[bwin中国可以用吗? ]UltraCMOS Global 1可重构射频前端将促成单一平台设计

LTE设备市场的迅速增长对射频前端的性能提出了前所未有的要求。为了满足40个以上频段和运行状态数目可能增加5000倍以上的需要，产业界现在需要可重新配置、可调谐的射频前端。Peregrine半导体公司首个可重构射频前端UltraCMOS Global1产品将满足在LTE市场的这一新需求。由于在一块芯片上集成了射频前端（RFFE）的所有元件，UltraCMOS Global 1是单一平台的设计，能够在全球各个地区运作。该系统包括首款LTE CMOS功率放大器（PA），其性能可与砷化镓（GaAs）技术功率放大器持平。此外，UltraCMOS Global 1功率放大器提供宽频带功放通道，支持中国的TDD-LTE技术网络。

UltraCMOS Global 1可重构系统

UltraCMOS Global 1是一种易于使用的数字控制射频前端，适用于一切模式和频段，隔离性能好，解决了互操作问题。它可以扩展，轻而易举地支持更多的频段，而且开关损耗小，可调谐。UltraCMOS 10采用先进的CMOS工艺，它利用射频SOI基片，比起同类的解决方案，在性能方面提高了50％。UltraCMOS Global 1就是在这个技术平台上制造而成的。

UltraCMOS Global 1在一块芯片上把Peregrine半导体的射频开关和调谐器紧密无间地与CMOS功率放大器集成在一起，包含：

• 3路MMMB功率放大器，置于功放之后的开关，天 线开关和天线调谐器；

• 支持包络跟踪；

• 通用射频前端MIPI接口。

UltraCMOS Global 1对于整个无线生态系统是有利的。平台提供商和原始设备制造商（OEM）可以建立一个单一的平台设计，面向全球市场，从而加快产品上市时间。消费者可以得到更长的电池寿命，更好的接收效果，更快的数据传输速率和更广阔的漫游范围。最后，使用性能改进了的射频前端，可以扩大覆盖范围并减少掉线，无线运营商可以降低他们在网络上的资本投入。

据悉，UltraCMOS Global 1射频前端系统的平台整合将在2014年完成，将在2015年后期投入大批量生产。

UltraCMOS Global 1性能优势

UltraCMOS Global 1采用LTE CMOS功率放大器，它的性能与砷化镓功率放大器相同。在相邻信道泄漏比（ACLR）为-38dBc的情况下，使用WCDMA（语音）波形，UltraCMOS Global 1功放的PAE（功率附加效率）性能接近50％。这个性能与领先的GaAs功放的性能在同一个水平，将效率提高了33％。此外，对于LTE波形，在不同资源块分配的情况下，UltraCMOS Global 1功放的PAE性能与GaAs功放相当。达到这个水平性能，并不需要增强包络跟踪，也不需要数字预失真，在CMOS功放与砷化镓功放进行性能对比测试时，往往加强包络跟踪，并使用数字预失真。

“Peregrine半导体公司的UltraCMOS Global 1功放在市场上掀起了轩然大波，它将加速功放前端市场从砷化镓技术过渡到CMOS功率放大器。”Strategy Analytics公司射频和无线元件总监Christopher Taylor说。“在2014年世界移动通信大会上进行的演示中，在所有功率电平上，Peregrine半导体的UltraCMOS Global 1功率放大器与具有领先优势的砷化镓功放显然不相伯仲，在此基础上，由于CMOS的集成能力，Peregrine半导体的功放具有更强的灵活性。”

支持TDD-LTE网络

在中国，近期得到牌照的TDD-LTE网络已经在2.3GHz至2.7GHz频率范围增加了对频带的要求。UltraCMOSGlobal 1功放提供宽频带功放的通路，支持这个频率范围。

“Peregrine致力为大中华地区市场服务。”Peregrine半导体公司行政总监Jim Cable说。“为了更好地为我们的客户服务，我们在最近扩大了我们在中国的办事处，包括设立新的实验室设施以及其他技术资源。今天，我们推出UltraCMOS Global 1射频前端（RFFE）解决方案，以满足TDD-LTE网络的需要。”

图1 UltraCMOS Global 1在一块芯片上集成了多模式、多频带功率放大器，以及置于功放之后的开关，天线开关和天线调谐器等。