ARM发布首款可即量产的基于TSMC 90纳米工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP。该产品属于ARM Artisan物理IP系列。

ARM 90纳米Velocity DDR1/2存储器接口解决方案包括多组可编程ODT（on-die termination）和输出驱动阻抗控制（output driver impedance control）。所有的端头在使用ARM先进的动态校准器电路的情况下能够获得很高的阻抗精度。这些特性提高了整体信号的完整性，并且加快高速系统设计的开发周期。

90纳米Velocity DDR1/2存储器接口提供适宜的解决方案，为需要用到SDRAM的众多应用（例如主流台式电脑、网络设施和服务器）提供可调整的功耗和性能。这些可用于DDR1和DDR2的双倍数据速度解决方案可以最高达800Mbps的数据速度运行，并实现SDRAM组建和存储器控制器之间的所有接口。

已授权设计师可免费下载用于TSMC 90纳米工艺的DDR1/2前端解决方案。DDR后端解决方案可从当地ARM销售渠道获得。

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