数字消费用32兆位双存储区可分区闪存

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时间：2002-08-08 13:58:00 来源：bwin客户端

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7月3日讯，意法半导体(STM) 推出了该公司第一款双存储区工业标准闪存：M29DW323D 和M29DW324D。新器件的推出进一步丰富了ST公司已经很完整的M29系列闪存的产品组合。新产品十分适合机顶盒、数码相机、MP3唱机、蜂窝电话和其它数字消费应用。

这个存储器的体系结构是一个8参数的阵列和63个主区块； M29DW323D的存储结构分为两个分别是8兆位和24兆位的存储区，M29DW324D的两个存储区都是16兆位。双存储区操作模式允许在一个区上读取数据的同时在另一个区上写入或擦除数据。器件可以更换，因为引导模块位于存储器地址空间的顶部或底部。

这些32兆位3V闪存都是按照4兆位x8位或2兆位x16位组成，并含有一个引导块。在与参数块相同的地址空间内，这两个新器件还有一个额外的64千字节扩展存储块，并能够以扩展块模式进行读取和编程操作。通过一个块保护命令可以对扩展块施加保护，因此，扩展块可用于存储安全性数据，为需要有一个对终端用户锁定的存储区的所有应用(客户的配置数据)提供额外的保护功能。

器件进行编程、擦除和读取操作需要一个2.7 到 3.6V单核心电源电压，快速编程模式需用一个12V电源，每次可编程两字(4字节)，典型编程时间10us，每字节/字。

M29DW323D 和 M29DW324D采用0.15um技术设计，封装采用TSOP48 (12x20mm) 和TFBGA63 (7x11mm, 0.8mm 间距)，工作温度范围-40度到 +85度，存取时间70ns 和 90ns。两个器件都兼容通用闪存接口和JEDEC标准。

存储产品部副总裁Giuseppe Crisenza说："这两款产品是目前市场上能够见到的尺寸最小的32兆位标准闪存。"下图为产品外形图。详情访问网站： www.st.com/flash

2002.08.08

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