LSI推出新型处理器内核和DRAM内存模块 集成电路, 处理器, 开发

LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微处理器内核和高速嵌入式 DRAM 内存模块，进一步丰富了其业界领先的定制芯片 IP 产品系列。该新型处理器内核和内存模块旨在加速用于诸如企业级交换机、路由器、RAID 存储器、服务器以及基站等高性能应用中的高级网络和存储SoC 的开发。
定制多核集成电路 (IC) 使 OEM 厂商能够针对计算密集型应用开发出高度差异化的高性能解决方案。LSI 推出的这款新型 PowerPC 476FP 器件采用 TSMC 40G 工艺制造而成，能以超过1.4 GHz 的时钟频率运行, 从而可提供2.5 DMIPS/MHz 的处理性能。 而新型嵌入式 DRAM 内存模块运行速度高达500 MHz，这对实时视频处理和高带宽网络应用至关重要。
LSI 定制芯片产品部的高级副总裁兼总经理 Sudhakar Sabada 指出：“新一代网络和存储基础架构需要高度集成的 SoC 才能满足不断增长的市场需求。借助丰富的已经芯片验证的 IP 产品系列以及可靠的设计流程，LSI 可帮助客户前瞻性地构建针对应用优化的SoC，从而使他们能够在竞争激烈的市场中脱颖而出。”
LSI 为 OEM 厂商提供了诸如通用/专用处理器、协议内核、千兆以太网物理层、高速串并转换器 (SerDes) 以及嵌入式存储模块等丰富的已经现场验证的 IP 产品系列，最大限度地降低了定制 IC 的开发成本与风险。
LSI 所有嵌入式处理器均获得包括开发工具和操作系统等软件产业环境的支持。获得TSMC 授权的 500 MHz 嵌入式 DRAM 内核是 LSI 的第三代 eDRAM IP 产品。它的加入进一步扩大了 LSI 针对定制 IC 开发应用的嵌入式 DRAM IP 块产品阵容。