电池充电设备应用

在便携式的今天,锂电池快速充电设备内部要求有高度的电压/电流控制和温度监测。在应用中工作在低压(< 3 V)同时提供高能效率是一个重要的问题。大多数市场上的电池技术使用外部旁路元件来实现这一方案。有两个主要途径:双极结晶体管(BJT)或场效应晶体管旁路元件。恩智浦提供了广泛的BJT与特低饱和电压(VCEsat)和高电流增益(hFE)能力。如果PMU直接偏置BISS晶体管，在应用中一个低VCEsat(BISS)晶体管能轻易替代场效应晶体管。如果不是,一个额外的small-signal晶体管MOSFET控制器件满足要求。两个解决方案提供相同的表现被视为是一个MOSFET,显著优势在于降低成本和极低的泄漏电流。

主要特色/优势
• 高效率：低VCEsat（BISS）晶体管与类似的额定MOSFET相比具有较低的正向电阻（最新器件具有• 超低的饱和电压，1A时有50mV压降）
• 低的导通电压（典型的Vbe=0.7V,MOSFET Vgs=1.8-10V）
• 反向阻断能力是BISS晶体管的固有功能，不需要额外的阻断二极管
• 正向增益与温度系数
• 高ESD保护水平是一种内在的功能，反对非ESD保护MOSFET
• 电流驱动控制回路对电源电压波动不敏感

描述
低VCEsat（BISS）晶体管导通元件
相对于电压驱动MOSFET，BJT是电流驱动设备。当设计师想要用BJT器件替换MOSFET器件，他们必须了解当前PMU的限制。为了确保低VCEsat（BISS）晶体管进入饱和状态，在PMU控制引脚必须能够提供基极电流（IB），否则需要一个额外的小信号控制MOSFET晶体管。控制引脚必须提供10 mA驱动BISS晶体管。 BISS晶体管可用于饱和或线性模式。这两种模式都显示在上面的图表。