集成FRAM的MCU为物联网应用带来出色性能

近日，德州仪器推出了集成FRAM的MCU——MSP430系列新品，由于在MCU上集成了铁电存储器，该产品数据写入速度比基于闪存和EEPROM的MCU快100倍，功耗降低250倍。它还可在所有的电源模式中提供数据保存功能、支持超过100万亿次的写入次数、并为开发人员提供了一个全新的灵活度（允许其通过软件变更来完成数据内存与程序内存的分区）。

FRAM铁电存储器相比SRAM、FLASH和EEPROM优点多多：非易失性，写入速度快，无限次写入，最关键是用一个FRAM可取代原MCU需配置的2~3个不同的存储器，统一的存储器架构使用户在成本和灵活性上获益。

TI MSP430中国区业务拓展经理刁勇先生称，这种集成FRAM的MCU是TI特别为物联网，特别是传感器网应用而研发。传感器网部署多在室外或野外，电源条件差，因此功耗要求苛刻，最好能一块电池支持设备整个生命周期，或能从外界采集能量。此外，实时采集到的更多数据要求内存擦写次数更多，对flash的寿命是个挑战。而铁电读写速度比闪存提升100倍，而功耗节省250倍。

刁勇举了一个应用实例，国外超市为节省人工成本，商品普遍采用电子标签，通过一个传感器网络自动更新价格等信息，这种应用如采用集成FRAM的MCU方案，就能大大节省功耗并延长设备寿命。统一的存储器也简化了供应链管理，降低采购成本。

该新产品首个系列有4/8/16kB三个版本，采用的是16位RISC MCU架构，未来还会推出基于ARM架构的产品系列。与此同时，TI在工具、软件和系统解决方案方面提供全面支持，包括开发板套件、RF产品库、兼容的硬件模块以及设计工具、参考设计及完整的生态系统支持等。

刁勇还介绍到，铁电厂商RAMTRON是TI多年合作伙伴，之所以现在推出集成FRAM的MCU新产品也是技术成熟度和市场需求汇聚到了一个合适的时间点。也就是说，一方面铁电技术不断改进成熟，另一方面物联网的兴起带来了市场需求。

在MCU上集成铁电存储器是存在一定难度的，刁勇谈到，首先制程工艺上，MSP430工艺较旧，而铁电工艺新，这个转移和适应需要很多开发工作；其次铁电本身工艺成熟度也在不断进步中，也存在一定的不足，比如铁电高温时（260℃）会丢失数据，在生产时需要特别注意。(记者：胥京宇)