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飞思卡尔™半导体(Freescale Semiconductor)
» cw中 ROM以及FLASH相关问题请教
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cw中 ROM以及FLASH相关问题请教
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mist_24
发表于 2006-7-4 15:35
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只看该作者
cw中 ROM以及FLASH相关问题请教
ROM
,
FLASH
,
请教
CPU ROM空间不够用 我想在FLASH里面指定一个地址,用来定义一个大的数组,同时在程序内部要对这个数组进行读写操作,请帮忙解决一下 谢谢
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seuafu2005
发表于 2006-7-4 16:21
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只看该作者
就是在线烧写flash咯?
你用的是哪个芯片,给出芯片的具体型号
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mist_24
发表于 2006-7-6 17:04
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只看该作者
GZ48 用汇编语言已经擦写成功
用C没成功
谁用C语言擦写成功能否共享一下程序 谢谢!!
希望能和大家多多交流。
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strongchen
发表于 2006-7-7 12:13
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只看该作者
用C直接调用这个汇编程序就可以了。
海纳百川 有容乃大
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guantingwei
发表于 2006-7-7 12:50
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只看该作者
把那几个程序的起始地址转为函数类型就可以了。
边凿磨边用
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mist_24
发表于 2006-7-17 14:10
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只看该作者
但是现在汇编程序在擦完成以后的2个2ms内不让进行写操作,不知道各位有没有遇到这个情况?已经解决这种情况的办法。
希望能和大家多多交流。
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strongchen
发表于 2006-7-17 15:19
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只看该作者
FLASH操作的各个步骤直接会需要有一定的延时,请参看数据手册中的具体数值。
海纳百川 有容乃大
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guantingwei
发表于 2006-7-17 18:39
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只看该作者
对的,写Flash到底是一个物理过程,需要电荷的积累
边凿磨边用
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mist_24
发表于 2006-7-18 09:34
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只看该作者
那就是说在擦除时,除了要满足擦除过程所要求的时间以外,还需要2,3ms的电荷的积累时间,不是不这样啊?
我遇到的情况是在满足擦除过程所要求的时间延时后,又多出来2,3ms的时间,这个2,3ms的时间是擦除操作后的固有时间吗? 不知道各位在进行flash擦除后是否也有这2,3ms的时间不让写flash
希望能和大家多多交流。
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发表于 2006-7-18 09:36
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只看该作者
这个延时是怎么产生的?等待某个标志位?
海纳百川 有容乃大
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mist_24
发表于 2006-7-18 10:57
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只看该作者
我现在就是不知道这个时间是怎么产生的,我是在擦除之后紧接着就进行了写flash函数的调用其中用了一个I/O口的高低电平变化来检测擦和写完成与开始的时间,就是这样才发现擦和写之间有2,3ms的时间。擦和写所要求的时间都已经满足而且没有额外的时间设置,这个时间到底是怎么产生的?
希望能和大家多多交流。
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strongchen
发表于 2006-7-19 10:50
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只看该作者
FLASH的整体擦除最少需要4mS的时间。但所有的延时都应该是由你的软件产生的,FLASH本身并不能使你的程序延时,而且这个时候程序也并没有在FLASH中执行。
海纳百川 有容乃大
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mist_24
发表于 2006-7-20 11:35
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只看该作者
我用的是页擦除,现在的时间是6ms 总的来说就是多了2,3ms
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strongchen
发表于 2006-7-20 14:20
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只看该作者
所有的延时应该都是由你的程序自己产生的。
海纳百川 有容乃大
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mist_24
发表于 2006-7-20 16:53
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只看该作者
谢谢 我找找看吧 ,有问题再来请教
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