| 主题：在消费电子中SPI闪存的优势/NOR与NAND的技术及架构对比 |
| 在线问答： |
| [主持人：ChinaECNet] |
各位听众（网友），上午好！欢迎参加中电网在线座谈。今天，我们有幸邀请到Spansion公司的专家就“在消费电子中SPI闪存的优势/NOR与NAND的技术及架构对比”举行在线座谈。在座谈中，您可就您关心的问题与Spansion公司的专家在线进行直接、实时的对话交流。中电网衷心希望通过大家的共同努力，不仅能够增进各位听众（网友）对“在消费电子中SPI闪存的优势 / NOR与NAND的技术及架构对比”的了解和掌握，而且能够为大家事业的发展带来裨益。 |
[2009-2-25 10:02:00] |
| [主持人：ChinaECNet] |
我们已经进入问答阶段如果听众想重温演讲或内容可以点击下面“回顾演示”重看演讲。 |
[2009-2-25 10:34:54] |
| [问：dimin] |
存储密度方面NOR与NAND哪个具有优势一些？ |
| [答：Karvin] |
从容量上来说NAND会更大一些。 |
[2009-2-25 10:35:54] |
| [问：sunrain618] |
在一个设计中同时采用了NOR与NAND的闪存要注意什么？ |
| [答：Brian] |
具体看您的应用而定，由于NOR,NAND的特性不同．所以通常将代码等对错误敏感的数据放在NOR中，而NAND中可放其他的数据.NAND还要做ECC等处理 |
[2009-2-25 10:37:15] |
| [问：水边玩玩] |
Multi I/O SPI 和标准I/O SPI的管脚数是一样的吗？ |
| [答：Karvin] |
管脚兼容，但是管脚的定义或有不同，具体可以参考我们的Datasheet。 |
[2009-2-25 10:38:02] |
| [问：lifujiang10] |
spi flash访问速度与传统相比会不会降低 |
| [答：Shepherd] |
串行flash速度相比传统并行flash会稍低 |
[2009-2-25 10:38:44] |
| [问：PETERZHOU] |
NOR,NAND中哪个EMI/EMC性能好?
谢谢 |
| [答：Brian] |
EMI,EMC是对整体系统而言的，针对芯片要看具体设计 |
[2009-2-25 10:39:37] |
| [问：sunrain618] |
目前NOR与NAND闪存的最大容量是多少？速率能达到多少？ |
| [答：Eric] |
目前NAND的最大容量是32GB。
NOR的最大容量为1Gb单颗。Spansion目前提供成熟可靠的商用NOR 1Gb单颗芯片。
速率不知你指的是读取速率还是擦写速率。
NOR在读取速率上大大快于NAND；而后者在擦写速度方面优于NOR。在演示文稿中有专门针对这个主题的讨论。请参看。 |
[2009-2-25 10:41:28] |
| [问：chenty] |
NOR/nand在适用的场合主要需考虑什么因素 |
| [答：Brian] |
1．NOR用于存放要求可靠性高的数据，比如代码等．
NAND常用来放大容量数据，价格便宜．
2．NOR有SRAM接口
3.NOR有XIP能力
|
[2009-2-25 10:42:14] |
| [问：mtlflower] |
执行擦除时块大小的不同导致NOR与NAND哪些性能差异呢 |
| [答：Karvin] |
擦除的块大小不同导致其擦除时的所需时间不同，当然这种不同最重要的和其本身的技术、架构相关。 |
[2009-2-25 10:43:17] |
| [问：hoha345] |
存储稳定、安全性对比如何？ |
| [答：Brian] |
NOR稳定可靠
而且现在有各种写保护的产品，未来读保护的产品也会越来越多．而NAND则不具备这个特点．所以这方面而言，NOR有优势 |
[2009-2-25 10:44:16] |
| [问：radar] |
坏块问题如何解决? |
| [答：Eric] |
坏块问题只存在NAND Flash。它采用了强制ECC/EDC的方式，配合内部的Spare Area和特有的文件管理系统，来管理坏块。但无法从硬件层面上避免坏块的存在和生成。所以NAND谈不上彻底“解决”坏块问题。 |
[2009-2-25 10:47:38] |
| [问：sheldon] |
请讲解一下NOR与NAND的价格比较优势 |
| [答：Shepherd] |
一般来讲，现在高容量NAND的市场价格要低于NOR，但这两种FLASH针对的应用市场不同，NOR在存储执行代码和运用到系统中稳定性方面表现更优异。 |
[2009-2-25 10:47:41] |
| [问：dimin] |
NAND单元比NOR单元小多少？ |
| [答：Eric] |
NOR和NAND的存储空间管理方式是不一样的。NOR基于Sector（扇区），而NAND基于Page。请参看演示文稿。 |
[2009-2-25 10:49:15] |
| [问：te208] |
Spansion 的FLASH产品相比于其它台系产品，有哪些优势？烧录器支持的如何？会不会出现烧录损坏芯片的情况？谢谢！ |
| [答：Brian] |
对与其他公司的产品不好枉作评论．但SPANSION所走的是高质量路线．在国内有良好的技术支持团队．主流的烧录器都可支持．只要采用推荐厂商的烧录器，而且排除操作的失误，就极少发生（百分之百，谁也不敢说，:-)） |
[2009-2-25 10:50:22] |
| [主持人：ChinaECNet] |
各位观众，现在用户提问很踊跃，专家正在逐一回答。请耐心等待您问题的答案，同一问题请不要多次提交。 |
[2009-2-25 10:50:35] |
| [问：cheneydong] |
加密flash和非加密flash的区别 |
| [答：Eric] |
常规的NOR Flash常具备一定的写保护功能，但不支持读加密。特定的读加密flash跟常见的闪存无法兼容，会增加设计复杂度和成本。如果不是特别必要，建议客户采用常规flash外加加密芯片的方案。 |
[2009-2-25 10:51:59] |
| [问：lin33018] |
NOR,NAND中哪个的速度更快？ |
| [答：Brian] |
读字节，随机访问的速度，NOR快些．
大容量写入速度,NAND有优势 |
[2009-2-25 10:52:08] |
| [问：dimin] |
对于1 Gbit 以及以上的应用，最具成本效益的解决方案，NOR与NAND哪个有优势？ |
| [答：Karvin] |
如果只是考虑到成本的话，NAND相对来说更有优势。但是对产品的可靠性或是开机速度有要求的话，NOR会是更好的选择。这和公司的策略及产品定位有关。 |
[2009-2-25 10:52:57] |
| [问：dimin] |
读取速度方面NOR与NAND谁更强一些呢？ |
| [答：Brian] |
读随机数据，NOR好些．但读大块的数据则NAND则有优势 |
[2009-2-25 10:54:30] |
| [问：ARROWJUN] |
什么因素会影响 SPI的频率? |
| [答：Eric] |
你是指SPI的Clock Speed? SPI的钟频取决于CPU和SPI设备中较低的那一个。具体时序会受到PCB设计和信号完整性方面的一些影响。 |
[2009-2-25 10:54:45] |
| [问：PETERZHOU] |
SPI闪存未来发展过程中,NOR和NAND哪一个将会有更大的市场?
谢谢 |
| [答：Shepherd] |
目前，越来越多的主芯片厂商都要求其芯片同时能支持NOR,SPI,NAND接口，这充分说明未来的电子产品市场将灵活地使用这些FLASH产品。但低成本，易于设计，使用方便是决定FLASH类型市场占有率的关键。 |
[2009-2-25 10:55:21] |
| [问：PETERZHOU] |
NOR和NAND在同样容量上,哪一个性价比较好?
谢谢 |
| [答：Karvin] |
在低容量128Mbit以下来说，NOR是目前最佳的选择，而高容量需求如果只是考虑到成本的话，NAND相对来说更有优势。但是对产品的可靠性或是开机速度有要求的话，NOR会是更好的选择。这和公司的策略及产品定位有关。 目前另外一种存储架构是小容量NOR加大容量的NAND，既可以满足产品稳定性也可以满足大量数据存储的要求。 |
[2009-2-25 10:55:51] |
| [问：PETERZHOU] |
在FPGA配置方面选用 NOR还是选用NAND的SPI闪存?
谢谢 |
| [答：Brian] |
首先，SPI接口的通常是NOR FLASH.
FPGA配置是对数据可靠性要求高的应用．通常用NOR来实现．
目前并行接口，SPI接口的NOR FLASH在此类应用中常见 |
[2009-2-25 10:57:05] |
| [问：DirectCG] |
Spansion的SPI闪存用在手机时,采取了那些措施来保证手机数据的安全性和保密性? |
| [答：Brian] |
不知道您说的是在手机中的具体什么应用．代码？数据？通常的来说SPI FLASH在安全性上具备软件写保护的能力 |
[2009-2-25 10:59:08] |
| [问：mtlflower] |
请问NOR与NAND两者在位交换方面的表现如何？二者在此方面的差异如何？谢谢 |
| [答：Karvin] |
请问你所提到的位交换是Bit翻转吗？这和产品本身的可靠性相关，相对来说NOR的可靠性高是它最大的优势。 |
[2009-2-25 10:59:42] |
| [问：DirectCG] |
存储器中的BANK是如何定义的? |
| [答：Eric] |
对于NOR flash而言，BANK常指一组Sector。对于支持多Bank的闪存，其含义在于闪存具备在对一个Bank进行擦写操作的同时，可以读取另一个Bank数据的功能。通常不支持这种同时写读功能的flash被称为单Bank设备，也就是整个存储空间被看做在同一个Bank内。 |
[2009-2-25 11:00:45] |
| [问：goldjack] |
SPI Flash有加密和防解密功能吗？ |
| [答：Brian] |
目前的产品具备软件写保护功能．读保护暂时还没有． |
[2009-2-25 11:01:56] |
| [问：radar] |
通常来说,NOR能擦写多少次? |
| [答：Karvin] |
单个扇区擦写次数100K，事实上芯片的擦写次数和产品本身的工作环境温度以及其工作的电流电压直接相关。 |
[2009-2-25 11:01:57] |
| [问：riello] |
Spansion的SPI NOR FLASH 跟其他品牌比较,最大的优势在哪里？ |
| [答：Shepherd] |
SPANSION是NOR闪存市场标准的领导者，产品容量及系列广泛，功能丰富；同时，公司自身拥有先进制程的晶圆厂，封装测试厂，产能支持能力强；我们的产品是以专利的MIRRORBIT技术制造，性价比优良。 |
[2009-2-25 11:02:02] |
| [问：DirectCG] |
NOR闪存和NAND闪存各有优点? Spansion有没有NOR和NAND连种类型在同一封装的产品? |
| [答：Eric] |
NOR和NAND的优缺点对比在演示文稿中有详尽的对比。Spansion专注于NOR产品，目前没有NOR NAND合一的多片封装方案。 |
[2009-2-25 11:02:52] |
| [问：zzkeng] |
NOR 闪存和NAND闪存都可用在手机,那种会更有前途? NOR和NAND在性价比上那个更优越? |
| [答：Brian] |
还是要看具体的应用来定，对于存放代码来说，NOR更加可靠．但存放大容量的数据，比如影像文件则NAND更加便宜 |
[2009-2-25 11:04:10] |
| [问：meteor_chu] |
3G手机中有多种存储器,存储器接口应该如何实现?有解决方案吗? |
| [答：Eric] |
手机相关的技术咨询，请洽我们另外一个部门WSD的专家，会给您专业的答复。请致电Spansion。 |
[2009-2-25 11:04:13] |
| [问：iketty] |
nand flash 每页大小是多少KB，ECC可以纠错多少bit |
| [答：Eric] |
各家NAND厂商的产品有不同的Page Size和其他规格上的不同。Spansion不是NAND Vendor,具体关于NAND的技术细节请联系您感兴趣的NAND厂商。 |
[2009-2-25 11:06:59] |
| [问：te208] |
请问，Spansion在国内在哪些正规的代理商?哪些代理商具有较好的技术支持力量？谢谢！ |
| [答：Shepherd] |
我们的代理商信息可以通过我们的官方网站查到。这些代理商长期以来同SPANSION合作，在对客户的技术支持方面能力都很强。 |
[2009-2-25 11:07:00] |
| [问：wkm] |
SPI FL 产品的BYTE READ 速度是多少 |
| [答：Brian] |
S25FL*P系列产品做单线访问，CLOCK达104M
最快的四线CLOCK达80M,速度也就是80*4bit/s |
[2009-2-25 11:07:12] |
| [问：dimin] |
NOR/nand在节能方面哪个更有优势？ |
| [答：Karvin] |
NOR的读操作比NAND需要功耗较小，而NAND的编程功耗相对NOR来说较小，具体需要看系统对存储的操作。 |
[2009-2-25 11:08:09] |
| [问：zzkeng] |
Spansion的SPI闪存目前的容量有多大?采用什么存取方式?存取速度可到多快? |
| [答：Brian] |
具备32Mbit,128Mbit等容量.是NOR FLASH的产品．速度最快是320M bit/s |
[2009-2-25 11:08:53] |
| [问：cxn] |
NOR/NAND哪个耐用性更好一些？ |
| [答：Karvin] |
相对来说NOR的可靠性要高许多。 |
[2009-2-25 11:09:01] |
| [问：sunrain618] |
对于数字电视的设计中，图像处理部分速率高达600M以上选用那种好，各自的优缺点？ |
| [答：Eric] |
NOR的随机读取速率优于NAND，可以实现“eXecute-In-Place” (XIP) 。更适合数字电视设计中代码存放和执行的场合。NAND容量大，单位成本低，更适合海量数据存储。 |
[2009-2-25 11:09:40] |
| [主持人：ChinaECNet] |
各位观众，现在用户提问很踊跃，专家正在逐一回答。请耐心等待您问题的答案，同一问题请不要多次提交。 |
[2009-2-25 11:10:04] |
| [问：cxn] |
SPI和普通串口可以通信吗？ |
| [答：Brian] |
您说的串口是RS232吗？如果是的话要做简单的转换电路．但RS232速度没SPI那么快 |
[2009-2-25 11:10:27] |
| [问：meteor_chu] |
SPI闪存中读写误差如何检测和处理,以保证数据可靠性? |
| [答：Karvin] |
对SPI Flash来说，其使用的技术仍然是NOR Flash的技术，读写的错误一般和系统设计或是软件操作有关，所以这种错误一般都是基于应用、系统级的防范。当然Spansion SPI Flash本身也都提供了丰富的保护方面的功能，可以防止意外情况下的误操作。 |
[2009-2-25 11:12:52] |
| [问：riello] |
请问在3G手机上流畅地播放视频图像,所需的存储器至少有多大?它和处理器的处理速度有关吗? |
| [答：Brian] |
手机应用，请致电SPANSION的手机部门．SPANSION分两个主要的业务部门CSID（嵌入式应用）WSD（手机）．今天讲的是CSID产品 |
[2009-2-25 11:12:53] |
| [问：iketty] |
你们现在的MLC NAND Flash 每个cell 上可以存储多少bit? |
| [答：Karvin] |
抱歉，目前Spansion没有MLC的NAND Flash，从业界来看，大部分的应该都是两个Bit。 |
[2009-2-25 11:14:26] |
| [问：mtlflower] |
我觉得NOR与NAND各有优缺点，似乎都在期待二者能够融合，请问专家对此有何看法，能否预测一下发展方向？ |
| [答：Shepherd] |
据我们了解，业界的FLASH厂商对生产出融合NOR和NAND功能特性的FLASH产品也做过探讨和尝试。这种新产品的出现时间，将会由今后技术的成熟度来决定。 |
[2009-2-25 11:16:45] |
| [问：radar] |
谢谢专家刚才的答复。擦写寿命和温度/电流/电压有关，有相关文档可参考吗？经常发现使用中寿命过短，但找不出原因 |
| [答：Karvin] |
不知道你所提到的寿命过短是什么意思？是Flash无法擦除了吗？还是有Bit读写错误？需要详细知道你们系统对Flash的正常操作过程，因为正常的操作应该对Flash不会有什么影响。 |
[2009-2-25 11:18:54] |
| [问：sunrain618] |
这几种闪存在设计中注意什么？如何有效选择？ |
| [答：Brian] |
SPI NOR FLASH相比并行接口的NOR而言，以前由于速度慢，所以应用不多，现在MIO SPI 可以支持320Mbit/s的速度．
而且越来越多的主CPU支持SPI BOOT．并且SPI具备体积小等优点．大家可以在今后的设计中多关注
并行NOR FLASH则在大容量应用中和传统应用中更吸引注意 |
[2009-2-25 11:20:14] |
| [问：meteor_chu] |
Spansion 的SPI闪存的控制和管理有几种方案,和别的闪存有何不同? |
| [答：Eric] |
Spansion SPI产品均兼容标准的SPI协议，可以很容易地替换市面上绝大多数SPI Flash。同时我们具有更高的性能和功能，使得我们的产品领先市面上的普通SPI闪存产品。关于我们SPI flash产品的功能性能等细节，请至Spansion网站下载相应的技术手册查阅。 |
[2009-2-25 11:21:45] |
| [问：mtlflower] |
3G即将到来，相比2G，其对闪存有何进一步要求，Spansion如何满足这样的要求 |
| [答：Karvin] |
对闪存的要求一般是容量更高，速度更快，Spansion在这方面都将会有相关的产品出来。 |
[2009-2-25 11:21:51] |
| [问：phosphor] |
在低成本的数码产品中使用所介绍的产品会不会增加成本 |
| [答：Shepherd] |
低成本的数码产品是否使用SPI产品将会由其主芯片能否支持此接口，FLASH的市场价格和数码产品的生产厂商对整体产品成本的接受度来决定。 |
[2009-2-25 11:21:52] |
| [问：水边玩玩] |
有没有计划开发小扇区的SPI产品？ |
| [答：Shepherd] |
我们已有此类产品。 |
[2009-2-25 11:22:37] |
| [问：luogongqiang] |
Does re-programming a used page cost more time than programming a blank page? why? |
| [答：Brian] |
FLASH在烧写前都必须擦除，所以二者的流程是一样的．
不管是re-programming还是programming 都会满足数据手册的指标 |
[2009-2-25 11:23:08] |
| [问：luogongqiang] |
对于防止SPI 闪存数据丢失方面有什么措施？ |
| [答：Karvin] |
数据丢失是一个综合性的问题，是扇区全为0或全为1吗？还是部分变化？或是单个Bit的翻转？情况都不一样，对于一些因为系统软件或是硬件问题导致的数据丢失需要查找设计方面的原因。当然Spansion的SPI也都提供了丰富的保护功能以确保意外情况下的数据丢失。 |
[2009-2-25 11:24:56] |
| [问：PETERZHOU] |
符合无铅标准吗?
谢谢 |
| [答：Karvin] |
目前Spansion的产品都可以提供无铅产品，且无铅产品是目前我们推荐客户选用的产品。 |
[2009-2-25 11:26:06] |
| [问：wjungang] |
NOR与NAND在存储密度方面各有何优缺点？ |
| [答：Karvin] |
从容量上来说NAND会更大一些。 |
[2009-2-25 11:27:21] |
| [问：ARROWJUN] |
目前 SPANSION在SPI市场的地位如何? |
| [答：Shepherd] |
现在，可以生产SPI的产品的存储器厂商很多，SPANSION公司SPI产品容量从低到高，能满足众多的电子产品需求，特别是今后市场对中高容量的SPI需求将会增多，SPANSION在此部分SPI产品市场的地位和表现将更突出。 |
[2009-2-25 11:29:57] |
| [问：lbgy] |
Spansion SPI Flash在高速写入时抗干扰性能如何？ |
| [答：Brian] |
首先它是NOR FLASH，与传统的并行FLASH相比内部性能相同．
其次，在接口上来说MIO可以选择四总线方式来存取数据．这样实现同样的速度，可以使CLOCK变为以前的1/4，CLOCK减低可靠性会有提高
再有，布线更加简单，越简单不就越可靠吗 |
[2009-2-25 11:31:44] |
| [问：luogongqiang] |
Spansion SPI Flash最大的编程速度可以达到多高?它由那些因素影响? |
| [答：Eric] |
Spansion SPI的典型Page Program时间为1.5ms。我们提供加快编程的模式，可以将上述指标提高到1.2ms。此外我们最新的S25FL032P产品支持Quad Page Program模式。 |
[2009-2-25 11:32:59] |
| [问：sxj0456] |
NOR和NAND的擦写次数分别为多少？ |
| [答：Brian] |
SPANSION NOR FLASH为十万次
NAND要看各家标定，还要考虑坏块的问题 |
[2009-2-25 11:33:03] |
| [问：c150] |
目前市场上的闪存卡一般采用nor还是nand? |
| [答：Karvin] |
NAND。 |
[2009-2-25 11:33:20] |
| [问：PETERZHOU] |
可否用于工控领域?
谢谢 |
| [答：Eric] |
NOR闪存具有高可靠性，高工作温度范围等特点，非常适合工控领域。 |
[2009-2-25 11:33:54] |
| [问：wjungang] |
SPI FL 产品的对其它辅助系统有何最低要求吗？ |
| [答：Eric] |
你指的辅助系统是何含义呢？我们的FL系列兼容标准的SPI协议，无需额外的系统开销和附加支持。 |
[2009-2-25 11:35:13] |
| [问：cxn] |
NOR/NAND需要软件支持吗？ |
| [答：Brian] |
NOR应用简单，一般CPU支持BOOT．如无文件系统的要求则不要特定的软件
NAND必须要有ECC支持，通常都要做或大或小的文件系统 |
[2009-2-25 11:35:24] |
| [问：PETERZHOU] |
MCU厂商的MCU中的闪存一般采用NOR还是NAND?
谢谢 |
| [答：Eric] |
集成于MCU中的闪存基本全为NOR，因为NOR的高可靠性和易用性。 |
[2009-2-25 11:38:19] |
| [问：wjungang] |
加密flash相比非加密flash的读取速度是不是差别很大？如果是能有多大的差别？ |
| [答：Brian] |
二者的内部指标是一样的．读取的差别是由于加密和解密的指令流带来的．也就是,加密FLASH不做加密用，和普通FLASH并无区别 |
[2009-2-25 11:39:31] |
| [问：c150] |
nand的最低工作电压还有降低的空间吗? |
| [答：Brian] |
SPANSION现有产品是NOR FLash |
[2009-2-25 11:40:13] |
| [问：goldjack] |
SPI Flash是哪年诞生的？擦写次数是多少？使用寿命上比并行擦写的Flash有优势吗？ |
| [答：Shepherd] |
SPANSION公司在2005年开始生产SPI产品，SPI擦写次数为10万次，与并行FLASH相同。 |
[2009-2-25 11:40:59] |
| [问：sheldon] |
NOR与NAND的最小体积是多少？ |
| [答：Karvin] |
SPI的最小应该是USON封装的5x6mm封装，NOR的和具体型号有关。 |
[2009-2-25 11:41:23] |
| [问：PETERZHOU] |
NOR和NOAND哪一个用于romless型8051的代码存放功能较好?
谢谢 |
| [答：Karvin] |
SPI的NOR会更灵活适用一些。 |
[2009-2-25 11:42:12] |
| [问：ARROWJUN] |
SPANSION 是否考虑推出NOR+DRAM 的MCP产品 |
| [答：Shepherd] |
MCP产品目前属于公司WSD部门经营，详细产品情况请咨询相关部门人员。 |
[2009-2-25 11:43:21] |
| [问：wjungang] |
SPI FL 产品的MTBF一般能达到什么水平 |
| [答：Karvin] |
正常排除系统软、硬件方面的原因后，我们产品的数据保持时间是20年。 |
[2009-2-25 11:44:02] |
| [问：wjungang] |
我们主要面向是化工企业，高温高湿高酸度，是否可将NOR闪存应用于工控设备 |
| [答：Karvin] |
当然可以，NOR Flash是工控设备的不二选择。 |
[2009-2-25 11:45:20] |
| [问：sunrain618] |
这几种闪存在PCB设计中要注意什么？ |
| [答：Karvin] |
传统并行的NOR或是NAND的PCB设计没有特殊之处，但是SPI的Flash则需要考虑到高速信号EMI的干扰问题。 |
[2009-2-25 11:46:46] |
| [问：lxwcri] |
SPI 产品的封装是否采用通用管脚？使用时是否需要改变电路板排布？ |
| [答：Eric] |
Spansion SPI产品均采用业界通用的管脚排列和封装形式。除了考虑应用MIO功能以外，无需改动电路设计。但考虑到Multi-IO功能的巨大优势，对于新设计且在CPU支持的情况下，强烈建议采用MIO的电路连接方式。 |
[2009-2-25 11:47:43] |
| [问：mcdyss] |
市场上支持SPI BOOT的CPU似乎不是很多啊,SPI FLASH用来做启动,是不是应用不大呢? |
| [答：Brian] |
目前来说并不多，但也已经出现了不少的CPU支持这样的应用．而且SPANSION已经和，正在和很多CPU厂商配合来做这样的应用．SPI的优点还是很有吸引力的.相信很快越来越多的应用就会出现 |
[2009-2-25 11:48:14] |
| [问：zd.cai] |
spi的flash的烧录程序的方式 |
| [答：Eric] |
你可以选择离线烧录器，市面上主流的离线烧录器均能支持Spansion的SPI产品。 |
[2009-2-25 11:48:37] |
| [问：wjungang] |
通常来说,NOR的使用环境有何要求？可否根据不同使用环境进行二次开发？（温度、湿度、盐碱度……） |
| [答：Brian] |
SPANSION的产品有商业级，工业级和汽车级． |
[2009-2-25 11:49:15] |
| [问：sheldon] |
当前的经济环境有没有给spansion带来不好的影响，spansion以后的发展方向是什么？ |
| [答：Shepherd] |
目前的全球经济环境全面影响了电子产业，SPANSION公司将着眼于未来的电子产品市场的发展方向，规划出符合今后技术和市场特点的FLASH产品。 |
[2009-2-25 11:49:16] |
| [主持人：ChinaECNet] |
所有问题均已提交给Spansion公司的专家。座谈期间未回答的问题，Spansion公司专家也会逐一回答，并在中电网上公布，请大家注意收看。 |
[2009-2-25 11:49:42] |
| [问：sheldon] |
NOR和NAND的擦写速度是多少？ |
| [答：Karvin] |
传统的并行NOR：擦除约0.25MByte／S，写166KByte／S；
NAND：擦除60MByte/S，写6MByte／S。 |
[2009-2-25 11:50:30] |
| [问：baipinping] |
SPI nor flash 目前最大容量做到多大？ |
| [答：Karvin] |
128Mbit，更大容量在评估当中。 |
[2009-2-25 11:51:06] |
| [问：c150] |
NOR和NAND在断电后，数据还能保存多久？ |
| [答：Karvin] |
正常工作环境下，数据保持为20年。 |
[2009-2-25 11:51:29] |
| [问：radar] |
Spansion有这样的产品?小块NOR作启动,大块NAND作程序和数据,单片封装 |
| [答：Shepherd] |
目前，SPANSION公司暂无此类产品。 |
[2009-2-25 11:51:30] |
| [问：dimin] |
请问提供远程支持服务吗？ |
| [答：Karvin] |
当然可以。 |
[2009-2-25 11:51:47] |
| [问：cdneko] |
SPI在上网本领域的应用如何？ |
| [答：Karvin] |
目前大部分的都有用到SPI的Flash，主要用于PC BIOS存储。 |
[2009-2-25 11:52:24] |
| [问：c150] |
高频电磁波辐射对NOR/NAND的寿命和可靠性影响大吗？ |
| [答：Karvin] |
任何一款存储器对电磁波或是电场辐射都有一定的容限，超过了当然会影响其数据的存储可靠性。 |
[2009-2-25 11:53:36] |
| [主持人：ChinaECNet] |
由于时间关系，本次中电网“在线座谈”马上就要结束了。虽然各位听众（网友）已与Spansion公司的专家讨论了许多问题，但是还有许多提问没有来得及进行交流。本次在线座谈结束后，中电网将请Spansion公司的专家继续答复所有的来自各位听众（网友）的提问，然后整理上载到中电网网站上，以便大家查阅。 |
[2009-2-25 11:54:19] |
| [问：mtlflower] |
Spansion目前已投产的NOR最小是43NM的么，未来步伐如何？ |
| [答：Shepherd] |
SPANSION目前已投产的NOR产品使用的制程是65nm,今后将使用45nm工艺。 |
[2009-2-25 11:55:28] |
| [问：c150] |
以后有可能作成８bit并行来提高速度吗？ |
| [答：Brian] |
目前有1/2/4bit 未来要看需求来定 |
[2009-2-25 11:55:53] |
| [问：wjungang] |
贵公司产品都通过了哪些安规认证及环境认证？ |
| [答：Shepherd] |
SPANSION公司产品通过了AECQ-100, ISO,SGS等相关认证。 |
[2009-2-25 11:57:17] |
| [主持人：ChinaECNet] |
在此，中电网特别感谢给予本次中电网在线座谈巨大支持的Spansion公司，特别感谢专门在线回答各位听众（网友）提问的Spansion公司的各位专家们，特别感谢各位听众（网友）积极热情的参与。 |
[2009-2-25 11:57:39] |
| [问：wkm] |
SPANSION FL SPI 产品与市场产品比较 |
| [答：Karvin] |
Spansion的优势：占有市场份额最大的专业的闪存供应商，保证客户的长期支持，在SPI产品上容量系列最全、最广。 |
[2009-2-25 11:58:25] |
| [问：cdneko] |
spansion的nand产品是否支持 ONFI 2.1版规范 |
| [答：Eric] |
Spansion不是NAND厂商。 |
[2009-2-25 12:01:29] |
| [主持人：ChinaECNet] |
祝大家事业有成、生活愉快！欢迎多提宝贵意见，欢迎关注中电网，下次再见。 |
[2009-2-25 12:02:48] |
| [问：baipinping] |
目前便携设备方案提供商中支持SPI flash有哪些呢 |
| [答：Shepherd] |
当前，大部分便携设备方案提供商都可应用SPI FLASH。 |
[2009-2-25 12:04:01] |
| 非在线问答： |
| [问：cxn] |
NAND FLASH与SD卡有什么不同谢谢 |
| [答：Spansion专家] |
SD卡采用NAND Flash存储，内部集成了控制器。 |
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| [问：dimin] |
NAND取代NOR的趋势有显现出来吗？ |
| [答：Spansion专家] |
从目前市场的应用来看，NAND短期内无法取代NOR的应用，因为其性能及可靠性的差别问题，NOR的未来会稳定而平稳的增长。但是随着3G市场的普及，人们对数据存储要求越来越多，NAND的需求会增长较快。 |
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| [问：kkkk9942] |
nor flash于nand flash谁更具有优势 |
| [答：Spansion专家] |
针对不同的产品，其优势各有不同。 |
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| [问：cheneydong] |
NOR flash如何应对NAND flash的竞争 |
| [答：Spansion专家] |
在同一的市场中，SPI Flash的应用将会降低整个系统的成本， 其优势不一定输于NAND的存储方式。 |
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| [问：sheldon] |
nor的最小体积是多大？ |
| [答：Spansion专家] |
如果客户可以适用的话，Spansion可以提供Die级的产品，封装极小。 |
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| [问：amelielong] |
NOR具有在性能优势是什么 |
| [答：Spansion专家] |
读速度块、稳定可靠性高。 |
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| [问：amelielong] |
NOR闪存是否会被NAND取代？ |
| [答：Spansion专家] |
从目前市场的应用来看，NAND短期内无法取代NOR的应用，因为其性能及可靠性的差别问题，NOR的未来会稳定而平稳的增长。但是随着3G市场的普及，人们对数据存储要求越来越多，NAND的需求会增长较快。 |
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| [问：amelielong] |
NOR性能上的优势是什么 |
| [答：Spansion专家] |
读速度块、稳定可靠性高。 |
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| [问：dimin] |
spi闪存有基于字节高速写入的方式吗？ |
| [答：Spansion专家] |
Spansion的SPI产品部分可以支持字节写入，速度较高。 |
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| [问：PETERZHOU] |
"XILINX的SPARTAN-3E可以用贵公司的SPI闪存吗?谢谢" |
| [答：Spansion专家] |
可以 |
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| [问：wjungang] |
串行flash速度相比传统并行flash会稍低，有何简单的数据对比吗？ |
| [答：Spansion专家] |
请参考今天讲座的14页。 |
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| [问：hoha345] |
存储原理/优势？ |
| [答：Spansion专家] |
NOR Flash存储／封装小、布板简单、整体成本低。 |
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| [问：davenzhangxi] |
该IC在排板时有什么要求？ |
| [答：Spansion专家] |
注意考虑EMI的问题。 |
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| [问：hoha345] |
广东有无办事处/点？ |
| [答：Spansion专家] |
南中国区的办事处在深圳，中国分公司总部在上海，广州地区可以联系我们的代理商如艾睿、安富利等。 |
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| [问：PETERZHOU] |
"贵公司的闪存与INTEL的闪存相比优势在哪?谢谢" |
| [答：Spansion专家] |
产品成熟、升级替代简单、硬件、软件兼容性高、市场占有率高。 |
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| [问：PETERZHOU] |
"哪个擦写次数多?谢谢" |
| [答：Spansion专家] |
和什么相比？ |
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| [问：szyouer] |
你好!我想了解spi闪存与市场上使用的FLASH的区别和优势? |
| [答：Spansion专家] |
相对市场上传统的并行NOR Flash 来说，SPI Flash具有封装小、布板简单、整体成本低的特点。当然也因为是串行Flash，所以他的输入、输出速度相对较慢。 |
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| [问：mcdyss] |
你们的SPI FLASH是NOR还是NAND? |
| [答：Spansion专家] |
NOR Flash |
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| [问：cxn] |
请问nand flash和nor flash有什么不同？ |
| [答：Spansion专家] |
可靠性、读写速度和功耗均有不同，具体可以参考培训资料。 |
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| [问：cxn] |
什么是nand flash引脚 |
| [答：Spansion专家] |
NAND Flash引脚地址线和数据线复用，所以其封装兼容性也较好。 |
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| [问：cheneydong] |
在3G时代，我们NOR flash有什么机会 |
| [答：Spansion专家] |
无论何时，系统软件对可靠性以及开机速度的要求都是不便的，对于NOR Flash来说，仍旧有它自身的优势。 |
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| [问：lin33018] |
这个优势是指技术方面还是市场方面呢？ |
| [答：Spansion专家] |
都有。 |
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| [问：sunrain618] |
这几种三存在PCB设计中要注意什么？ |
| [答：Spansion专家] |
对于传统的NOR或者NAND来说并没有特殊之处，而对SPI Flash来说，考虑到高频信号的影响，需要注意EMI的问题。 |
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