非易失性铁电存储器 (FRAM)供应商Ramtron近日发布其亚太区的半导体业务扩展战略,以及持续发展的最新部署。同时,Ramtron还宣布推出了半导体业界首款4Mb非易失性FRAM 存储器,成为了推动该公司在区内继续增长的主要元素。
Ramtron 在亚太区的产品销售量由2001至2006年每年增长达 99%,主要动力来自于电力计量、汽车电子及磁碟列阵等控制器应用等。为了推动区域内的业务持续增长,Ramtron最近进行了大量投资,全面扩大其在中国大陆、中国香港、中国台湾及韩国的办事处规模,将销售、战略事务及应用支持的专门人员数目增加了接近一倍,组建了公司最庞大的区域性营销和市场拓展团队。
除了在营销基建方面投资之外,Ramtron还调整了其产品战略,以紧跟亚洲区内出现的各个新兴机会。其中,该公司最近宣布推出了汽车用的独立式FRAM存储器产品,包括符合超高温AEC Q100 Grade 1规范要求的器件。Ramtron还扩大其FRAM-Enhanced处理器配对产品系列,将常用的系统外设与高性能的非易失性FRAM存储器集成在单芯片上。
Ramtron推出的业内首款4Mb非易失性FRAM产品FM22L16,存储量是现有产品的四倍。由于 无需外部电池或电容器来进行数据备份,并采用单片电路形式,因此更为可靠。该产品将德州仪器公司公认的130nm 制造工艺与Ramtron先进的FRAM单元架构相结合,创制出现今最高密度的FRAM器件。为了创建嵌入式 FRAM 模块,德州仪器在其标准的 130nm 铜互连工艺中添加了仅仅两个额外的掩模步骤。通过转向 130nm 工艺,两家公司将使用目前最小的商用 FRAM 单元 (仅 0.71um2),提供 Ramtron 的 4Mb FRAM 存储器,并且获得比SRAM 单元更高的存储密度。为了实现这种单元尺寸,该工艺使用了创新的 COP (capacitor-over-plug) 工艺,将非易失性电容直接堆放在W型插入晶体管触点之上。(记者:胥京宇)
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