脚。VCC 5V供电引脚。 
上面的电路示意图应该能够让我们更加清楚的理解这个问题,TM4100GAD8由8片4096x1bit芯片组成,VCC和VSS为所有的芯片提供5v的电压。每个芯片都具有/RAS、/CAS、/W引脚同内存相应的引脚连通。每个芯片都具有不同的数据输出/输出接口。这样我们应该就能够知道RAM是如何满足CPU存取数据的需要的了。
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六.关于Bank的问题
前面我们讲述的都是8bit的内存，现在这种东西我们基本上都接触不到了，更常用的是32bit、64bit或者128bit。由于前面我们已经讲到了4Mx1bit模块实现bit输入输出的方法，所以我们很容易想到我们把足够多的芯片放在一个模块中就可以了。不过在实际应用中，仅 这样还是不行的，这里就需要引入bank的概念，bank是由多个模块组成的。请看下面的示意图：
上面的示意图显示的是由4组8bit模块组成的一个bank，如果构成模块的是4194304 x 1芯片，那么每个模块的架构应该是4194304x8(4MB)，这样4个模块就能组成一个位宽为32bit的bank，容量为16MB。当存储数据的时候，第一模块存储字节1,第二个模块存储字节2，第三个模块存储字节3，第四个模块存储字节4，第五个模块存储字节5……如此循环知道达到内存所能达到的最高容量。
文章读到这里，我们应该能知道，当我们的系统使用这种类型的内存时，可以通过两种方式来增加这种类型内存的容量。第一种就是通过增加每一个独立模块的容量来增加bank的容量，另外一个方法就是增加bank的数目。这样如果让这种类型的内存的容量提升到32MB，可以把每个模块的容量从4MB提升到8MB或者增加bank的数目。
前面我们用来举例的这种30线的SIMM一般是用在486级别的电脑上的，而现在的Pentium级别的电脑所使用的内存同这个是不同的。而截止到现在，我的这篇文章还没有涉及到我们目前所使用的内存，不过不要着急，相信充分的理解我现在所谈论的东西将有助于你理解以后的内容。不过这里可以先告诉大家的是Pentium级别的内存和486系统的内存之间的主要差异在于它们的RAM芯片。 | 
