东京工业大学、富士通实验室和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器(FeRAM)的新型材料。这种铋、铁、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO），能使数据存储容量达到目前FeRAM生产中使用材料的五倍。

使用基于BFO的材料，在类似于180nm技术制造FeRAM的装置内，采用富士通的65nm工艺技术就可以生产出新的FeRAM。这种材料的使用，可以将FeRAM的记忆容量扩展到256M bit。

鉴于新一代个人化移动电子产品（例如IC卡）必须具有小巧、安全、易于操作等特点，新的FeRAM将在功耗和速度方面有大幅的改善，以便满足此种需要。对于这类电子产品来说，FeRAM技术可以提供最适合的非易失记忆设备，预计样品将会在2009年发布。

随着对BFO的深入开发，大容量的256Mbit FeRAM可以得到实现，这种FeRAM与现有的1Mbit容量相比，密度将会高出2个等级。密度的提高，使得FeRAM的应用将在新的领域(例如，快速启动，它使计算机在开机后能够立刻使用)得到扩展，而不再仅限于在安全应用领域。FeRAM还可以用于电子纸设备，该设备能让用户浏览和阅读传统上印刷在纸张上的大量信息。

Nexus论坛推进嵌入式系统多核开发

半导体行业多家企业Tensilica、Analog Devices、NEC、StarCore和德州仪器宣告加盟日益壮大的工业组织以共同推动嵌入式系统的多核调试。为实现这一目标，Nexus 5001论坛23家成员企业正致力于推动采纳Nexus标准。

Nexus标准（IEEE-ISTO Nexus 5001）是一种嵌入式处理器开发工具的接口，能帮助设计工程师快速鉴别软件层或硬件层的实时问题。Nexus 5001标准是世界唯一的开放性调试标准，用以解决具有一个公共接口的嵌入式系统中新出现的多处理器调试问题。设计公司通过采用多个芯片制造企业共同制定的标准调试规则可减少不同架构产品间移植的时间和费用，并且有利于降低风险, 提高整体质量和加快面市时间。

Nexus允许开发工具的重用并直接支持多核嵌入式处理器，从而显著减少嵌入式系统的开发时间和资源投入。Nexus标准的建立令工程师和程序员可以利用模拟器、调试器、逻辑分析仪、硬件回路仿真和用于控制嵌入式处理器的工作站在实时系统中找到和定位问题。
标准化同时确保了微处理器系统能够在多个架构和设计周期中重用诊断设备。一个标准Nexus接口的灵活性允许一个工程师能够将相同的工具包用于每个带Nexus标准的 处理器。另一个主要优点是Nexus在单个Nexus接口上进行实时多处理器调试的多客户端接口能力。

SST与TSMC合作90nm闪存技术

闪存厂商超捷（SST）和台积电公司（TSMC）已达成了一项新的技术开发和授权协议，以推出首项可授权 90nm 嵌入式闪存技术。根据该协议，TSMC 将授权 SST 的新一代 90nm 超快闪 (SuperFlash) 技术作为 TSMC 嵌入式闪存记忆技术组合的一部分。

嵌入式闪存市场正在呈现出惊人的发展态势。市场研究公司 WebFeet Research 调查显示，2011年，嵌入式闪存市场规模预计将达到67亿美元。这意味着该市场年复合增长率为14.4%。

WebFeet Research首席执行官 Alan Niebel 表示：“目前，消费电子设备和移动电子设备的普及带来了对多种嵌入式存储的旺盛需求。随着这些应用产品的功能继续增加，对于像 SST 的 90nm 超快闪技术这样较为先进的嵌入式闪存技术的需求将更加强劲。”

Cadence组建联盟 解决低功耗IC难题

Cadence设计系统公司宣布组建Power Forward Initiative，以解决电子行业面临的低功耗IC设计难题。该联盟的成员包括超微半导体（AMD）、应用材料公司、ARM、ATI、Cadence设计系统公司、飞思卡尔半导体、富士通有限公司、NEC电子及台积电公司(TSMC)。该联盟将会利用这些领先的技术公司的专业技术，设计并生产更节能的电子器件。
Power Forward Initiative将连接设计、验证和实现以降低风险，并提高芯片功耗降低的可预测性。各成员将采取一种全新的自动化设计架构，使芯片的功耗降低。为了达到这一目标，Power Forward Initiative提倡改良并推广一种开放的新规范，以捕获低功耗设计意图的核心，并将设计、实现和验证等领域连接起来。该组织的目标是从2007年开始进行这一开放的行业标准化进程。

考虑到这一贯穿整个设计链的特定功耗设计管理目标对广泛方法的需求，以及为确保平稳合作和高成品率生产能力，联盟成员将使用Common Power Format (CPF)的第一个版本。这种新的规范语言通过把握设计师的功耗管理意图，解决设计自动化工具流程的限制。Common Power Format为设计开发和生产提供一个一致的参考点，让所有设计和技术相关的功耗约束都可以保存在一个文件中，并且在整个设计流程中应用该文件。

东芝助SanDisk 推出2GB SD存储卡

自从三星电子公司开始批量生产60纳米制程的8GB多级单元（MLC）NAND闪存芯片之后，存储卡厂商们纷纷将各自microSD存储卡的容量提高到1GB。但是，SanDisk公司在东芝公司的支持下，最近推出了存储容量为2GB的存储卡产品，将其他存储卡厂商都远远地甩在了身后。

SanDisk此次推出的2GB容量microSD(TransFlash)卡不但在容量上首屈一指，相当于1GB前辈的两倍，在尺寸上也非常小巧，其目的是满足新一代MP3音乐手机的需求，比如Verizon即将推出的巧克力音乐手机。
SanDisk公司在7月底正式推出了2GB的microSD存储卡，而估计其他厂商到9月份的时候才可能推出容量为1GB的microSD存储卡。据SanDisk公司称，2GB的microSD存储卡的售价大约为100美元，而现在市场上的2GB的SD存储卡的售价大约在50美元左右。

由于东芝公司在多级单元NAND闪存的供应上居市场统治地位，因此SanDisk公司可以调节产能来充分利用NAND闪存芯片优势。据市场人士分析，在三星公司推出其60纳米NAND闪存芯片之前，其他厂商是很难提高microSD存储卡的产能的。

高通收购多媒体软件制造商Qualphone

无线芯片制造商高通公司表示，为了扩展芯片开发专门技术和多媒体手机其他系统，公司已经同意收购基于互联网的多媒体软件制造商Qualphone公司。

高通公司将向Qualphone公司支付1800万美元的现金。预期这一交易将在8月晚些时候完成。

Qualphone 公司提供IP多媒体子系统软件平台(IMS)，它的产品能够在3G网络技术的手机上整合和交互语音、短信、图片和视频等多媒体功能。Qualphone 公司还提供兼容服务的测试技术。

由于手机运营商的语音服务已经面临挑战，它们的收入和利润开始下降。为了获得新的收入源，它们渴望增加多媒体服务。预期Qualphone公司的测试服务、IMS技术和软件开发资源将促进高通公司向欧洲和其他市场的消费者发布流行的多功能装置。

LG EDGE手机采用TI OMAP-Vox平台

德州仪器 (TI) 与 LG 电子 (LGE) 联合宣布，LGE 已决定为其全新 EDGE 手机系列选择 TI 的OMAP-Vox 平台。OMAP-Vox 平台是建立在 TI的 OMAP平台基础之上，该平台集成了一系列高性能应用与通信处理器，以帮助制造商面向大众市场推出多媒体应用。首批采用该平台的手机包括于 2006 年 8 月面向加拿大市场推出的 LG240与 2006 年 9 月面向南美市场的 ME240。上述手机将采用 TI OMAPV1030 芯片组来实现多媒体与 EDGE 功能。

OMAPV1030 解决方案可提供各种高级功能，其中包括高级视频采集、回放与流媒体、数码相机功能、LCD 彩屏、交互式 2D/3D 游戏等。OMAPV1030 处理器还充分利用了TI面向智能电话的应用处理技术，满足特色电话无线市场对多媒体应用的需求。

TI OMAPV1030 处理器充分发挥 TI 领先的调制解调器与 OMAP 技术优势，采用先进的量产型 90 纳米数字工艺技术，是高集成度与优化的 EDGE 解决方案。这种解决方案以 OMAP1710 架构为基础，采用 ARM926TEJ 与 TI DSP，因而其能够利用同一 OMAP 内核上同时执行 GSM/GPRS/EDGE 调制解调器与应用处理功能。该架构可作为可扩展性 OMAP-Vox 硬件架构的基础，能够轻松地从 2.5G 升级至 3G 等更高技术。