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↓在 论坛帖子 中搜索到 988 条关于“DRAM”的信息，用时:0.004 sec.

--BBS主题帖: 嵌入式设备上的 Linux 系统开发 2006-05-28

如果您刚接触嵌入式开发，那么大量可用的引导装载程序（bootloader）、规模缩小的分发版（distribution）、文件系统和 GUI 看起来可能太多了。但是这些丰富的选项实际上是一种恩赐，允许您调整开发或用户环境以完全符合您的需要。对 Linux 嵌入式开发的概述将帮助您理解所有这些选项。Linux 正在嵌入式...

--BBS主题帖: arm初始化 2006-05-26

Cache的初始化 ARM9的BSP，在romInit()函数里对cache进行的操作为： 1.设置几个cache区； 2.flush caches(通过以下代码实现： LDR R0,=0x00000000 MCR p15,0,R0,c7,c5,0 MCR p15,0,R0,c7,c6,0 ) 问题： 1.flush cache是什么意思？ 2.在romInit()函数里一般对cache进行的操作是什么？ 1.flush cache是什...

--BBS回帖(查看原帖) 2006-05-19

产品名称：ZJUDVK-9200-I型嵌入式开发板产品价格：特点 YFDVK-9200-I型嵌入式开发板是针对AT91RM9200的一款高性能开发平台，系统运行在180M的主频下发挥出色的性能，可以完成MP3、MPG、VOIP等工作。产品应用 ●开发板资源丰富,非常适合于各高等院校/科研单位/ARM处理器的爱好初学者学习使用。 ● ...

--BBS回帖(查看原帖) 2006-05-12

1.3 PC_BASE PC_BASE刚出现时也是在工控界引起了很大的反响，那个时代的控制器都是相当贵的，我记得当时一块西屋公司WDPF控制系统的250M硬盘卖5万块，而PC硬件的低成本对于大家来说是相当大的吸引力。当时的工程师分为两派，一派认为PC是为商用开发的，控制界只能吸收其有用的技术，而另一派认为PC技...

--BBS主题帖: DSP设计：是选serial EEPROM还是Flash memory？ 2006-04-25

In many designs, the system requirements call for programmable non-volatile memory for data storage; a bootstrap device for a microcontroller or DSP; or a configuration memory device for a FPGA. Depending on your application, the type of memory you select can vary from design to ...

--BBS主题帖: [求助]sopc中使用pci complier 问题 2006-04-23

小弟正在做一块板子，使用Altera的stratix II 实现niosII cpu 及pci 接口，我在sopc bilder中加入cpu,dram,dma,pci complier 等相关组件，pci complier参数设置如下：pci master/slave peripheral,66MHZ,32bit pci bus等，bar0为32bit prefetchable memory,将bar0与128KB的on_chip dram 对应，其...

--BBS主题帖: 求助：关于pci complier 的问题 2006-04-23

小弟正在做一块板子，使用Altera的stratix II 实现niosII cpu 及pci 接口，我在sopc bilder中加入cpu,dram,dma,pci complier 等相关组件，pci complier参数设置如下：pci master/slave peripheral,66MHZ,32bit pci bus等，bar0为32bit prefetchable memory,将bar0与128KB的on_chip dram 对...

--BBS回帖(查看原帖) 2006-04-22

14．什么是EDO DRAM？英文全称是Extended Data Out DRAM 。EDO的存取速度比传统DRAM快10%左右，比FPM快12到30倍一般为72PIN、168PIN的模块。 EDO DRAM采用一种特殊的内存读出电路控制逻辑，在读写一个地址单元时，同时启动下一个连续地址单元的读写周期。从而节省了重选地址的时间，使存储总线...

--BBS回帖(查看原帖) 2006-04-22

27．什么是内存CAS的延迟时间？所谓CAS延迟时间，就是指内存纵向地址脉冲的反应时间。CAS延迟时间是在一定频率下衡量支持不同规范内存的重要标志之一。在Intel公司的PC100内存技术白皮书中指出： “符合PC100标准的内存芯片应该以CAS Latency（以下简称CL）= 2的情况稳定工作在100MHZ的频率下。...

--BBS主题帖: 关于内存的一些术语 2006-04-22

1．何为内存模块 (Memory Module)？内存模块是指一个印刷电路板表面上有镶嵌数个记忆体芯片chips，而这内存芯片通常是DRAM芯片，但近来系统设计也有使用快取隐藏式芯片镶嵌在内存模块上内存模块是安装在PC 的主机板上的专用插槽(Slot)上镶嵌在Module上DRAM芯片(chips)的数量和个别...

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