惠普推出超小型无线数据存储器

惠普公司英国研究实验室的科学家们已经制造出超小型无线数据芯片，这种芯片的存储量非常大，它能存储半兆的视频、音频或者文本文件，同时它的“个头”又非常小，足以粘贴在明信片、照片或者笔记本等物品上。这款实验芯片可以通过数字无线的途径把声音嫁接到照片上，其大小和米粒相仿。

信息可以通过很多方式读取，比如移动电话、掌上电脑、照相机、打印机等。这种新型芯片可以跟这些输出终端连接，可以根据用户对读写器的应用要求将相关功能整合到芯片上，并将其安装在移动电话或者其他输出设备上。

有了这种芯片，可以在任何物体的表面上粘贴信息。这种新片的应用领域十分广泛，比如可以在病人的手表带上存储病人用药信息，或者做成数字防伪标签贴在商品上。

超低耗蓝牙无线技术Wibree有望商用

蓝牙技术联盟 (Bluetooth Special Interest Group, SIG)在台湾宣布，Wibree规格将纳入蓝牙规格的其中一部分，成为超低耗电量的蓝牙技术。蓝牙技术联盟执行董事Michael Foley预计，整合后的技术规格将在明（08）年上半年出炉，之后的六到八个月即可望商品化。

Wibree是由诺基亚于2001年开始开发，于去年10月发布的无线连接标准，使用与蓝牙相同的免授权的2.4GHz频段，但短距发送的功率较低。其传输速度可达1 Mbps，有效传输距离为10公尺。虽然和蓝牙一样，都被定位在个人网络（PAN）的应用，但是Wibree耗电量甚小，理论上来说只要一颗钮扣型电池就可以使用长达十年。

至于Wibree纳入蓝牙后的技术内容，例如传输速率和耗电量与既有Wibree或蓝牙相比的异同，对此Foley表示由于规格尚未制订，因此无法确定细节。不过理论上由于是双模芯片，因此使用者可以撷取各自所长，例如还是能够利用蓝牙约720Kps传输速率来传输影音，但在只需要传输少量数据的时候启用Wibree。

不过尽管双方已经着手合作，诸如无线芯片大厂CSR亦承诺推出此类低耗电蓝牙产品，但是能否获得广泛采用的前提仍是成本，对此Foley表示尚无法估计。但他以第一个蓝牙芯片要价高达七美金，现在已下滑至两美金以下为例，表示随着经济规模成形，成本下滑自然不是问题。

华虹NEC推出0.18微米EEPROM PDK

上海华虹NEC电子日前已开发出其第一款0.18微米工艺设计工具包（EEPROM PDK）。该PDK是利用Cadence&reg；PDK自动生成系统(PAS)开发完成的，能使其容易地进行移植以支持新的Cadence Virtuoso&reg；定制设计平台。

针对改进模拟混合信号（AMS）及射频（RF）器件性能，该新的PDK能帮助设计者提高他们的生产力，降低成本并减少设计反复。它可用于像IC卡这样的高精确度模拟设计。该新PDK可实现更短的设计周期，有助于生成具有更高成品率的器件，为客户提供了增强的开发能力。

Cadence公司PDK团队为快速开发出华虹NEC 0.18微米EEPROM PDK做出了贡献。Cadence不仅提供了PDK自动生成系统，还与华虹NEC密切协作，了解客户的技术需求并帮助开发了PDK方法学。

ST公布45纳米CMOS设计平台

半导体制造商意法半导体(ST)日前公布了45nm (0.045微米) CMOS设计平台，在这个平台上，客户可以为低功耗的无线和便携通信应用设备开发下一代系统芯片(SoC)产品。

与采用65nm技术的设计相比，ST的低功耗创新工艺结合多个阈值晶体管，将芯片面积缩减一半。同时，新工艺将处理速度提高了20%，在正常工作模式下，泄漏电流降低二分之一，在保持模式下，泄漏电流降低到几分之一。后一项将给便携产品的设计人员带来巨大的好处，因为电池电量的使用时间是便携产品设计需要考虑的一个重要的因 素。
ST在完成一个高集成度的45nm SoC 演示芯片的设计或流片时使用了此款45nm低功耗CMOS平台。这个芯片设计包含一个先进的双核CPU系统和相关的存储器分层结构，采用了在45nm工艺节点上将高性能和低功耗合二为一所需的复杂的低功耗方法。

新的低功耗设计平台充分利用了45nm工艺技术的多功能和模块化特点，该平台是在法国格勒诺布尔近郊Crolles的ST研发中心开出来发的，并在Crolles2联盟的300mm晶圆制造厂接受了产品验证。

与其它的准备部署的45nm设计平台一样，ST的低功耗45nm工艺含有进行高密度和高性能设计所需的全部先进模块。这些重要模块包括：蚀刻最重要图形层的193nm浸没式光刻技术、潜沟道隔离及晶体管应力技术、先进的采用毫秒退火方法的结工程、超低K的内部铜层电介材料、准许降低互连线电容的技术。此外，还有两个单元库：一个是为高性能优化的，另一个是为低功耗优化的。总之，该平台为设计人员提供了丰富的设计选择。

我国首台12英寸单晶炉研制成功

近日，国家863计划项目“超大规模集成电路配套材料”重大专项中的“TDR－150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）”项目在北京正式通过科技部的验收，这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。

单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术不足的问题，高端产品均为国外公司所垄断，在很大程度上制约了我国超大规模集成电路和太阳能产业的发展。西安理工大学与北京有色金属研究院从2003年起承担“TDR－150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）”课题的研究和攻关任务，经过三年多的攻关，取得了一系列创新性成果和关键技术。

验收会上，专家们认为该成果的取得填补了国内空白，标志着我国超大规模集成电路和太阳能产业的关键技术装备的生产迈上了一个新台阶，对我国超大规模集成电路及相关产业的发展具有重要的意义。

信产部发布5项宽带无线标准

据 中国通信标准化协会(CCSA)透露，基于802.16的固定宽带无线接入设备系列标准YDB010~014通信标准类技术报告出台。通信标准类技术报告(YDB)是由信息产业部指定中国通信标准化协会制定的，对于技术尚在发展中，又需有相应的标准性文件引导其发展的领域而制定的标准性文件。

该系列标准内容涵盖了固定宽带无线接入设备的基站、用户站的技术要求和测试方法、接入系统接口技术要求，适用于公用电信网环境下的固定宽带无线接入系统。

宽带无线技术一直是CCSA研究关注的重点领域，参与此次标准制定的企业单位有电信研究院、中兴、华为、京移通信设计院和中科院计算所等单位。从2005年开始，CCSA就着手组织国内企事业单位对国外相关技术与标准进行跟踪研究，对802.16固定宽带无线接入设备进行了测试，根据实际测试和理论计算结果确定了系统性能参数。

CCSA人士透露，此次发布的五项标准中，结合国情做了很多测试，其中有三项标准的制定参考了IEEE Std 802.16-2004和IEEE P802.16-2004空中接口部分，另两项则无国际标准参照。

由于基于802.16的固定宽带无线接入技术发展迅速，设备功能和形态有了较大变化，因此技术报告起草组参照IEEE P802.16的标准，根据其研究进展，对多套设备进行了系统测试，取得大量的试验数据，结合理论分析计算以及设备发展现状，形成了最终标准版本。

英特尔45nm晶体管采用新型材料

英特尔的基本晶体管设计取得了一项巨大的进步。英特尔称，它正在使用两种全新的材料制作45纳米晶体管的绝缘层和开关栅。

英特尔下一代Core 2 Duo、Core 2 Quad和Xeon等多内核处理器将使用数亿个这种微型晶体管。英特尔称，它有5个早期版本的产品正在运行。这是英特尔计划生产的15个45纳米处理器中的第一个。

这种晶体管能够让英特尔继续提供创纪录的台式电脑、笔记本电脑和服务器处理器的速度，同时减少晶体管的漏电量。晶体管漏电影响到芯片和PC设计、尺寸、耗电量、噪声和成本。这个技术还将保证摩尔定律在下一个10年仍然发挥作用。

英特尔是第一个在45纳米技术中采用创新方法把新材料结合在一起的公司。这些新材料将显著减少晶体管的漏电量和提高性能。英特尔将使用一种属性称作“high-k”的新材料制作晶体管栅绝缘体，用一种新的金属材料组合制作晶体管栅电极。