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创新的ispXPLD器件
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The Innovative ispXPLD Devices
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■上海莱迪思半导体公司 陈恒
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ispXPLD (in-system programmable eXpanded PLD)器件是一种可以让用户有效地交替使用快速逻辑和块存储资源的PLD器件结构。这种结构允许每个多功能块都能实现逻辑功能(每个多功能块拥有多达32个宏单元)或存储功能(每个多功能块可多达16KB),从而使单个器件的存储容量高达1024个宏单元或
512KB,等效于30万系统门。
ispXPLD 器件的超宽(SuperWIDE)结构还支持多达136个输入的单级逻辑功能,能够实现超宽的总线和逻辑功能。该产品的工作频率可达285MHz,管脚至管脚逻辑延时(TPD)为3.5纳秒,时钟至输出延时(TCO)为2.5纳秒。
ispXPLD系列采用莱迪思公司新的ispXP(ISP eXpanded Programming)技术,不仅继承了传统的基于乘积项的PLD瞬时上电、非易失性可编程的优点,还具备了基于SRAM的FPGA器件实时、无限可重构的优点。
器件结构
ispXPLD器件的第一个系列-ispXPLD 5000MX包括供电电压为1.8伏的5000MC、2.5伏的5000MB和3.3伏的5000MV系列。器件的等效宏单元密度为256、512、768和1024,用户I/O数从141到381不等,相当于75K至300K的系统门。该系列中的第一款器件ispXPLD
5512MX为484脚fpBGA封装。其可编程sysIO 接口功能支持多种高级I/O标准(GTL+、HSTL、 SSTL、 LVDS等)。先进的硅片工艺结合独特的电路设计技术,使器件的待机功耗仅为36毫瓦/片,非常适合对功耗有严格要求的设计应用。另外,每片器件都包含sysCLOCK
锁相环,可用于高性能的在芯片内的时钟合成。器件的结构如图1所示。
器件由多功能块(MFB)与全局布线池(GRP)互联而成。内含4个sysIO区,外部的信号通过sysIO区进入器件内部,器件内部的信号通过sysIO区送到器件的外部。信号可以连接至全局布线池或者连接至多功能块中的寄存器。输出共享阵列(OSA)增加了每个多功能块与I/O连接的数目。器件有4个全局时钟引脚,GCLCK0、GCLCK1、GCLCK2、GCLCK3。另外还有2个系统时钟锁相环(sysCLOCK),用于对时钟信号进行综合和对时钟的扭曲进行控制,能为高速设计提供精确的时序控制。设计者可以借助锁相环中的时钟倍频和分频功能,产生复杂的时钟波形,并通过sysCLOCK控制下的时钟移位来调整建起时间、保持时间以及时钟至输出的时延。
多功能块
ispXPLD由许多相同的多功能块组成,这些多功能块通过单级的高速可编程全局布线池互相连接,全局布线池还将多功能块与I/O单元连接了起来。ispXPLD
5000MX系列中的每种器件上集成了8至32个多功能块,每个多功能块可独立编程,分别实现32个宏单元的超宽(SuperWIDE)逻辑、8KB的双口RAM、16KB的单口RAM或先入先出堆栈(FIFO)、128个48位的按内容寻址的存储器(Content
Addressable Memory)。芯片内含专用的FIFO控制逻辑,因此在提供这些存储控制功能时并不消耗可编程资源。基本的逻辑块配置在单级逻辑中支持68个逻辑输入,但是级联的多功能块可支持多达136个输入的功能而不增加逻辑延时,进一步加宽了逻辑结构。图2为多功能块的方块图。
在ispXPLD 5000中的每个多功能块都可以配置成下列6种模式中的一种,提供灵活的方法来实现逻辑和存储器,并能获得最大的器件资源利用率。这6种模式为:
超宽逻辑模式
真双口SRAM模式
伪双口SRAM模式
单口SRAM模式
FIFO模式
三元CAM模式
用于板级运作的系统I/O
用户可以配置器件上的每个I/O引脚使其支持高速存储接口、高级总线标准或通用接口。通用接口的支持包括LVTTL或LVCMOS(3.3、2.5或1.8伏)。四个独立的I/O组块能在一片器件上支持多种电压和标准的接口。可编程驱动不同的电压标准有助于取消一系列终端电阻,从而进一步降低整个系统的成本。ispXPLD与高速DRAM、SRAM以及其它高性能存储器件的接口通过对SSTL2、SSTL3和HSTL
I/O的支持来实现。该系列还支持用于高速总线接口的GTL+、PCI、LVDS和LVPECL I/O配置。表1为ispXPLD 5000所支持的
I/O标准。
ispXPLD的突破性结构是器件结构和编程技术的结合。它将CPLD的速度、可预测性、非易失性和FPGA的系统级特性、密度和可重构能力集成到一起。ispXPLD器件能够实现原来只能通过FPGA或ASIC才能实现的主流系统功能。其潜在的应用领域包括高性能的总线桥、智能底板接口、协议处理器等。
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