飞利浦半导体是世界上知名的半导体公司之一。它的产品多种多样，能用在各种不同的领域如有线和无线通信、消费类多媒体产品、汽车电子、计算机系列产品以及工业和家用电器。飞利浦半导体的功率MOS器件系列由于其高效率，更低的损耗和更小的尺寸，在功率应用方面受到越来越广泛的欢迎。采用飞利浦功率MOS器件系列将会给产品设计和产品性能带来巨大的好处。
精彩问答
问：利用MOS器件设计电路应注意的问题？
答：1.VDS击穿电压。2.工作电流。3.电路特性。
问：新的封装形式日新月异，对于传统的封装在近几年是否会淘汰呢?
答：是的，封装会越变越小。 问：在解决提高功率的同时，又要把各种噪声压制到最小。贵公司有什么好的可操作的方法？
答：低Rds(on)和低Qg 的MOSFET 。
问：用于电子镇流器的功率MOSFET与BJT相比，MOSTET具有哪些优势（技术、成本、可靠性等方面）？
答：MOSFET 主要用于低功耗场合，但BJT比MOSFET便宜。
问：1）请问P沟道 130A以上 50V的MOS管价格最低的有哪些型号？
2）在设计开关电源时，需考虑耐压和电流之外，请问还需要考虑哪些呢？
答：PHP112N06T，PHP11N06LT，PHP20N06T，PHP21N06LT，PHP54N06T，PSMN005-55P。
损耗和效率也非常重要。
问：MOS器件的高位驱动应用有哪些技巧？
答：要提供足够的驱动能力和妥善的保护，注意驱动电阻的选择。
问：请问贵公司MOS管中，N沟道在2.7V电压时最低ON电阻为多少？是什么型号？
答：PSMN006-20K
Vds = 20 V (as you did not mention Vds)
SOT 96-1 (SO-8)
Rds(ON)=8.2 m at 1.8V
Rds(ON)=5.7 m at 2.5V
Rds(ON)=5 m at 4.5V
问：N沟道的MOS在高端应用时，有没有简单的驱动方式？
答：用 MAXIM 和LT的驱动 IC 。
问：请问50A以上大功率管输出控制的线性度如何?
答：通常来讲，电流越大其线性区越长。
问：用在开关电源时，功率MOSFET的栅极驱动和器件保护有哪几种好方法?
答：加齐纳二极管。
问：200V的MOSFET的Id电流允许有多高?是否需要加散热片?
答：PSMN057-200B/P， Id电流是39A。散热片基于你的设计余量和工作条件。
问：Philips有没有集成了PWM控制器和功率MOSFET的产品?是哪几种型号?
答：此类产品我们已经大批量提供，TEA1620，TEA1622，TEA1623，TEA1520，TEA1521，TEA1522，TEA1523，TEA1524。
问：为了安全可靠，功率MOSFET的应用参数与额定参数应有多大的富余量?
答：通常的余量是 20% ~ 40%。
问：SO-8封装的MOS，如果没有足够的PCB用来散热，采用MOS并联的方法应注意什么？
答：请注意选用同型号，同公司的产品。驱动线路完全相同即可。
问：开关时间引起的器件本身功耗问题？
答：显然，开关时间越短越好，尽量不要让器件工作在线性区。
问：请问在设计笔记本Vcore电源时，选择MOS的哪些重要参数，来避免60A电流直接灌进后端负载，从而烧坏北桥呢？
答：Rds(on)，Qgd and Vgs(th)。
问：飞利浦有否低阻值的MOS，要求大电流，表贴，相关参数？
答：PHB101NQ03LT
D2-PAK 30V 75A
PHB160N03T
D2-PAK 30V 75A
问：哪一种封装的电流能力与封装尺寸之比最高?
答：LFPAK。
问：MOSFET在空载时应如何处理才比较合适？
答：在空载时，较重要的影响是控制和反馈信号回路。
问：设计一个电路时如何考虑功率元件在线路中的匹配？
答：1)有多少组电流回路，每个回路有多少个MOSFET。
2)在高端要考虑Qgd， 低端要考虑Rds(on)。
3)你的电路适合什么封装。
问：请问功率MOS管烧毁的条件与其Vgs电压过低有关吗？另外，能否告知一般MOS管的ESD电压为多大？
答： 实际上，MOSFET 有 VDS损坏和/ VGS 损坏。MOSFET 的ESD电压一般在几百伏的量级。
问：要增加输出功率，能否把MOSFET并联使用?如何选择这两种MOSFET?驱动时有何要注意的地方?
答：能。选择同一品牌的同型号MOSFET ，选择能直接触发MOSFET的驱动电路。
问：功率MOSFET能否用在D类放大器?对MOSFET有何特别的要求?
答：当然可以。电压应大于110V。
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