我们将介绍氮化镓(GaN)相较于砷化镓(GaAs) IC技术的一些优势，并探讨在裸片、表贴和机械连接方面从GaAs转向GaN功率放大器实施中存在的一些挑战。挑战将包括组装、热管理和直流偏置考虑因素。我们将展示ADI解决方案如何用于克服这些挑战。
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Sean McBride 高级应用工程师 |
Sean于1996年获得马萨诸塞大学安姆斯特分校物理学学士学位。从此之后，他在RF/微波半导体公司先后担任过多种职位，包括ADI公司、Peregrine Semiconductor、IDT、恩智浦的产品工程师以及Hittite Microwave应用工程师。 |
Analog Devices, Inc. （NASDAQ: ADI）在现代数字经济的中心发挥重要作用，凭借其种类丰富的模拟与混合信号、电源管理、RF、数字与传感技术，将现实世界的现象转化成有行动意义的洞察。ADI服务于全球12.5万家客户，在工业、通信、汽车与消费市场提供超过7.5万种产品。公司总部位于马萨诸塞州威明顿市。更多信息请访问： www.analog.com/cn 。
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