无论是对GSM/EDGE还是TD-SCDMA基站的设计，RFIC的性价比是否优秀都对整个系统的成本与性能 具有重要的影响，如何选到合适的射频器件也是通信设备制造商一直关心的问题。飞思卡尔在RFIC产品方面极具优势，产品线涵盖1GHz、2 GHz、3.5GHz以及各种通用功率放大器等。这些产品正在为全球的通信设备制造商的产品设计提供着前所未有的技术体验。
独特的双级100W放大器降低GSM基站成本
对 GSM/EDGE基站设计者而言，100W输出功率和50dB增益的要求一直是使BOM高居不下的原因之一 。飞思卡尔公司的MWE6IC9100N（用于900MHz频段）和MW7IC18100N（用于1800MHz~1900MHz频段）RFIC的推出，解决了这一问题。
这 些器件是目前投入商用的功率最高的两级RFIC产品。当由低成本高效率的MMG3005N通用放大器(GPA)驱动时，MWE6IC9100N 和 MW7IC18100N RFIC就构成了全面的100W功率放大器解决方案，用于工作在频率从900MHz~1800 MHz 的无 线 基站。
该解决方案的优势在于非常适合GSM和EDGE市场。此前，传统两级RFIC设备的输出功率不到30W，只能 在驱动和预前级驱动阶段使用。以往的设计需要由多个单独的高功率晶体管级联方案来实现50dB增益，而GSM EDGE发射机一般 都需要100W的输出功率。现在，只需要一个GPA和一个RFIC就可满足这种需要，而更高的集成度使基站的建设成本进一步降低。
M WE6IC9100N设计用于869MHz~894 MHz的蜂窝频率和920MHz~960 MHz 的GSM波段。对GSM操作来说，这一器件可以在28V AB级偏压条件下的1-dB增益压缩（P1dB）上提供至少100W的CW输出功率，增益是33.5 dB，工作效 率大于52%。在EDGE 应用的 28V漏偏压和50W的平均输出电压中，MWE6IC9100N 400 kHz 和600kHz的频率偏移 能够达到?63dBc 和?81dBc的频谱抑制，2% rms的EVM，满足严格的EDGE线性和EVM 要求。
MW7IC18100N涵盖1805 MHz~ 1880 MHz和1930MHz~1990 MHz两个波段，增益大于30dB，提供100W CW的P1dB射频输出功率。当工作在2 8V电压上的GSM环境中时，工作效率大于48%。EDGE的性能可以达到40W的平均功率、 ? 63 dBc（400 kHz偏移量）和 ? 80 dBc（800 kHz偏移量）的频谱再生，具有1.5% rms的EVM。
RFIC采用经济高效的超模压塑料封装，具有内部匹配性和出色的稳定性。RFIC集成了ESD保护，符合RoHS要求，可承受200℃的结温。它 们还包括集成的静态电流热追 踪设备，可提供高效的温度补偿。放大器工作在115℃的温度范围内，可在5%的浮动范围内保持电流恒定。
RFIC结合了自动偏置功能，有助于简化功率放大器系统的设计，使设计人员能够用最小的外部电路设置放大器偏压。此外，设备还可用最少的控制电路，通过自动补偿来设置理想的漏静态电流。
首款为TD-SCDMA优化的RFIC
在传 统的GSM/EDGE应用以外，TD-SCDMA作为中国土生土长的3G移动信标准，在中国和国际市场的热度也越来越高。有数据显示，目前已经有来自14家制造商的超过40种面向TD-SCDMA的通信系统已经投放市场或正处于研发阶段，而这一数字在整个2007年度还将持续增长。飞思卡尔针对这一热点应用推出了经过特殊优化技术的RFIC产品。
MW6IC2240NB是一个LDMOS两级RFIC。当应用在28V的末级放大器时，在输出功率为35dBm的2,010MHz~2,025MHz的频率范围内，能够提供28dB的增益、?47dBc的ALT1和?49dBc的ALT2(6载波TD-SCDMA信号)。MW6IC2240NB的工作电压是26~32V，具有集成的静态电流温度补偿功能，采用TO-272塑料封装。
除 MW6IC2240NB外，飞思卡尔的产品线中还有另外6款适合于多载波应用(如CDMA、W-CDMA和 TD-SCDMA)的LDMOS和MOSFET功率放大器。它们运行在2010~2170MHz的频率范围内，这些设备是：MHV5IC2215N：两级LDMOS驱动放大器，具有23dBm的输出功率、27.5dB的增益、49dBc的ALT1和?50dB c的ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号)。MR F6S21060N： N沟道、增强模式侧向扩散的功率MOSFET，具有35dBm的输出功率、15.5dB的增 益、?48dBc的ALT1和?49dBc的 ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号)。MRF6S21100N： N沟道、增强模式侧向扩散的功率MOSFET，具有35dBm的输出功率、14.5dB的增益、 ? 49dBc的ALT1和 ? 51dBc的ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号)。MRF6S21100H： N沟道、增强模式侧向扩散的功率MOSFET，具有35dBm的输 出功率、1 6dB的增益、 ? 51dBc的ALT1和 ? 53dBc的ALT2(6个载波的TD-S CDMA信 号)。MW6IC2015NB：两级LDMOS驱动放大器，具有25dBm的输出功率，27dB的增益、 ? 50dBc的ALT1和 ? 52dBc的ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号)。MRF7S19080H：N信 道、增强模式侧向扩散的功率MOSFET，具有35dBm的输出功率、18dB的增益， ? 51dBc的ALT1和 ? 52dBc的ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号)。
以上所有设备都符合RoHS标准，具有内部匹配的输入和输出，它们可工作在26V~32V的漏级电压。除了MRF6S21100H和MRF7S19080H外，所有其他器件都采用飞思卡尔超模压塑料封装，温度范围为200度。飞思卡尔利用其全系列的RFIC器件，正在与通信设备制造商一起迎接高性能应用的挑战。 |
