关键词:TPL7407L NMOS驱动器 NMOS晶体管阵列
时间:2014-08-29 09:15:25 来源:bwin客户端
TI公司的TPL7407L是七路高压大电路NMOS晶体管阵列,每路输出电流高达600mA,输出电压40V,输出漏电流小于10nA,控制逻辑1.8V~5.0V。主要用于混合电力汽车电池管理、电动汽车充电器、马达控制、太阳能逆变器、家用电器、打印机、示波器、通信/服务器电源等。
TPL7407L是一种高电压、大电流NMOS晶体管阵列。这种装置由七个NMOS晶体管组成,具有高电压输出与普通阴极钳位二极管,用于感应负载开关。单个NMOS通道的最大漏极电流额定值为600mA。其新的调节和驱动电路使得所有的GPIO(1.8V~5.0V)获得了较大化的能量,该晶体管可以并联以获得更高的电流。
TPL7407L的主要优点是其改进的功率效率,以及其泄漏比双极达林顿更低。其较低的VOL,使其电能损失不到传统继电器驱动器的一半,每通道电流小于250mA。
表1 评估板TPL7407LEVM主要指标
图1 TPL7407L简化电路图
TPL7407L主要特性
• 600mA额定漏极电流(每通道)
• 7通道达林顿阵列的CMOS引脚至引脚的改进(如ULN2003A)
•高电源效率(非常低VOL)
•在100mA时,VOL比达林顿阵列小4倍
•非常低的输出漏电流<10nA每通道
•扩展的环境温度范围:
图2 TPL7407L步进马达驱动电路图
TA=-40℃~125℃
•高电压输出40V
•兼容1.8V~5.0V微控制器和逻辑接口
•内部续流二极管的电感反冲保护
•输入下拉电阻器允许三态输入驱动器
•输入RC缓冲器,以消除嘈杂环境时的误操作
•感应负载驱动器应用
• ESD保护,超过JESD22
• 2kV HBM,500V CDM
• 16-pin SOIC和TSSOP封装
TPL7407L主要应用
•电池管理:高电池数用于HEV
• EV HEV充电器:3级
•电机控制:AC感应
•电机控制:无刷直流
•电机控制:永磁
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