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| 主题：Si823x/2x ISOdriver系列： 业界最佳的单芯片隔离驱动器解决方案 | ||
| 在线问答：关于本次在线座谈如有问题，可点击这里继续提问！ | ||
| [问：chunsen] | 需要对Si823x系列的RF辐射进行屏蔽吗？如何进行？ | |
| [答：feizhang] | 不需要屏蔽。谢谢！ | [2010-7-6 10:28:38] |
| [问：lbgy] | 如何扩展ISOdriver隔离器的驱动能力？驱动能力多大？ | |
| [答：huangketao] | Si822x有0.5A和2.5A两种，而Si823x有0.5A和4A两种，驱动电流足够驱动几千瓦，十几千瓦应用场合的IGBT,MOSFET了。 另外SI822X是 | [2010-7-6 10:30:05] |
| [问：kllyj2008] | PCB布局时，独立接地和分割接地，对噪音性能有何影响？ | |
| [答：tomgao] | 独立接地: 可以防止干扰别人,和被干扰.分割接地:是把不同类的信号的地分割开来, 减少互相干扰 | [2010-7-6 10:30:09] |
| [主持人：ChinaECNet] | 各位网友大家上午好，欢迎大家参加新华龙在线座谈，目前座谈已经进入问答阶段，欢迎各位网友踊跃提问，新华龙的专家将耐心细致的为您解答问题！ | [2010-7-6 10:30:32] |
| [问：chunsen] | 数字信号的隔离和电源的隔离在选择ISOdriver系列有什么不同？ | |
| [答：tomgao] | 没有不同。数字信号隔离了，电源一定要先隔离的 | [2010-7-6 10:31:32] |
| [问：cchanggg] | Si823x系列隔离门驱动器替代光耦合器最主要的好处是什么？价格上有什么优势？ | |
| [答：feizhang] | 优点是：1、速度快；2、无老化，寿命长；3、集成度高，体积小，需要外部器件少；等；价格请咨询新华龙销售。021-61202632等 | [2010-7-6 10:32:06] |
| [问：chunsen] | Si823x系列可以直接驱动大功率IGBT的栅极吗？ | |
| [答：huangketao] | SI823X的驱动电流有0.5A和4A培两种，驱动电压标准范围为8V~24V之间，上升沿tr和下降时间tf 小于 20nS(CL = 200 pF (Si8233/4/5/6))。 所以可以之间驱动IGBT管子。 | [2010-7-6 10:33:54] |
| [问：tengzhihua] | SI823X/2X在散热和抗干扰方面设计需要注意哪些问题？谢谢 | |
| [答：tomgao] | Si823x 工作环境的温度要求不高, 抗干扰设计, 要注意以下电源的干扰. | [2010-7-6 10:34:36] |
| [问：riello] | 请专家介绍Si823x系列中的欠压锁定(UVLO)电路及其作用。谢谢！ | |
| [答：huangketao] | UVLO主要是解决 驱动侧的供电电压不稳或启动过程中电压过低，导致MOSFET/IGBT处于半导通状态（VI乘积过大），功率过大而烧坏片子。 | [2010-7-6 10:37:01] |
| [问：riello] | i823x系列中的UVLO响应时间是多少？ | |
| [答：huangketao] | SI823X的UVLO turn-on delay或UVLO turn-off delay小于50nS | [2010-7-6 10:38:03] |
| [问：zzkeng] | Si823x/2x的传播延迟和驱动速度是多少？ | |
| [答：tomgao] | 60ns延时， 输出上升，下降时间是20ns(CL=200pF) | [2010-7-6 10:38:10] |
| [问：hangeng] | 在以光耦合器为基础的方案中经常出现器件的性能因时间和温度的变化而出现衰减，ISOdriver系列在这方面是否有所改善？ | |
| [答：feizhang] | 在时间上，ISOdriver为“无老化”；在温度上，-40~125℃全温度范围保持性能； | [2010-7-6 10:39:55] |
| [问：liutao111] | ISOdriver系列和ISOpro型隔离器在性能和隔离架构上有些什么区别？ | |
| [答：huangketao] | ISODRIVER芯片将ISOLATOR的隔离技术集成到芯片里，同时增加了IGBT/MOSFET的驱动器。 所以ISODRIVER ＝ 隔离器 ＋ 驱动器； 而ISOLATOR= 隔离器; ISOPRO是silabs公司的TM名字，是ISODRIVER和ISOLATOR的总称。 | [2010-7-6 10:40:45] |
| [问：riello] | Si823x系列的RF载波调制和光耦合器的光调制有那些区别？ | |
| [答：tomgao] | 一个是数字输入， 一个是模拟输入，Si823x 支持更高的开关频率 | [2010-7-6 10:40:46] |
| [问：kllyj2008] | ISOdriver系列和ISOpro型隔离器可以相互替代吗？ | |
| [答：tomgao] | ISOdriver = ISOpro Isolato + driver | [2010-7-6 10:41:31] |
| [问：luogongqiang] | Si823x/2x ISOdriver系列的爬电距离和空气间隙分别是多少？设计时应注意什么问题？ | |
| [答：sunjiuan] | 爬电距离和空气间隙与封装有关，WB SOIC-16的封装的空所间隙是：8mm,爬电距离是：8mm.封装为：NB SOIC-8的空气间隙是：4.9mm,爬电距离是4.01mm. | [2010-7-6 10:41:58] |
| [问：shaoziyang] | 刚才看到专家介绍可以将Si823x/2x用于防雷，请问它可以用于几级防雷？在防雷时效果怎样？还需要其它电路进行保护吗？ | |
| [答：huangketao] | Si823x/2x里面有一个隔离器，可以承受5kVrms的SURGE，通过了UL-1577，VDE,CSAD等认证。 | [2010-7-6 10:42:35] |
| [主持人：ChinaECNet] | 各位网友，现在新华龙的专家正在抓紧时间回答您的问题，请大家耐心等待，请相同问题不要重复提交。如果您想咨询相关技术问题，请联系新华龙电子有限公司 电话：0755-83645240/2 EMAIL：SALES@XHL.COM.CN | [2010-7-6 10:43:37] |
| [问：luogongqiang] | 能否介绍下Si823x/2x视频隔离器的型号和主要特性？谢谢专家 | |
| [答：graceyu] | 主要型号有SI8220/S98221特性：HCPL-0302HCPL-3120TP350和类似光电驱动器的功能升级1、50ns传输延时（与输入驱动器电流无关）2、相对于光电驱动器14倍更机密的零件匹配3、2.5,3.75和5.0KVrms隔离4、瞬态抑制30KV/US5、欠压锁定保护及滞后6、康温度和老化效应7、门驱动器供电电压：6.5V到24V8、具有成本效益9、窄体SOIC-8和宽体SOIC-16封装10、符合ROHS SI823X包括：SI8230/SI8231/SI8232/SI8233/SI8234/SI8235/SI8236特点：1、一个封装内两个完全隔离的驱动器件 最好5KVRMS输入到输出隔离 最高1500VDC峰值驱动器到驱动器差分电压2、HS/LS和双驱动器版本3、0.5A峰值输出（SI8230/1/2）4\4.0A峰值输出（SI8233/4/5/6）5、60NS最大传送延时6、独立HS和LS输入或PWM输入版本7、瞬态抑制>30KV/US8、重叠保护和可编程死区时间9、-40°-+125°工作范围10、UL.VDD/CSA认证11、符合ROHS | [2010-7-6 10:44:09] |
| [问：liutao111] | 脉冲变压器相比，除了体积外，Si823x系列工作频率有何优势？ | |
| [答：tomgao] | Si823x = 脉冲变压器+驱动, Si823x速度更快些, 体积小 | [2010-7-6 10:44:59] |
| [问：luogongqiang] | 什么是时衰效应？与什么因素有关？如何抑制？ | |
| [答：sunjiuan] | 时衰效应是指随使用时间的增加，传输的性能会下降，这与隔离所使用的技术有关。普通的光耦使用的是光电部件，随着时间的增加发射和接收会有衰减，而IS822X/3X使用的射频隔离，不存在衰减的问题。 | [2010-7-6 10:45:56] |
| [问：chunsen] | Si823x系列和ISOpro型隔离器一样，也需要双电源应用吗？ | |
| [答：huangketao] | ISOPRO(Si823x和SI822x，SI84XX)是基于标准的CMOS工艺，所以两边都需要提供供电电压。 隔离器原附边的电源电压都为2.7V~5.5V（范围非常广），ISODRIVER的输出端供电电源为8V~24V,且HS/LS是支持1.5KVDC隔离的。 | [2010-7-6 10:46:29] |
| [问：bowei181] | Si823x系列隔离门驱动器无老化？它的使用温度范围是多少？ | |
| [答：feizhang] | ISOdriver在时间上无老化；使用温度范围是-40~125℃ | [2010-7-6 10:47:10] |
| [问：encaon] | 光耦+分立驱动器方案如何防止LED老化？ | |
| [答：sunjiuan] | LED是集成在光耦内的，无法解决老化的问题。这与它所使用的架构有关。所以一般使用光耦的设备的使用寿命会比较短。 | [2010-7-6 10:47:50] |
| [问：zzkeng] | Si823x/2x隔离器的输入和输出接口有什么建议？ | |
| [答：tomgao] | 是数字隔离，输入没什么特别要求，输出的电源干扰要小一点 | [2010-7-6 10:48:59] |
| [问：nkchenliy] | Si823x/2x是如何实现对死区时间控制的？ | |
| [答：tomgao] | 用外接电阻来调节 | [2010-7-6 10:49:59] |
| [问：encaon] | 在开关电源应用中，如何选择ISOdriver隔离器的传输时延？注意些什么问题？ | |
| [答：tomgao] | 对实时控制系统，延时自然是越小越好 | [2010-7-6 10:51:17] |
| [问：zzkeng] | 可编程的死区控制采用的编程软件是什么程序？ | |
| [答：tomgao] | 用外接电阻来控制 | [2010-7-6 10:52:27] |
| [问：cchanggg] | 可编程死区控制有些什么突出优点？可编程范围有多大？ | |
| [答：huangketao] | 死区时间是开关电源的关键指标，死区时间大可以有效的保护HS/LS（上管/下管）MOSFET同时导通，解决烧坏MOSFET的问题，但是死区时间过大会导致MOSFET的BODY DIODE(体二极管)长时间（死区时间）处于导通状态，而二极管的压降为0.7V,远远大于MOSFET/IGBT的Vds(on)，这样会很大的功率( Vdiode* IL = 0.7v* 几十安培)损耗。 可编程死区控制给客户带来了在选择死区时间，实现可靠性好和损坏小的设耗。 | [2010-7-6 10:53:40] |
| [问：encaon] | 双通道驱动器和单通道驱动器在应用上有什么区别？ | |
| [答：tomgao] | 双通道驱动器是数字隔离,单通道驱动器是光藕隔离, 客户可以根据具体应用来选 | [2010-7-6 10:54:05] |
| [问：shaoziyang] | Si823x的射频输出是多少频率和功率？是否会对其它RF芯片产生干扰？ | |
| [答：feizhang] | Si823x 系列使用约 700 MHz 的 RF 载波频率。 因此在此频率及谐波频率下存在少量辐射。 辐射不是来自 IC 芯片，而是由于有少量 RF 能量，用于驱动作为偶极子天线的隔离接平面。未屏蔽的 Si8230 评估板通过了 FCC B 类（第 15 部分）的认证。例如，据实测，在频率为712MHZ时，29dBμV/m，比FCC认证要求的要低8个dB.因此，不会对其他RF芯片产生干扰 | [2010-7-6 10:54:18] |
| [问：riello] | Si823x系列的RF载波频率有多高？采用什么方式调制？ | |
| [答：huangketao] | Si823x的载波频率是700MHz左右的，采用OOK方式调制。 | [2010-7-6 10:54:24] |
| [问：nkchenliy] | Si823x和Si822x的传播延迟有多少？ | |
| [答：feizhang] | Si822x的传播延迟最大为50NS;Si823x的传播延迟最大为60NS; | [2010-7-6 10:55:39] |
| [问：hangeng] | Si823x系列有得型号有重叠保护，可否介绍一下这里的重叠保护是什么意思？怎么定义的？ | |
| [答：huangketao] | OVERLAP Protection是为了保护开关电源中，上下管同时导通而设计的。 SI823X的输出端如果设置了OVERLAP保护时间，即使输入端的两个PWM信号有OVERLAP，SI823X的输出端都是不会有的。 | [2010-7-6 10:56:12] |
| [问：PacificBlue] | SL现在有无AECQ汽车等级认证的隔离驱动方案？或者至少是扩展温度等级-40～125摄氏度的方案？ | |
| [答：sunjiuan] | SI822X/3X的芯片都是-40到+125度的。 | [2010-7-6 10:56:20] |
| [问：hangeng] | 比于以光耦合器为基础的解决方案，Si823x ISOdriver系列在性能上有哪些改善？ | |
| [答：tomgao] | 体积小，熟读快，外围简单，可靠性高 | [2010-7-6 10:57:09] |
| [问：kllyj2008] | ISOdriver系列和ISOpro型隔离器相比，EMI性能有何差别？ | |
| [答：tomgao] | 基本一样的 | [2010-7-6 10:58:39] |
| [问：wdyjz] | Si823x系列隔离门驱动是如何实现信号隔离的？ | |
| [答：graceyu] | si823x通道的工作情况与光耦合器和门驱动器类似，但调制的是RF载波而不是光。一个通道包含由基于半导体的隔离屏障所分隔的一个RF发射器和一个RF接收器。对于发射器，输入A对RF振荡器利用开/关键控提供的载波进行调制。接收器含一个调制器，根据RF内部能量对输入状态进行解码，并通过输出驱动器将结果应用到输出B.这种RF开/关键控方式优于脉冲代码方式，因其能够提供最佳的噪音抑制、低能耗和更好的磁场抑制。具体更详细的资料可以参考SI823X的数据手册。 | [2010-7-6 10:59:36] |
| [问：zzkeng] | ISOdriver的高可靠性的CMOS架构是怎么样的？ | |
| [答：huangketao] | 大家都知道CMOS工艺是目前成本最低，最可靠的半导体工艺（CPU,DSP,MEMORY等等都是这个工艺）。 CMOS的器件是有一个DIE（加工后的晶片：相当于我们PCB板上的芯片）和一些互联层组成的（相当于PCB板材）。ISOdriver就是在互联层之间做了两个隔离电容（PCB多层板子之间的某两层做的电容），填充SIO2实现的隔离，通过OOK调制解调技术实现信号的传输的。 | [2010-7-6 11:00:39] |
| [问：nkchenliy] | Si823x和Si822x可否用于LED驱动？ | |
| [答：feizhang] | 从驱动能力上讲，完全可以 | [2010-7-6 11:01:18] |
| [问：livekoko] | 你们有将这个隔离和485驱动，或隔离和CAN结合的型号吗 | |
| [答：huangketao] | 目前没有，可以将RS-485/233和CAN驱动器与SI84XX隔离器集成在一起。 很多客户都是这样实现的隔离。 | [2010-7-6 11:01:49] |
| [问：liuguod] | Si823x系列多路的传输时延匹配度有多高？ | |
| [答：huangketao] | SI84XX隔离器的传输时延匹配度
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