IBM技术联盟日前表示将采用东京电子（TEL）的高K电介质设备用于45nm技术研发。IBM技术联盟成员包括：AMD、特许、英飞凌及三星。TEL与IBM在高K技术上的合作已有一段时间，目前，IBM正在使用TEL的CVD设备开发45nm及以下节点栅叠工艺。另外，TEL将把设备发至AMD德国Dresden的300mm工厂内，特许尚未收到TEL设备，而三星和英飞凌是否接获到该设备还没有确切消息。

逻辑领域两大主要的栅堆叠阵营包括取代栅极（replacement gate）和前栅极（gate first）。据报道，Intel公司正在开发45nm节点的取代栅极技术，而IBM公司成为前栅极方案的支持者。

在技术开发上，IBM选择使用TEL的设备，而Intel采用ASM International BV的设备。另外除了TEL与ASMI外，Applied，Aviza，Genus，Hitachi Kokusai，IPS等公司也在开发高K介电设备。

Broadcom推首个单片3G手机解决方案

Broadcom（博通）公司推出新的单片高速分组接入（HSPA）处理器BCM21551。该器件采用65纳米CMOS工艺制造，在单芯片上集成了所有主要3G蜂窝和移动技术，功耗极低。这个“单片3G手机”解决方案使制造商能够开发具有突破性功能、外形优美且待机时间非常长的下一代3G HSUPA手机，其手机成本要比采用今天的解决方案低得多。

推出的“单片3G手机”BCM21551将高速HSUPA 3G基带、多频带射频收发器、支持增强数据速率（EDR）技术的蓝牙2.1版、调频收音机接收器和调频收音机发射器（用于汽车立体声音乐播放）集于一身。该器件还具有先进的多媒体处理、支持高达500万像素相机以及带有“电视信号输出”端的每秒30帧视频功能，并且支持HSUPA、HSDPA、WCDMA和EDGE蜂窝协议。BCM21551还可以与其他Broadcom器件配合使用，如Wi-Fi和GPS器件、PMU或新的VideoCore III移动多媒体处理器。这使得BCM21551同时成为面向大众市场批量生产的3G手机和运行Symbian、Windows Mobile或Linux等开放操作系统的智能手机的理想选择。

中芯推出低功耗IC实现参考流程

中芯国际和芯片设计软件厂商Magma联合推出了基于中芯国际90纳米工艺的增强版低功耗 IC实现参考流程，其中采用了 Magma 的 Blast Power、Blast Fusion和 Blast Create技术。

这一流程利用了中芯国际90纳米多样化开启电压 (MTCMOS) 工艺下的标准单元库和 IO 库，同时采用 Magma 的低功耗设计流程，可以自动创建可关断的电源域，插入状态保持触发器，对工作模式和睡眠模式进行电源分析，可以针对客户基于中芯国际先进的90纳米工艺的设计，实现优化动态功耗、降低渗漏功耗。

这一低功耗流程可以指导设计者实现一个从 RTL 到 GDSII 的方法学，在芯片实现流程的不同阶段很快得到最佳的时序对功耗和面积对功耗的权衡。通过在芯片实现过程和单一环境中对电源进行评估的能力，设计者可以降低设计功耗并节省返工时间。

19家半导体业者加入SOI联盟

半导体业者第1个绝缘层上覆矽(Silicon-On Insulator；SOI)业界联盟成军，共计19家半导体业者加入，除了原本就采SOI制程的美商超微(AMD)、新加坡特许半导体(Chartered Semiconductor)、飞思卡尔(Freescale)、IBM及Soitec、安谋(ARM)，国内晶圆代工厂台积电、联电这次亦加入。此外包括IC设计自动化平台业者益华(Cadence)及新思(Synopsys)也投入联盟。

除IDM业者以外，这次如半导体上游设备商、自动化设计平台业者、IP业者皆加入SOI策略联盟。半导体业者分析，过去SOI对IDM业者来说比较了解如何进行设计、制造，对一般IC设计业者因缺乏设计平台与IP工具支持，加上晶圆代工厂专注于标准CMOS制程，让IC设计业者即使想采用此制程也无所适从，如今包括IP、EDA业者皆已意识到此问题，愿意加入SOI联盟，对未来SOI市场发展再添助力。

SOI过去被视为半导体制程当中较为利基型的技术，由于普遍缺少IC设计业者采用，SOI的市场成长始终存在局限性。现在台积电和联电纷纷表示，SOI是未来高效能，将提供IC设计业者更广泛采用SOI制程技术支持。

IBM联合开发新无线传输协议

IBM与MediaTek公司的无线电科学家联合攻关，正在开发一种新的无线传输协议，其数据传输速率是无线宽带协议Wi-Fi的100倍。

据该项目首席科学家、IBM的曼默特·索育尔介绍，该协议利用的是60GHz的频谱，根据该传输协议研发的芯片，其传输速率可达2.5GB每秒，而Wi-Fi的传输速率为10-54MB每秒，因此是后者的100倍。

换句话说，上述新芯片可在5秒内传输10GB的文件，而Wi-Fi网络完成这一任务需要数分钟才能完成。60GHz频段是毫米波频段的一部分，毫米波段由30GHz到300GHz。SiBeam是一家无线技术新创公司，它是无线业界联盟WirelessHD的主要推动者之一。
IBM为该项目带来了无线电领域的专业技术，而MediaTek提供的主要是数字信号处理技术。预计该项目在三年后将推出新产品。

瑞萨推出多模通信RF收发IC滤波器

瑞萨近日开发出了最新的滤波器电路技术,可实现在支持多种无线系统的多模通信RF收发IC上,集成小电路面积及低功耗的离散时间滤波器。

此 次瑞萨新发布的滤波器电路技术是一种有助于减少离散时间滤波器使用电容器数量的电路技术，与以前的技术相比，可节约大约一半的电容器。采用这些技术的130 nm（纳米）CMOS工艺的试验制造表明，新的技术可以实现全球最低水平的电路面积和功耗，在1.5 V电源电压条件下，滤波器核心电路面积仅为1.8 mm 2 ，而电流消耗仅为11 mA。同时，新的技术已经获得证实，还可以实现GSM、W-CDMA和无线LAN（局域网）通信系统所需的抑制特性。

在此背景下，瑞萨开始进行多模通信RF收发IC中接收滤波器电路的研究。滤波器电路是重要电路，它不仅可以消除不必要频率成分，提取目标频率成分，更可将该频率成分以尽可能少的损失传输到下一级电路。通过研究，瑞萨此次开发出了最新的滤波器电路技术，可以同时实现全球最小电路面积及最低功耗，并具有宽带频率特性多样性的接收离散时间滤波器。

英特尔将推广高速传输标准USB3.0

美 国电脑芯片制造商英特尔公司日前宣布，将联合其他公司共同推广USB3.0标准和技术。和目前大量使用的USB2.0标准相比，3.0标准的数据传输速度将会快十倍。
据悉，USB3.0标准可以支持高达4.8Gbps的数据传输率，可以可以和USB1.0和2.0标准向下兼容。英特尔公司预计，在技术的推广中，将强调USB3.0的低功耗和更高的传输协议效率。

在USB3.0推广工作组中，除了英特尔之外、还有微软、惠普、德州仪器、NXP半导体等重量级成员。业内人士预计，到2009年上半年，采用USB3.0标准的各种产品将会陆续上市销售。

高通开发双3G芯片 兼容二种宽带技术

无线芯片制造商高通发布了一款名为Gobi的双3G芯片，在笔记本中配置了这一芯片后，能够轻松的与二种宽带技术兼容。

高通表示，目前在美国笔记本市场，面向商务的笔记本通常运行AT&T、Verizon无线或Sprint Nextel公司的任意一种网络，AT&T的网络采用 HSPA技术，而Verizon无线和Sprint的网络采用 EV-DO技术。目前二种技术也同样推向海外市场。

高通新开发的Gobi芯片能够接入任一类型的网络。高通称，Gobi芯片立即可以使用，但公司预期明年第二季度配置这一芯片的笔记本将投放市场。

尽 管Gobi芯片增加了移动宽带用户的选择，但网络技术的竞争不仅仅出现在HSPA技术和EV-DO技术之间，WiMax长距离无线技术承诺更高的数据传输速率，网络的构建费用也更加便宜。但Gobi芯片不支持WiMax技术。