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高性能低价位的高压功率MOSFET
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意法半导体公司日前发布了三个N沟道功率MOSFET，STL5NK65Z、STP13NK60Z 和STP14NK50Z采用ST
SuperMesh技术，具有高速、高效、高强度和低成本的特点。
STL5NK652是一个典型导通电阻为1，500m的650V器件；STP13NK60Z 是典型导通电阻为460m的600V器件；而STP14NK50Z是一个典型导通电阻为330m的500V器件。这三个器件可全部直接用于脱机和开关电源、适配器、功率因数校正器、灯镇流器、高密度放电灯。
这三个MOSFET具有优异的雪崩特性。STL5NK65Z 采用新型PowerFLAT封装，而STP13NK60Z和STP14NK50Z则采用D2PAK和TO-220
封装。
http://www.st.com
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