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全新英特尔凌动平台系统芯片（SoC）

时间：2010-11-29 14:32:47 来源：bwin客户端

“在2010年春季英特尔信息技术峰会上，英特尔公司副总裁兼嵌入式与通讯事业部总经理道格拉斯·戴维斯(Douglas Davis) 在其演讲中首次披露了英特尔第一款基于凌动平台设计的系统芯片（SoC，System on a chip）产品；在美国旧金山举行的英特尔信息技术峰会上，英特尔正式推出了该款英特尔®凌动™ E600系列系统芯片（SoC）。

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在2010年春季英特尔信息技术峰会上，英特尔公司副总裁兼嵌入式与通讯事业部总经理道格拉斯·戴维斯(Douglas Davis) 在其演讲中首次披露了英特尔第一款基于凌动平台设计的系统芯片（SoC，System on a chip）产品；在美国旧金山举行的英特尔信息技术峰会上，英特尔正式推出了该款英特尔®凌动™ E600系列系统芯片（SoC）。

作为专门面向IVI等嵌入式应用设计的英特尔®凌动™E600系列，采用标准的处理器互连接口。这一高度集成的SoC在一个芯片中集成了英特尔凌动处理器内核、内存控制器中枢、图形引擎和视频引擎，并将首次允许设备厂商开发与PCI Express*兼容的设备，使该设备直接与芯片相连，从而让嵌入式应用更加灵活自如。高度集成的单芯片解决方案所带来的灵活性，有助于在嵌入式应用中降低材料消耗，节省板卡空间。

通过以上技术上的革新，新一代英特尔® 凌动™平台将具有以下几个特点：

平台灵活性       采用单芯片设计的英特尔凌动平台不仅将南北桥完美融合，同时还在芯片及芯片组上集成了包括显示控制，视频控制，内存控制器，高清视频等多项组件，在最小的设计面积上实现了功能的最优化。

降低物料成本   在单一平台上集成了更多功能，并且支持标准行业PCI Express结构，这样一步到位的设计不仅可以减少系统的设计体积，同时也减少了设计所需物料。此外，更多BIOS供应商以及BLDK（Boot Loader Development Kit）的支持，也可以减少软件设计的成本。

提高性能密度   与前代产品相比，新一代凌动平台将图形处理速度提升了50%左右，而设计尺寸却减少了50%，极大地提高了单位面积上的性能密度。

英特尔® 凌动™ E600系列	主频	热设计功耗	温度范围	封装
英特尔® 凌动™ 处理器E680T	1.6 GHz	3.9瓦	工业温度-40至+85˚ C	676球FCBGA22x22mm
英特尔® 凌动™ 处理器E680	1.6 GHz	3.9瓦	商业温度0至+70˚ C	676球FCBGA22x22mm
英特尔® 凌动™ 处理器E660T	1.3 GHz	3.3瓦	工业温度-40 至 +85˚ C	676球FCBGA22x22mm
英特尔® 凌动™ 处理器E660	1.3 GHz	3.3瓦	商业温度0 to +70˚ C	676球FCBGA22x22mm
英特尔® 凌动™ 处理器E640T	1.0 GHz	3.3瓦	工业温度-40 至 +85˚ C	676球FCBGA22x22mm
英特尔® 凌动™ 处理器E640	1.0 GHz	3.3瓦	商业温度0至+70˚ C	676球FCBGA22x22mm
英特尔® 凌动™ 处理器E620T	0.6 GHz	2.7瓦	工业温度-40 至 +85˚ C	676球FCBGA22x22mm
英特尔® 凌动™ 处理器E620	0.6 GHz	2.7瓦	商业温度0至+70˚ C	676球FCBGA22x22mm

产品名称	热设计功耗	温度范围	封装
英特尔®平台控制单元EG20T	1.55瓦	工业温度-40 至 +85˚ C	376球PBGA23x23mm

目前，英特尔还面向嵌入式市场推出以下几款凌动处理器：

处理器	缓存	时钟频率	总线速度	核数	总设计功耗
N270	512 KB L2	1.6 GHz	533 MHz FSB	1	2.5 W
N450	512 KB L2	1.66 GHz	DMI	1	5.5 W
D510	1 MB L2	1.66 GHz	DMI	2	13 W
D410	512 KB L2	1.66 GHz	DMI	1	10 W
Z530P	512 KB L2	1.6 GHz	533 MHz FSB	1	2.2 W
Z530	512 KB L2	1.6 GHz	533 MHz FSB	1	2 W
Z520PT	512 KB L2	1.33 GHz	533 MHz FSB	1	2.2 W
Z510PT	512 KB L2	1.1 GHz	400 MHz FSB	1	2.2 W
Z510P	512 KB L2	1.1 GHz	400 MHz FSB	1	2.2 W

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