|
当前状态:
座谈已结束
|
|||
| 主题：瑞萨高效器件–用于电源的功率MOSFETs及集成解决方案 | ||
| 在线问答： | ||
| [主持人：ChinaECNet] | 各位听众（网友），上午好！欢迎参加中电网在线座谈。今天，我们有幸邀请到Renesas公司的专家就“瑞萨高效器件–用于电源的功率MOSFETs 及集成解决方案”举行在线座谈。在座谈中，您可就您关心的问题与Renesas公司的专家在线进行直接、实时的对话交流。中电网衷心希望通过大家的共同努力，不仅能够增进各位听众（网友）对“瑞萨高效器件–用于电源的功率MOSFETs 及集成解决方案”的了解和掌握，而且能够为大家事业的发展带来裨益。 | [2008-12-16 10:14:36] |
| [主持人：ChinaECNet] | 我们已经进入问答阶段如果听众想重温演讲或内容可以点击下面“回顾演示”重看演讲。 | [2008-12-16 10:47:26] |
| [问：hujitust] | 在应用功率MOSFET进行DC/DC转换器设计时，有什么方法可以尽量地降低电力损耗？ | |
| [答：Cindy] | 选择Qg, Rds(on), Qgd值相对较小的性能好的场效应管。 | [2008-12-16 10:49:30] |
| [问：hnzhengshasha] | 能否详细介绍Renesas的MOSFET的热特性和保护性能?不加散热器的最大耗散功能目前能达到多高? | |
| [答：Kyoichi] | It"s depend on PKG by PKG, for your exsample, the thermal resistance : WPAK(RJK0348DPA) is around 55degC/W by using FR4 PCB, TO-3P is 42 degC/W, TO-220 is 83degC/W without hear sink condition. | [2008-12-16 10:51:30] |
| [问：zzyjg] | Trr,Ciss,Qg，这些参数都对功率MOSFET有影响吗，哪个最重要？ | |
| [答：Cindy] | Qg和Rds(on)这两个参数是衡量一个MOSFET比较重要的有代表性的参数 | [2008-12-16 10:52:05] |
| [问：iketty] | 很多认为，P-沟道功率MOSFETs与N-沟道器件相比具有明显的优势。 你们对这个问题是如何看得？也就是你们为什么采用N-沟道 | |
| [答：Ricky] | P channel MOS and N channel MOS is almost same. The different is the driving voltage. P channel is -ve driving voltage , and N channel is +ve drving volatge.. In the market, N channel MOS is more common and price is cheaper than P channel MOS. | [2008-12-16 10:57:04] |
| [问：hongfz] | 为避免MOSFET被烧毁，在使用时应注意哪些问题？ | |
| [答：Cindy] | 请不要进行Vgss的测量，击穿时会产生负电阻特性，有可能引起震荡并损坏器件。 | [2008-12-16 10:58:20] |
| [问：bowei181] | 最高工作频率能达到多少？工作频率与转换效率有什么关系？ | |
| [答：Ricky] | Our MOSFET Switching freq can up 1MHz. Switching loss will incerase if the switching frq is up. | [2008-12-16 11:00:56] |
| [问：zhang6199] | 倒置式封装LFPAK有何特点？ | |
| [答：Ricky] | Our LFPAK-i package is good on thermal and easy to mount the heat sink on the device top. | [2008-12-16 11:03:03] |
| [问：hnzhengshasha] | Renesas的MOSFET的EMI性能和噪音特性如何?抗干扰能力如何?是否要作特别处理? | |
| [答：Cindy] | 这些都决定于开关频率和PCB LAYOUT，瑞萨有些MOSFET集成肖特基二极管，对纹波电压的减小很有好处。 | [2008-12-16 11:03:20] |
| [问：hnzhengshasha] | MOSFET的性能好坏对于电源很重要，贵公司的MOSFET对于其他公司的产品有何优势？ | |
| [答：Kyoichi] | For your example, the important parameter of the DC/DC converter(VR) is that hi-side MOSFET is lower RDS(on), lower Qgd and Rg, Lo-side MOSFET is lower RDS(on) and Qg. The advantage of Renesas MOSFET(JET) is lower RDS(on).Qgd and lower RDS(on).Qg than competitors. So it shoud be achieving high efficiency. | [2008-12-16 11:04:33] |
| [问：hujitust] | 请教专家，选用Power MOSFET，除了最大耐压、最大电流能力及导通电阻外，还有什么其他在实际应用时需要注意的参数？谢谢 | |
| [答：Ricky] | Depend on your application. e.g For the portable power, the leakage current and low driving voltage is important. My commets : Package, BVdss, Rds(on), Qg, Driving voltage, than price. | [2008-12-16 11:07:50] |
| [问：kennytester] | 在做PWM的开关电源时,选用MOS器件作为开关管时主要需要关注它的哪些性能? | |
| [答：Ricky] | MOSFET"s BVDss, Rds(on), Qg, Eas, driving volatge, Package | [2008-12-16 11:09:13] |
| [问：hujitust] | 对Power MOSFET而言，功率损耗都与哪些因素有关，瑞萨在降低功率损耗上都有什么技术特点呢？ | |
| [答：Cindy] | 功率损耗主要和Qg,Qgd,RDS(on)这几个参数有关，瑞萨的产品的导向是尽量减小这几个参数来降低MOSFET的功率损耗，而且瑞萨的LFPAK封装的Lead frame和Die是用金球压在一起的，这样使得寄生电感比较小所以开关损耗相对较小。 | [2008-12-16 11:12:10] |
| [问：liushangqing] | 什么是软开关技术?Renesas有这方面的产品吗? | |
| [答：Ricky] | We have soft start function PWM controller and PFC IC. | [2008-12-16 11:13:28] |
| [问：iketty] | 功率MOSFET用作锂离子电池电源管理开关时，最重要的参数是漏-源之间的导通电阻RDS(on)，能结合具体器件说一下，以及与同类厂商的比较 | |
| [答：Kyoichi] | Yes, RDS(on) is most important parameter in this Li+Ion battery application. The other is low gate drive like a logic level drive and smaller PKG solution. Currentry P-channel MOSFET is major use but recentry N-channel MOSFET is increasing. Renesas is line up both of them. | [2008-12-16 11:14:42] |
| [问：zhang6199] | 双沟道操作的跟踪启动是何技术？ | |
| [答：Cindy] | 这是我们一个SIP的产品及把control IC,上下MOS管集成在一起的一颗IC，只要加上电感和电容就可以了，使用起来很方便 | [2008-12-16 11:16:26] |
| [问：liguang169] | 功率MOSFET多个并联使用，如果要增加输出电流,是否需要设均流电阻？ | |
| [答：Kyoichi] | Bacially MOSFET no need resistor when you use pararel operation. | [2008-12-16 11:18:56] |
| [问：PETERZHOU] | 贵公司的MOSFET的温度特性如何? 对温漂能进行自动补偿吗? 谢谢 | |
| [答：Ricky] | We have different power pak package - e.g WPAK, LFPAK, and LFPAK -i. All those power pak with better thermal charaterics. Our discrete MOSFET don"t have thermal protection. | [2008-12-16 11:19:50] |
| [问：hnzhengshasha] | 请问MOSFET和IGBT相比，哪个更有前途？MOSFET相比IGBT有什么突出的优点？ | |
| [答：Ricky] | It depend on your application. If you need high switching, like 100KHz or more, of course MOSFET will be better. If you need high current application, like 50A or more, IGBT will be better. | [2008-12-16 11:23:30] |
| [问：niuniuniu2020] | DC/DC中功率器件在开关瞬间中总会产生比较高的尖脉冲，请问如何消除？ | |
| [答：Cindy] | 在下管并一个肖特基二极管 | [2008-12-16 11:24:29] |
| [问：iketty] | 对于用于大功率级的交流适配器，就高端的笔记本电脑来说，其功率高达90 150W。这种情形下，高的转换效率是非常重要的。能否推荐几款用于这种情况的MOSFETs | |
| [答：Ricky] | RJK6014DPP, It is 600V,16A,TO22OF or RJK6013DPP, It is 600V,11A,TO220F | [2008-12-16 11:26:47] |
| [问：hzchem] | 请问如下参数的n沟mosfet VDS=30V,ID=2A,功率约小约好，应选什么类型产品比较好？ | |
| [答：Ricky] | HIT0302MP - SOT23 package, 30V,2.7A | [2008-12-16 11:30:00] |
| [问：zzyjg] | 您刚才介绍到LFPAK封装，请问这种先进的封装方式，在大幅提高性能的同时，是否会有散热方面的问题（毕竟体积尺寸越来越小了）？ | |
| [答：Cindy] | 我们的LFPAK和WPAK和SOP-8都是Pin to Pin兼容的封装，这中封装在一些高密度的产品中是不二的选择，这种封装是依靠PCB来散热的，如果你想要散热更好的产品可以选择我们LFPAK-I封装，那种封装是把铜皮放在上面的可以加散热器。 | [2008-12-16 11:30:50] |
| [问：niuniuniu2020] | DC/DC 变换时,电感经常会自激,发出噪音,需要在设计时候注意什么? | |
| [答：Kyoichi] | For your example DC-DC Voltage regurator using Hi-side MOS and Lo-side MOS, 1. Hi-side turn-on time will dely to do adjusting increase Rg. 2. To use Lo-side MOSFET built in SBD type between Drain and Souce. Renesas has line-up such kind of devices. 3. To connect external C-R smubber Lo-side MOSFET between Dain and source. | [2008-12-16 11:32:22] |
| [问：niuniuniu2020] | 如何在DC/DC设计中降低功率器件开关时振荡干扰？ | |
| [答：Cindy] | 外加门极电阻延迟开关速度 | [2008-12-16 11:35:39] |
| [问：yang457] | 能推荐几款体积较小，小于或一样TO-220,VDS大于300V,RDS(ON)小于0.07欧的N沟道及P沟道MOSFET？ | |
| [答：Ricky] | We don"t have right product to meet your requirment.Sorry! | [2008-12-16 11:36:11] |
| [问：iketty] | 对于高端的电源充电器也即转换充电器应用，要求功率MOSFET具有什么特点 | |
| [答：Cindy] | 选择一些损耗比较小,Thermal 比较好一点的mosfet | [2008-12-16 11:40:04] |
| [问：zhz-141] | MOSFET如何进行测量，判断其性能？ | |
| [答：Ricky] | To go through the MOSFET product specification. | [2008-12-16 11:40:17] |
| [问：xjiec] | 如何降低开关电源中所产生的尖峰电压对MOSFET的损坏? | |
| [答：Cindy] | 并联一个肖特基二极管 | [2008-12-16 11:42:12] |
| [问：xjiec] | Renesas的功率MOSFET的封装有那几种?从性能和成本上说,那种最佳? | |
| [答：Cindy] | Renesas的功率MOSFET什么封装都有，贴片的/插件的都有，现在主推的就是我们刚才介绍的WPAK/LFPAK封装，在性能上说LFPAK相对比较好，在成本上说WPAK会比较好，当然这也只是个大概的比较，具体的案例要具体分析 | [2008-12-16 11:44:37] |
| [问：liuxiaoli] | 同样功率输出时，MOSFET与双极晶体管比较各有何特点？ | |
| [答：Ricky] | MOSFET will be better in eff and poor in EMI BJT will be poor in eff and better in EMI. | [2008-12-16 11:45:20] |
| [问：hnzhengshasha] | 请问功率MOS管烧毁的条件与其Vgs电压过低有关？另外，能否告知一般MOS管的ESD电压为多大？ | |
| [答：Kyoichi] | Q1 : If Vgs is uder drive condition, MOSFET can not to reach saturation Turn-On level ( can not reach Ron level ). It means power disspation more than increacing. So some time MOSFET will be broken. Q2 : ESD level is different device by device. | [2008-12-16 11:46:48] |
| [主持人：ChinaECNet] | 各位观众，现在用户提问很踊跃，专家正在逐一回答。请耐心等待您问题的答案，同一问题请不要多次提交。 | [2008-12-16 11:47:57] |
| [问：xjiec] | Trr,Ciss,Qg是影响管子开关速度的重要参数，请问瑞萨的器件有何优势？ | |
| [答：Cindy] | 瑞萨在不停地设计这些参数比较小的管子，我们LFPAK封装的关系开关性能相对比较好因为工艺的问题 | [2008-12-16 11:49:45] |
| [问：xjiec] | MOSFET的漏极电流Id和最大充电电流间应有多大的富余量? | |
| [答：Cindy] | 取决于你的输入输出电压，开关频率，输出电流 | [2008-12-16 11:55:03] |
| [问：cdwangxiuying] | 请问贵公司的DC/DC电源管理芯片能否并联使用，最多可并联多少路？ | |
| [答：Ricky] | For our POL-SIP - R2J20701 can make two pcs in parallel. Output current is around 70A | [2008-12-16 11:55:17] |
| [主持人：ChinaECNet] | 所有问题均已提交给Renesas公司的专家。座谈期间未回答的问题，Renesas公司专家也会逐一回答，并在中电网上公布，请大家注意收看。 | [2008-12-16 11:56:55] |
| [主持人：ChinaECNet] | 由于时间关系，本次中电网“在线座谈”马上就要结束了。虽然各位听众（网友）已与Renesas公司的专家讨论了许多问题，但是还有许多提问没有来得及进行交流。本次在线座谈结束后，中电网将请Renesas公司的专家继续答复所有的来自各位听众（网友）的提问，然后整理上载到中电网网站上，以便大家查阅。 | [2008-12-16 11:57:15] |
| [问：bevin yang] | 请问：HITJ0302MP与HITK0302MP有什么区别？ | |
| [答：Ricky] | HITJ0302MP is P channel MOSFET HITK0302MP is N channel MOSFET | [2008-12-16 11:57:26] |
| [主持人：ChinaECNet] | 在此，中电网特别感谢给予本次中电网在线座谈巨大支持的Renesas公司，特别感谢专门在线回答各位听众（网友）提问的Renesas公司的各位专家们，特别感谢各位听众（网友）积极热情的参与。 | [2008-12-16 11:57:56] |
| [主持人：ChinaECNet] | 祝大家事业有成、生活愉快！欢迎多提宝贵意见，欢迎关注中电网，下次再见。 | [2008-12-16 11:59:12] |
| [问：xjiec] | 1、瑞萨用于电源的功率MOSFETs的功率与输入电压关系，对于220V交流输入电压，最大输出功率是多少？ 2、在互联网上能否找到中文开发资料？ | |
| [答：Ricky] | 1) We have 500V and 600V MOSFET which are good for 220V input AC line. 2) Yes, | [2008-12-16 11:59:30] |
| [问：liuxiaoli] | 请比较MOSFET的几种封装的频率特性和热特性以及封装成本.能否用数据来说明? | |
| [答：Cindy] | 可以参考我们讲解资料的那个LFPAK/WPAK/SOP-8产品线的介绍，上面有具体参数的对比 | [2008-12-16 11:59:41] |
| [问：hzj666] | MOSFET 的选择会不会影响到控制环路的稳定？ | |
| [答：Ricky] | Yes, | [2008-12-16 11:59:51] |
| [问：lxl666] | renesas的MOSFET相比竞争对手有何优势？或者说renesas MOSFET的优势是怎样体现出来的？ | |
| [答：Cindy] | 性价比较高，品质比较稳定 | [2008-12-16 12:00:35] |
| [问：liuxiaoli] | 为了安全可靠,功率MOSFET的应用参数与额定参数应有多大的富余量? | |
| [答：Cindy] | 2倍左右，不过也根据不同的设计者有不同的意见 | [2008-12-16 12:01:34] |
| [问：hnzhengshasha] | 请问：在同步整流中，同步整流MOSFET的寄生二极管导通时间与MOSFET开通时间怎么确定？ | |
| [答：Kyoichi] | The body diode turn On time is few ns level. If Turn-On time means from body diode voltage Vf to reach RDS(on) level, it depend on devices by Qg and drive IC"s capability. Bacically MOSFET can also use paralel connection for Synchronous rectification. | [2008-12-16 12:04:39] |
| [问：liuxiaoli] | DC/DC转换中,导致MOSFET的损耗有那几部分?那种损耗是主要的? 如何有效降低损耗？谢谢！ | |
| [答：Kyoichi] | MOFET mainaly loss parameter is shown as below 1. Drive loss -- relationship with QG, VGS(Drive) ( Pdr=f*Qg*Vgs ) 2. Switching Loss -- relationship with Qgd , Rg Driver IC"s drive capability. 3. Conduction Loss -- relationship with RDS(on) and Gate drive voltage 4. Recovery Loss(only Sync Rect. used) --relationship with trr | [2008-12-16 12:17:39] |
| 非在线问答： | ||
| [问：hnzhengshasha ] | DC/DC对系统带来的EMI问题是否需要考虑？如系统对电压稳定度要求很高，如前置放大器的供电，是否可以采用DC/DC？ | |
| [答：瑞萨专家] | Sorry, no solution. | |
| [问：niuniuniu2020 ] | DC/DC控制器是否采用开关电源原理，如果是，是否有措施处理其对其他模块的干扰? | |
| [答：瑞萨专家] | Yes | |
| [问：xjiec ] | DC/DC转换器中所用的MOSFET和锂离子充电器所用的MOSFET有何差别? | |
| [答：瑞萨专家] | The specification request to Mosfet is different.For example the capable of gate drive. | |
| [问：zhang6199 ] | IC功率MOSFET的开关频率可达多少？ | |
| [答：瑞萨专家] | JET series Mosfet fsw can be up to 1MHz. | |
| [问：zhaoz@lucent.com ] | input voltage threshold（hysteresis switching）怎样设计？ | |
| [答：瑞萨专家] | Our Mosfet is capable of 4.5V gate drive. | |
| [问：hanjinbao ] | jet系列在应用中，是否需要考虑散热？ | |
| [答：瑞萨专家] | Our LFPKA & WPAK use PCB to heat dissipation. You may consider to add heat sink or fan to heat dissipation. | |
| [问：apenguin ] | MOSFET 在并联使用时，是否需要采取均流的措施？ | |
| [答：瑞萨专家] | Make sure the parallel MOSFET are share the same current. | |
| [问：liguang169 ] | MOSFET产品电路设计时，布线电感是否会影响开关损耗？ | |
| [答：瑞萨专家] | Qgd parameter of Mosfet will affect the swiching power loss. | |
| [问：xjiec ] | MOSFET的泄漏电流有多少？ | |
| [答：瑞萨专家] | Renesas MOSFET leakage current is very small around 1uA. | |
| [问：kennytester ] | MOSFET器件与IGBT器件有何区别? | |
| [答：瑞萨专家] | Mosfet is more suitable for high speed switching product. IGBT is more suitable for high current request product. | |
| [问：liguang169 ] | MOSFET有优良的线性区，并且交流输入阻抗极高；噪声也小，功率MOSFET是否可以制作Hi-Fi放大电路？ | |
| [答：瑞萨专家] | Sorry, no solution. | |
| [问：kennytester ] | MOS器件中ISG参数是如何测试出来的？参数说明了器件的哪个性能？ | |
| [答：瑞萨专家] | If you mean IGSS, it's gate to source leak current. | |
| [问：woshijinmi ] | N-MOSFET和P-MOSFET有何区别？都能用于手机电源吗？ | |
| [答：瑞萨专家] | Conducting channel are different. It can be used in mobile phone. | |
| [问：yang457 ] | N沟道MOSFET在使用中出现自激现象，在栅源之间加电容解决可否？ | |
| [答：瑞萨专家] | Sorry, no solution. | |
| [问：xue550319 ] | N沟道功率MOSFET与P沟道MOSFET的区别? | |
| [答：瑞萨专家] | Conducting channel are different. | |
| [问：cdwangxiuying ] | Renesas 的DC-DC 转换器最低启动电压可以做到多少? | |
| [答：瑞萨专家] | No relate to our topics | |
| [问：long_19521210 ] | Renesas 的MOSFET导通电阻在什么情况下能做到最低? | |
| [答：瑞萨专家] | Renesas Mosfet RDS(on) can be very low. 30V for example, we can be around 2mohm. According to Mosfet characteristic, RDS(on) will increase with the temp. | |
| [问：linghz ] | Renesas的MOSFET的EMI性能和噪音特性如何?抗干扰能力如何?是否要作特别处理? | |
| [答：瑞萨专家] | Sorry, no solution. | |
| [问：lm84518 ] | Renesas的电源控制解决方案是基于开关电源还是基于线性电源为主? | |
| [答：瑞萨专家] | SMPS | |
| [问：liyanhua ] | Renesas的功率MOSFET能用在强电磁场环境下么？需要采取什么有效抗干扰措施么？ | |
| [答：瑞萨专家] | Sorry, no solution. | |
| [问：liguang169 ] | Renesas公司的双功率MOSFET产品是否是通过高侧和低侧之间的交替通/断的方法来进行电压转换？ | |
| [答：瑞萨专家] | Yes | |
| [问：lm84518 ] | Renesas公司开发的晶体管对ＬＩ离子电池电源的发展趋势怎样？ | |
| [答：瑞萨专家] | Suggest customer to use N-Ch Mosfet instead of P-Ch Mosfet in Li+ion Battery. | |
| [问：lxhbaby ] | Renesas有没有集成了PWM控制器和功率MOSFET的产品?是那几种型号? | |
| [答：瑞萨专家] | We have POL-SiP IC, P/N is R2J20701NP | |
| [问：liushangqing ] | resnesas的DC/DC变换器是如何在有限的条件（无风扇，敷铜面积有限等）下控制MOSFET管的热功耗? | |
| [答：瑞萨专家] | LFPAK PKG Mosfet can use PCB for heat dissipation. | |
| [问：王坚强 ] | RJK0346DPA使用情况怎样？ | |
| [答：瑞萨专家] | Good performance. | |
| [问：cdwangxiuying ] | RJK0348DSP最大表面温度允许到多大? | |
| [答：瑞萨专家] | Tch can guarantee 150C. You can use thermal impedance to calculate case temperature. | |
| [问：hongfz ] | 不同的充电方式：恒压充电和恒流充电，对MOSFET要求也不同吗？ | |
| [答：瑞萨专家] | Yes | |
| [问：hujitust ] | 尺寸缩小对沟槽MOSFET性能会有什么样的影响？ | |
| [答：瑞萨专家] | We just improve the process, not shrink the PKG size. | |
| [问：WongGB ] | 除了依靠PCB或外加散热器来散热, 请问还有其它的散热方法降低mosfet的温度 ? | |
| [答：瑞萨专家] | Modify heat sink size and shape, use fan. | |
| [问：hzchem ] | 低侧JET系列的特点有那些？ | |
| [答：瑞萨专家] | Low RDS(on) | |
| [问：liguang169 ] | 电池充电电路中一般都会采用串接二极管的方法来达到反接保护效果。如果采用功率MOSFET设计电路，是否可以省略串接此二极管？ | |
| [答：瑞萨专家] | Sorry, no solution. | |
| [问：long_19521210 ] | 电源的功率MOSFET的优势在那里? | |
| [答：瑞萨专家] | Low RDS(on), Low Qg & Qgd | |
| [问：xjiec ] | 对于Li电池电动车,RENESAS对于充电电路方面有适合的产品吗？ | |
| [答：瑞萨专家] | 有，看你电池的具体要求可以选择不同的型号. | |
| [问：zhang6199 ] | 高低侧MOSFET可以选用同类型吗？ | |
| [答：瑞萨专家] | 当然可以，看你具体应用。 | |
| [问：liguang169 ] | 功率MOSFET工作时的工作电阻是否就是MOSFET的导通电阻？ | |
| [答：瑞萨专家] | 是的 | |
| [问：PETERZHOU ] | "贵公司推荐用于电源系统的MOSFET最大开关频率为多少? 谢谢" | |
| [答：瑞萨专家] | 我们有一颗集成MOSFET的电源IC最大频率可达2MHz. | |
| [问：xjiec ] | 目前低压大电流功率MOSFET采用TRENCH MOSFET的方式多不多？TRENCH MOSFET设计制造需要注意哪几点？ | |
| [答：瑞萨专家] | Trench, Planar都有，根据不同电压其使用的结构方式也有所不同. | |
| [问：tiehan1228 ] | 那一种封装的电流能力与封装尺寸之比最高? | |
| [答：瑞萨专家] | LFPAK | |
| [问：niuniuniu2020 ] | 你们的DC/DC能提供的最大电流有多少，这个条件下的效率有多大，在设计中要注意些什么问题？ | |
| [答：瑞萨专家] | 我们只是MOSFET，没有DC/DC 模块。 | |
| [问：cdwangxiuying ] | 你们公司有没有集成多LDO，多DC-DC电源管理IC.谢谢能给予推荐， | |
| [答：瑞萨专家] | 没有 | |
| [问：gumulaoyi ] | 汽车蓄电池充电器中，应如何选择MOSFET? | |
| [答：瑞萨专家] | 我们的MOSFET不可以用于汽车级 | |
| [问：hongfz ] | 请教：瑞萨功率MOSFET带有温度传感器吗？ | |
| [答：瑞萨专家] | 没有 | |
| [问：hongfz ] | 请教：怎样根据充电器负载来选择合适的MOSFET？ | |
| [答：瑞萨专家] | 留有大概1.5~2倍的余量. | |
| [问：hujitust ] | 请教专家，在应用功率MOSFET进行电源设计时，在PCB布线上应该注意哪些问题？ | |
| [答：瑞萨专家] | 尽量短，减少布线带来的电阻电感 | |
| [问：sd2620 ] | 请教专家：HAT2165N、HAT2166N，哪个更适合用于服务器电源？ | |
| [答：瑞萨专家] | 根据你不同的要求 | |
| [问：chpeng81 ] | 请问，瑞萨的功率MOSFETs集成解决方案对于热设计是否有特殊考虑？ | |
| [答：瑞萨专家] | 参考规格书 | |
| [问：zzyjg ] | 请问：有些电源会产生的峰值电压，会对MOSFET造成威胁吗？ | |
| [答：瑞萨专家] | 有影响，但是在一定的范围之内MOSFET是可以承受的. | |
| [问：xjiec ] | 请问1A的DC/DC应该选用什么型号的Renesas的MOSFET | |
| [答：瑞萨专家] | 只是一个电流值不能确定具体的选型 | |
| [问：lm84518 ] | 请问DC/DC设计中哪些指标比较难达成?贵公司系列产品在DC/DC设计中哪些方面比较有优势? JET系列用于开关电源和电机上最大的优势是什么? | |
| [答：瑞萨专家] | RDS(on)比较小，开关速度比较快，封装比较小，适合DC/DC这种高密度的产品. | |
| [问：niuniuniu2020 ] | 请问DCM 交错控制技术, PFC中整流桥后的电容如何选择？ | |
| [答：瑞萨专家] | No relate to our topics | |
| [问：bowei181 ] | 请问FET/SBJ（单/双）双的比单的体积小，但散热问题如何解决？ | |
| [答：瑞萨专家] | 靠PCB自身散热 | |
| [问：yang457 ] | 请问SOP封装的MOSFET，VDS最大能做到多少？同时RDS(ON)最小是多少？ | |
| [答：瑞萨专家] | 250V/1.6mohm | |
| [问：woshijinmi ] | 请问功率MOSFET在使用时，还需要配备隔离变压器吗？ | |
| [答：瑞萨专家] | 看你具体的应用 | |
| [问：liyanhua ] | 请问贵司的MOSFET芯片有哪些自我保护功能呢？如果负载突然开路或短路，会对芯片造成损害么？谢谢 | |
| [答：瑞萨专家] | MOSFET集成芯片是有保护功能的，非正常情况有打嗝反应，具体请参考我们的规格书，很详细. | |
| [问：hnzhengshasha ] | 请问目前的MOSFET栅极是金属还是多晶硅？ | |
| [答：瑞萨专家] | 都有 | |
| [问：liuxiaoli ] | 请问瑞萨公司的功率MOSFET最高耐压有多大？ | |
| [答：瑞萨专家] | 1500V | |
| [问：hongfz ] | 请问一下：对于不同类型的电池，如镍氢电池或锂电池，在选择功率MOSTEF时候，有区别吗？ | |
| [答：瑞萨专家] | 不同的应用对管子的要求也是不同的 | |
| [问：Linpo-Tim ] | 如果客户原先用SOP-8封装,现想改用WPAK,需要重新Layout PCB吗？ | |
| [答：瑞萨专家] | No need, SO8 and WPAK footpin is same. | |
| [问：xue550319 ] | 如何降低开关电源中中所产生的尖峰电压对MOSFET的损坏? | |
| [答：瑞萨专家] | 在下管并一个肖特基二极管. | |
| [问：apenguin ] | 瑞萨的 POL-SIP 产品，在大电流应用下，需要另外的散热片吗？ | |
| [答：瑞萨专家] | Have heatsink should be better. | |
| [问：apenguin ] | 瑞萨的 R2J20651 是一款 DRIVER IC + MOSFET 的产品，其最高效率可以做到多少？ | |
| [答：瑞萨专家] | Pls contact Renesas Shenzhen sales office if you want to get more information. | |
| [问： apenguin ] | 瑞萨的 SPEED，JET，BEAM 开发代码相对应瑞萨的MOSFET 产品，是什么关系？ | |
| [答：瑞萨专家] | MOSFET design rule is different. | |
| [问：apenguin ] | 瑞萨的MOSFET 在正常的使用中，需要特别的防ESD 要求吗？ | |
| [答：瑞萨专家] | To carry on the anti ESD equipment should be better to protect the MOSFET when assembly. | |
| [问：sheldon ] | 瑞萨的MOSFET集成肖特基二极管，有没有footprint，以便于绘制pcb时直接调用？ | |
| [答：瑞萨专家] | SBD is parallel the low side MOSFET - drian and source pins. | |
| [问：kennytester ] | 瑞萨的MOS产品在最终出产前,要经过哪些可靠性测试? | |
| [答：瑞萨专家] | All important parameters-e.g. BVDSS, RDS(ON), EAS and so on. | |
| [问：apenguin ] | 瑞萨的POL-SIP 产品，在PCB LAYOUT 上有什么要注意的地方？ | |
| [答：瑞萨专家] | Pls contact Renesas Shenzhen sales office if you want to get more information. | |
| [问：kennytester ] | 瑞萨的产品有按代分的,是跟据产品的工艺来分代的吗? | |
| [答：瑞萨专家] | Yes | |
| [问：apenguin ] | 瑞萨的第二代DRMOS--R2J20602NP 的功率损耗能做到多少？ | |
| [答：瑞萨专家] | Pls contact Renesas Shenzhen sales office if you want to get more information. | |
| [问：hongfz ] | 适用于同步整流的功率MOSFETs有哪几款？ | |
| [答：瑞萨专家] | Renesas's WPAK, LFPAK both are good for SynFET application. | |
| [问：xjiec ] | 同步整流MOSFET可以应用到台式电脑上吗？ | |
| [答：瑞萨专家] | Yes | |
| [问：hnzhengshasha ] | 同样功率输出时，MOSFET与双极晶体管比较各有何特点？ | |
| [答：瑞萨专家] | "MOSFET will be better in eff and poor in EMI BJT will be poor in eff and better in EMI." | |
| [问：linghz ] | 我想用MOSFET 制作一个分压器用于显示器的亮度控制，其VDS=DC200V , Id max＝5mA , 瑞萨的MOSFET 哪个型号可选？ | |
| [答：瑞萨专家] | Sorry, no solution. | |
| [问：zhang6199 ] | 演讲中看到对管的高侧好像没有SBD，这是为什么？ | |
| [答：瑞萨专家] | High side MOSFET no need the SBD as the high side power loss is due to switching loss. | |
| [问：hnzhengshasha ] | 要增加输出功率,能否把MOSFET并联使用?如何选择这两种MOSFET?驱动时有何要注意的地方? | |
| [答：瑞萨专家] | 1) yes,2) Make sure the parallel MOSFET are share the same current. | |
| [问：cdwangxiuying ] | 一个封装中有两个MOSFET比两个MOSEY除节省50%空间外,价格能否也降低了?谢谢 | |
| [答：瑞萨专家] | No comment on the pricing. | |
| [问：zzyjg ] | 有一个电流为5A的DC/DC应用，请专家给推荐一款合适的功率MOSFET，谢谢！ | |
| [答：瑞萨专家] | If no output voltage information, it is hard to suggest the right MOSFET | |
| [问：zzyjg ] | 在此请教专家：瑞萨的功率MOSFET的泄漏电流大吗？会不会对电源造成影响？ | |
| [答：瑞萨专家] | Renesas MOSFET leakage current is very small around 1uA. It will not a problem for SMPS. | |
| [问：long_19521210 ] | "在集成功率 MOSFET 时,一般采用何种结构的管子? 它的瞬间最大的功率是多少?" | |
| [答：瑞萨专家] | 1) N channel MOSFET, 2) It depened on the MOSFET die size. | |
| [问：hnzhengshasha ] | 在集成功率MOSFET时一般采取何种结构的管子？大部分文献资料均采用了PMOSFET作为功率管，能否用NMOSFET作为功率管呢?在输出电流较大时,NMOSFET显然更有优势,那为什么绝大部分的电源管理芯片却采用PMOSFET作为功率管?除了考虑击穿和输出电流外还应该考虑哪些因素？ | |
| [答：瑞萨专家] | 1) N Channel MOSFET. 2) Yes, it depend on your driving circuit. N channel MOSFET is easy to control and cost will be cheaper than P channel MOSFET. | |
| [问：zzyjg ] | 在选择高边和低边MOSFET的适合，有哪些注意事项？ | |
| [答：瑞萨专家] | High side MOSFET need the low Qg. Low side MOSFET need the Low Rds(ON). | |
| [问：long_19521210 ] | 在选择功率 MOSFET 时应注意那些参数? | |
| [答：瑞萨专家] | Package, BVDSS, Rds(ON), Driving voltage, cost and so on. | |
| [问：xue550319 ] | "专家先生:能否介绍Renesas 的MOSFET主要特性吗? Renesas的MOSFET工作频率能达到多高?" | |
| [答：瑞萨专家] | Renesas is using 0.18u design rule to make the LV MOSFET which is low Rds(ON),Qgd and Qg. The switching freq can up to 1MHz. | |
瑞萨电子（TSE: 6723），科技让生活更轻松，致力于打造更安全、更智能、可持续发展的未来。作为全球微控制器供应商，瑞萨电子融合了在嵌入式处理、模拟、电源及连接方面的专业知识，提供完整的半导体解决方案。成功产品组合加速汽车、工业、基础设施及物联网应用上市，赋能数十亿联网智能设备改善人们的工作和生活方式。更多信息，敬请访问renesas.com。关注瑞萨电子微信公众号，发现更多精彩内容。
中电网官方微博
