SE2576L：无线LAN功率放大器模块

SiGe半导体公司现推出2GHz无线LAN功率放大器(PA)模块。型号为SE2576L的全新IEEE802.11bgn器件，是尺寸小且效率高的功率放大器，发射功率为26dBm。SE2576L主要针对需要大射频(RF)发射功率的网络应用，如家庭影院或数据传输、企业和室外网络，以及公共上网热点，能够提供完整的覆盖范围和更高的链路预算，实现更快速、更高效的数据传输。

大功率WLAN连接性面对的挑战是RF PA，当PA在较高RF功率级下工作一段时间后，PA本身的温度往往会升高。随着PA温度的上升，它保持所需RF功率级的能力便会下降，这又促使PA控制环路提高RF功率，从而导致PA工作温度进一步上升。PA温度上升除了会降低RF 功率之外，还会减低线性度性能，最终破坏传输数据，并在WiFi频率信道附近产生干扰。

SE2576L采用硅锗工艺制造，该技术与标准硅工艺基本相同，热导性达到了砷化镓(GaAs)器件的三倍。SE2576L集成了输入匹配电路和外部输出匹配电路，可以针对5V、26dBm的工作条件调节负载线，从而帮助SiGe半导体的客户简化设计、加快上市速度，并提高产品良率。

SE2576L内置有采用温度补偿的对负载不敏感的功率检测器，动态范围为20dB，在天线端3:1失配条件下，变化小于1.2dB。SE2576L综合了功率检测器功能和硅锗技术固有散热优势，可在极端温度下保持稳定的性能，适合需要特别注意自身变热问题的大功率应用。新型WLAN PA还带有数字激活控制功能，并集成了一个参考电压发生器，其典型功率斜坡上升/下降时间为0.5μs。

SE2576L的占位面积和应用板设计与SiGe半导体2GHz大功率WLAN PA系列中的其它器件相同，使得终端用户可以共享通用电路板设计，并为每款产品选择最佳的PA。SE2576L采用符合RoHS指令的无卤素、小引脚、16脚3mm x 3mm x 0.9mmQFN封装。这种低侧高封装非常易于集成进WLAN模块中。

SE2576L产品特性

• 双模IEEE802.11b，IEEE802.11g，IEEE802.11n；

• 26dBm，EVM=3%，802.11g，OFDM54Mbps；

• 29dBm，ACPR<-32dBc，802.11b；

• 高集成PA，输入匹配电路，2.8V参考电压发生器；

• 内置温度补偿的对负载不敏感的功率检测器；

• 无铅，符合RoHS指令及无卤素；

• 16引脚3mmx3mmx0.9mmQFN封装。

详情见：www.sige.com

SE2576L功能框图



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