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杨春燕 模拟及功率器件产品中心技术支持科项目经理 |
杨春燕,现任瑞萨电子APC产品中心技术支持科项目经理。负责瑞萨电子化合物产品市场推广和技术支持。杨春燕女士拥有7年射频器件行业经验,内容涵盖芯片企划,市场推广以及技术支持。 | |
姚春燕 瑞萨电子 大中国区 模拟及功率器件产品中心 市场部 副经理 |
7年电子类产业工作经验, 在市场方面,负责市场分析、产品推广计划起案、本地和全球客户的推广活动的组织及协调、新产品规划、DI和DW的项目管理、及市场价格控制。 | |
吴炳章 瑞萨电子 大中国区 模拟及功率器件产品中心 应用技术部 副经理 |
7年的电子技术及半导体应用技术支持经验,期间5年为动率器件技术支持经验。主要负责客户产品推广、技术支持和培训工作。并且协助市场和销售部门完成新产品的前期市场调研以及产品推广规划工作。 |
[ 最近 10 条问答 ] [ 全部发言 ] | ||
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友大家好,欢迎参加中电网在线座谈,今天我们邀请到瑞萨电子的专家,与大家共同探讨“瑞萨电子DrMOS 多芯片模块介绍"欢迎大家踊跃提问! | [2011-12-20 10:10:24] |
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友,我们现在已经进入问答阶段,如果您想重新观看刚才的讲解内容,请点击页面上方的“在线演示”。 | [2011-12-20 10:15:35] |
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友,我们现在已经进入问答阶段,如果您想重新观看刚才的讲解内容,请点击页面上方的“在线演示”。 | [2011-12-20 10:25:28] |
[问:charly_sun] | PCB布线有何特殊要求,有具体文档说明吗? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 我们有Layout的介绍资料。如您有需求,留下联系方式我们发给您。谢谢! | [2011-12-20 10:26:10] |
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友,今天我们依然为大家准备了购物卡等礼品。同时,2011年11月的获奖名单已经公布,请点击以下路径查看:http://seminar.eccn.com/prize/name_list_1112.htm | [2011-12-20 10:26:42] |
[问:yaoy888] | 工作电流可达多大? | |
[答:cindyyao] | 40A | [2011-12-20 10:28:14] |
[问:583199723] | 之前刚结束的瑞萨杯全国大学生电子设计竞赛还意犹未尽呢~虽然没去成北京!但学到了很多知识技术!意义非凡!瑞萨!GOOD!!! | |
[答:cindyyao] | 谢谢支持 | [2011-12-20 10:28:26] |
[问:lruny] | DrMOS和传统供电部分的MOSFET温度有什么变化? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 在效率相差不大、负载一样的情况下,温度也相差也不会太大。谢谢! | [2011-12-20 10:28:38] |
[问:lruny] | 采用QFN56无脚封装优点是?谢谢4! | |
[答:cindyyao] | 节省空间,减少一些寄生参数的影响 | [2011-12-20 10:29:05] |
[问:liang-1011] | DrMOS多芯片模块的主要功能及性能? | |
[答:yangchunyan] | 主要功能是集成了 driver 和H-S MOS ,L-S MOS,PCB尺寸更小,散热更好,降低EMI 及相关干扰。 | [2011-12-20 10:30:08] |
[问:jlll09] | 瑞萨DRMOS和普通mos相比有哪些优点? | |
[答:cindyyao] | DrMOS跟分离器件比,可以节省空间,应用方便,更低损耗/更高效率,更高的开关频率 | [2011-12-20 10:31:51] |
[问:hjb85] | DRMOS在使用中如果MOS管发热会不会导致PWM驱动内部稳定性能?这样的器件如果使用大功率的CPU(这样的CPU我不知道多少W)当电源功率达不到CPU以及主板的功耗的时候,DRMOS会不会性能不稳定? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 半导体器件有个安全工作温度范围。在这个温度范围内,器件的性能是不会受到很大影响的。而且我们的器件有双重温度保护。如果电源功率不能满足cpu需求,电源会出现过流保护。不会对后端的mos性能产生影响。 | [2011-12-20 10:32:14] |
[问:hjb85] | DRMOS和普通的MOSFET有什么区别?在超频上有帮助吗? | |
[答:yangchunyan] | Dromos 是集成了Driver 的,因为内置mos 的阻抗更低,输出电流更大,温升较低,所以在超频性能上会比大多数传统MOS 的产品好。 | [2011-12-20 10:32:29] |
[问:583199723] | 请问DrMOS多芯片模块现在有评估板吗?怎样才能试用呢?谢谢! | |
[答:cindyyao] | 有评估板的,如果有兴趣可以联系我们的,我们可以提供评估板测试 | [2011-12-20 10:32:55] |
[问:ezcui] | 多芯片化会否导致散热困难? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 在结构和布局合理的情况下,不会导致散热困难。谢谢! | [2011-12-20 10:33:08] |
[问:jlll09] | 散热怎么样? | |
[答:cindyyao] | 散热没问题的,你可以看到我们介绍文档上有一些温度的模拟数据的 | [2011-12-20 10:33:26] |
[问:ranen] | 功耗怎么样? | |
[答:yangchunyan] | Drmos 由于阻抗较小,所以损耗相对较小。 | [2011-12-20 10:33:31] |
[主持人:ChinaECNet] | 请还没有领取在线座谈奖品的网友,尽快领取您的奖品。 查看10月获奖名单:http://seminar.eccn.com/prize/name_list_1111.htm 查看11月获奖名单:http://seminar.eccn.com/prize/name_list_1112.htm | [2011-12-20 10:33:50] |
[问:jlll09] | DRMOS的工作温度范围是多少? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 我们的DrMOS具备双重温度保护功能,115度开始报警。150度时进行保护动作。谢谢! | [2011-12-20 10:34:45] |
[主持人:ChinaECNet] | 如果您想了解更多有关瑞萨电子产品的信息,欢迎访问瑞萨官网:http://cn.renesas.com。现在注册“My Renesas“帐号,更可获得工具下载、邮件信息服务等优质技术支持。 | [2011-12-20 10:35:24] |
[问:ezcui] | 除了QFN封装之外,DrMOS多芯片模块是否还有其他哪些不同的封装形式可供用户灵活选择? | |
[答:yangchunyan] | 目前主要推广QFN 封装。后续会根据客户需求有其他的封装产品推出。 | [2011-12-20 10:35:44] |
[问:lruny] | 影响MOS管性能的参数有那些? | |
[答:yangchunyan] | Rdson, Qg,Ciss | [2011-12-20 10:36:03] |
[问:hjb85] | R2J20702NP比R2J20701NP的成本是不是要高? | |
[答:cindyyao] | 不是的,702比较好点 | [2011-12-20 10:36:25] |
[问:sky.sun.zz] | 可以输出多大电流? | |
[答:cindyyao] | 40A | [2011-12-20 10:37:13] |
[问:lruny] | DrMOS部分的最大温度是? | |
[答:yangchunyan] | 大多数产品都是150摄氏度。 | [2011-12-20 10:37:14] |
[问:tengzhihua] | 功率最大可以支持多大? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 我们的输出电流最大支持有35A和50A.谢谢! | [2011-12-20 10:38:00] |
[问:lruny] | 高端显卡供电方案是否采用了DrMOS? | |
[答:cindyyao] | 是的,而且很流行 | [2011-12-20 10:38:22] |
[问:ezcui] | DrMOS多芯片模块具有降耗节能优势吗? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 有降耗节能优势。谢谢! | [2011-12-20 10:38:33] |
[问:ranen] | 价格怎么样? | |
[答:cindyyao] | 还可以,其实跟分离方案差距不太大 | [2011-12-20 10:38:47] |
[问:wdyjz] | 12VVcin的IC型号请推荐几款具体的型号,我对此感兴趣。 | |
[答:cindyyao] | R2J20658NP, R2J20657NP | [2011-12-20 10:39:21] |
[问:wdyjz] | PWM生成模块,如何实现高精度的频率调节(比如,每次增加1Hz,基础频率40kHz。 | |
[答:yangchunyan] | PWM 频率要看是模拟IC和数字IC,目前模拟类IC 还没有见过可以每次1HZ增加的,即使是数字IC,大多数产品也是以KHZ为调频技术 | [2011-12-20 10:39:29] |
[问:jida_song] | 请问如何下载相关资料? | |
[答:yangchunyan] | 中电网后续会PASS出相关资料,也可以给中电网留言。 | [2011-12-20 10:40:23] |
[问:easewind] | 在未来的应用上是否有好的趋势? | |
[答:cindyyao] | 有的,尤其是现在小型化趋势比较受欢迎的情况下,DrMOS是一种趋势 | [2011-12-20 10:40:33] |
[问:WhiteTiger] | DrMOS产品的驱动电压为多少伏?可以3.3V驱动吗? | |
[答:wubingzhang] | 您好: DrMOS的驱动电压有两种:5V/ 3.3V。谢谢! | [2011-12-20 10:40:50] |
[问:ezcui] | DrMOS多芯片模块的可靠性有无保障?MTBF水平多高? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 我们经过严格的测试评估。绝对保证产品的可靠性和一致性。谢谢! | [2011-12-20 10:42:17] |
[问:hjb85] | R2J20702NP的评估板如何获得?有没有免费的试用? | |
[答:cindyyao] | 可以的,联系我们 | [2011-12-20 10:42:26] |
[问:yxhua] | DrMOS器件是否主要应用在AC/DC或DC/DC转换器上? | |
[答:cindyyao] | DC/DC | [2011-12-20 10:43:27] |
[问:liang-1011] | DrMOS的功率多大? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 我们最大支持35安培输出电流。谢谢! | [2011-12-20 10:43:38] |
[问:dwwzl] | 无脚封装的QFN如何焊接? | |
[答:yangchunyan] | 1.可以通过热风枪焊接,2.电烙铁功力好的话,用电烙铁也可以焊接上去。3.工厂都是通过贴片机,然后过回焊炉焊接 | [2011-12-20 10:43:38] |
[问:sohowork] | DrMOS目前的应用主要在哪些方面? | |
[答:cindyyao] | VGA, M/B,非隔离DC/DC, PC等等 | [2011-12-20 10:44:27] |
[问:lruny] | 影响MOS管性能的参数有那些?谢谢 | |
[答:yangchunyan] | Rdson ,Vdss,Qg,Id,Ciss. | [2011-12-20 10:45:21] |
[问:wdyjz] | DrMOS主要的封装形式为?最大的负载电流和开关频率呢? | |
[答:cindyyao] | 6x6, 8x8的贴片的 电流:40A,频率:1MHz | [2011-12-20 10:47:39] |
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友,本次座谈的演示及问答内容,将于今天下午开始在中电网进行回放,同时还提供本次座谈的PPT内容下载,请大家关注中电网的更新。 | [2011-12-20 10:47:45] |
[问:ezcui] | “在结构和布局合理的情况下,不会导致散热困难”,请教专家:具体布局应注意哪些关键性问题呢? | |
[答:yangchunyan] | 散热要从两方面考虑,1>.产品本身的热损耗,2>.通过PCB布线.通常在布线方面要考虑Phase,Vin 尽量铺大地整块的shape,尽量减小PCB的阻抗,目前大的板卡厂的高端产品,如华硕的玩家国度系列,都会通过增加PCB的层数,增加PCB 铜箔厚度的方式,增加板端散热。 | [2011-12-20 10:48:49] |
[问:sohowork] | 感觉用在我的12V太阳能LED系统应该是可以的 | |
[答:yangchunyan] | 要看你具体的应用参数,和输出电流的要求。 | [2011-12-20 10:49:24] |
[问:lruny] | R2J20602NP是R2J20601NP的升级产品吗? | |
[答:cindyyao] | 是的,但是现在602也不是我们主推的产品了,现在主推得6x6的是R2J20657/658/655/654/656, 主推8x8的是R2J20608NP/609NP | [2011-12-20 10:50:23] |
[问:lruny] | 是否与其他产品引脚安排兼容?谢谢! | |
[答:cindyyao] | 是的,有跟AOS, Infineon, Fairchild 有些产品是可以PIN TO PIN兼容的。 | [2011-12-20 10:51:09] |
[问:xqh518] | 请问:DrMOS的控制是接收模拟信号、数字信号还是脉冲信号?最大输出电流达到40-50安培,作为小型直流电机的驱动还需主要哪些问题?谢谢。 | |
[答:wubingzhang] | 您好: DrMOS是外部PWM信号控制源。驱动小型直流电机要考虑它的电压。谢谢! | [2011-12-20 10:51:25] |
[问:wting_wu] | 单个"DRMOS"MOSFET最大可承载电流是多少? | |
[答:cindyyao] | 40A或者35A,产品比较多,所以不同的产品承载的电流不一样 | [2011-12-20 10:51:49] |
[问:yxhua] | DrMOS器件能否用在D类音频放大器上? | |
[答:cindyyao] | 可以用 | [2011-12-20 10:52:21] |
[问:WhiteTiger] | DrMOS是如何进行热处理的,有哪些优势? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 我们有双重的热保护。谢谢! | [2011-12-20 10:52:41] |
[主持人:ChinaECNet] | 如果您想了解更多有关瑞萨电子产品的信息,欢迎访问瑞萨官网:http://cn.renesas.com。现在注册“My Renesas“帐号,更可获得工具下载、邮件信息服务等优质技术支持。 | [2011-12-20 10:52:44] |
[问:yxhua] | DrMOS器件的效率能达到多高? | |
[答:wubingzhang] | 您好: DrMos效率最高能达到90%以上。谢谢! | [2011-12-20 10:53:20] |
[问:hjb85] | 瑞萨公司有没有关于DrMOS的选型指南? | |
[答:cindyyao] | 有的,我们的介绍资料上面已经包含的我们现有的主推的所有产品的 | [2011-12-20 10:53:20] |
[问:wting_wu] | DRMOS的热功耗小,发热量也不是也很低啊,那温度在多少度。 | |
[答:yangchunyan] | 热功耗小,发热量相对也会较低。 | [2011-12-20 10:54:39] |
[问:sduboy] | 请问贵公司的DrMOS多芯片模块在通讯产品中的应用场景有哪些?是否有相关案例介绍?谢谢! | |
[答:cindyyao] | 这个也是我们产品有很大机会的一个应用,主要是非隔离模块或者一些在板电源,输入12V/5V,输出3.3V/1.xV的一些应用 | [2011-12-20 10:55:02] |
[主持人:ChinaECNet] | 请还没有领取在线座谈奖品的网友,尽快领取您的奖品。 查看10月获奖名单:http://seminar.eccn.com/prize/name_list_1111.htm 查看11月获奖名单:http://seminar.eccn.com/prize/name_list_1112.htm | [2011-12-20 10:56:12] |
[问:wdyjz] | DrMOS的散热性能如何?需要配备何种散热条件 | |
[答:yangchunyan] | 这个需要根据你的实际应用考虑,在额定电流之内,且不产生热重叠的基础上,只要注意PCB布线就可以了。 | [2011-12-20 10:56:18] |
[问:czmoo] | DrMOS多芯片模块在价格上会有竞争优势吗? | |
[答:cindyyao] | 有的 | [2011-12-20 10:56:25] |
[问:bjfine] | 该产品的老化特性如何? | |
[答:cindyyao] | 没问题,如果需要我们有可靠性测试的相关数据的 | [2011-12-20 10:57:07] |
[问:yxhua] | DrMOS器件的最高工作电压有多高? | |
[答:cindyyao] | 27V | [2011-12-20 10:57:25] |
[问:xqh518] | DrMOS好像是一种新型功率器件,看应用举例好像还要加控制部分,频率又达到300KHz,又有点像高频器件。请问如何称呼这种模块? | |
[答:yangchunyan] | Drmos 就是在把传统的Drver IC,MOS集成在一起,采用RENESAS 独特的半导体制程和技术工艺。可以叫Drmos模块 | [2011-12-20 10:58:10] |
[问:yxhua] | DrMOS器件的EMI性能如何?如何降低功率DrMOS器件的EMI? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 虽然它是高频器件,但是它的EMI性能非常优越。谢谢! | [2011-12-20 10:58:18] |
[问:lruny] | 与以前的产品相比,R2J20602NP的功率损耗能降低多少? | |
[答:cindyyao] | 我们现在主推R2J20658NP/657/654等,R2J20602NP已经不主推了 | [2011-12-20 10:58:37] |
[问:wdyjz] | DrMOS有超声波电源的应用案例吗? | |
[答:yangchunyan] | 目前主要在PC板卡电源领域,具体应用在那个领域,请根据产品参数及特性考量。 | [2011-12-20 10:59:12] |
[问:Fermat_MGJ] | 请问贵公司的DRMOS好不好用来作为驱动IGBT的驱动芯片? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 应用的领域不同,跟器件匹配会不一样。IGBT应当选择专用的驱动芯片。谢谢! | [2011-12-20 10:59:22] |
[问:yxhua] | 如何选用DrMOS器件?哪些参数是要特别注意的? | |
[答:cindyyao] | 最大输入电压,最大输出电流,效率,热性能等 | [2011-12-20 10:59:35] |
[问:yxhua] | DrMOS器件并联使用时需要注意那些条件和采用的安全措施? | |
[答:yangchunyan] | 可以在并联Drmos 之间加一个0 ohm 电阻,这样就可以在并联和独立使用之间,多了一种选择。 | [2011-12-20 11:00:21] |
[问:WhiteTiger] | 采用DrMOS工艺的器件,输出VOUT的纹波为多少?有哪些特点? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 合理布局和散热设计为关键因素。谢谢! | [2011-12-20 11:00:25] |
[问:ezcui] | 模块的多芯片化是否会牺牲可靠性呢? | |
[答:cindyyao] | 不会,我们的产品都会有相应的比较严格的可靠性的测试的 | [2011-12-20 11:01:13] |
[问:yxhua] | DrMOS多芯片模块是否具有保护功能?如果有,有那些保护功能? | |
[答:yangchunyan] | 有热保护,和热警告功能 | [2011-12-20 11:02:03] |
[问:xqh518] | 请问:需要20702NP的评估板与谁联系? | |
[答:cindyyao] | 可以的,你可以留下联系方式给我们,我们联系你 | [2011-12-20 11:02:14] |
[问:ezcui] | “Dromos是集成了Driver的”,此举会否增大器件的散热困难? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 集成了Driver后,器件的体积会大大缩小。散热空间也会增大。谢谢! | [2011-12-20 11:02:23] |
[主持人:ChinaECNet] | 如果您想了解更多有关瑞萨电子产品的信息,欢迎访问瑞萨官网:http://cn.renesas.com。现在注册“My Renesas“帐号,更可获得工具下载、邮件信息服务等优质技术支持。 | [2011-12-20 11:02:39] |
[问:liuhanjiayou] | R2J20702NP8*8两通道EVB有什么优点? | |
[答:cindyyao] | 效率高,体积小 | [2011-12-20 11:02:42] |
[问:wdyjz] | DrMOS除了具有过热保护外,是否具备防止瞬间脉冲电流冲击的安全性?参数选型时,对于电流值的裕量如何考虑? | |
[答:yangchunyan] | 目前产品主要是热保护及热警告功能,后续产品会考虑加入OCP等其他功能。 | [2011-12-20 11:02:58] |
[问:liuhanjiayou] | DrMos的A版与B版各应用在什么领域比较合适?在选择时应考虑哪些因素? | |
[答:yangchunyan] | 在POWER 相关的板卡领域都可以应用,选择时主要考虑PCB尺寸,电流,电压,和COST 等因素。 | [2011-12-20 11:05:27] |
[问:yxhua] | DrMOS器件的功率有多高? | |
[答:cindyyao] | 最大输出电流40A | [2011-12-20 11:06:44] |
[问:charly_sun] | 需要Layout的介绍资料,charly_sun@sina.com谢谢! | |
[答:cindyyao] | 好的 | [2011-12-20 11:07:30] |
[问:yxhua] | DrMOS器件最高使用频率有多高? | |
[答:cindyyao] | 1MHZ | [2011-12-20 11:07:41] |
[问:yxhua] | DrMOS器件的导通电阻能达到多少?控制部分和那些逻辑电平兼容? | |
[答:wubingzhang] | 您好: PWM信号都能兼容。谢谢! | [2011-12-20 11:07:45] |
[问:yxhua] | DrMOS器件的负载能力有多大? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 我们最大支持有40安培和50安培。谢谢! | [2011-12-20 11:08:12] |
[问:lruny] | R2J20602NP的最大输出电流是多少A? | |
[答:cindyyao] | 40A | [2011-12-20 11:08:26] |
[问:yxhua] | 为了安全可靠,DrMOS多芯片模块的应用参数与额定参数应留有多大的余量? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 我们留有20%以上的余量。谢谢! | [2011-12-20 11:09:08] |
[问:stclq] | 可以适应的工作温度范围是多少? | |
[答:yangchunyan] | 150C以内 | [2011-12-20 11:09:24] |
[问:ezcui] | DrMOS多芯片模块的投资费用是否昂贵?具体的性价比如何? | |
[答:cindyyao] | 跟分离的比差距不大 | [2011-12-20 11:09:54] |
[主持人:ChinaECNet] | 如果您想了解更多有关瑞萨电子产品的信息,欢迎访问瑞萨官网:http://cn.renesas.com。现在注册“My Renesas“帐号,更可获得工具下载、邮件信息服务等优质技术支持。 | [2011-12-20 11:10:03] |
[问:WhiteTiger] | 请问如何解决DrMOS器件发热通过电路板传导给其它器件造成的影响? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 通过合理布局和结构散热可以很好的解决散热问题。谢谢! | [2011-12-20 11:10:15] |
[问:liuhanjiayou] | POL-sip8*8与6*6各应用在哪些领域? | |
[答:yangchunyan] | POL-sip8*8与6*6的应用领域并没有特别区分,主要考虑客户的板卡尺寸而定。 | [2011-12-20 11:10:27] |
[问:liuhanjiayou] | DrMos与Pol-sip的相同点有哪些? | |
[答:cindyyao] | DrMOS是Driver IC加上下mos管的,POL-SIP是含有Control IC包含在一起的。 | [2011-12-20 11:10:49] |
[问:liuguod] | 使用POL-SiP器件时如何进行回路补偿? | |
[答:yangchunyan] | 这个要根据具体的PWM 控制IC而定。Voltage mode, Current mode 的PWM IC会有差异。 | [2011-12-20 11:12:00] |
[问:HXM9531] | 40A需要配多大的散热片? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 散热片根据您的空间大小和热量控制能选定。谢谢! | [2011-12-20 11:12:15] |
[问:liuguod] | POL-SiP器件主要用在那些领域?需要和DrMOS器件配套使用吗? | |
[答:cindyyao] | 开关电源,不需要和DrMOS配套使用,他们是差不多的东西,只是pol-sip比DrMOS 多加了PWM IC。 | [2011-12-20 11:12:32] |
[问:lruny] | DrMOS?Driver+MOS | |
[答:cindyyao] | 对的 | [2011-12-20 11:12:42] |
[问:gaon] | 布线时有搞干扰的特别要求吗 | |
[答:wubingzhang] | 您好: 布线一样遵循短粗的原则。并作好干扰防护,避免信号受干扰和干扰其他器件的工作。谢谢! | [2011-12-20 11:13:52] |
[问:liuguod] | MOSFET较容易烧毁,DrMOS器件有此问题吗?在设计和使用时如何防范? | |
[答:cindyyao] | 功率器件都会有这样的问题,合理的设计可以避免这样的问题 | [2011-12-20 11:13:59] |
[问:ezcui] | 瑞萨DrMOS多芯片模块的设计开发是否具备优越的前瞻性? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 这是市场趋势。谢谢! | [2011-12-20 11:14:18] |
[问:lruny] | DrMOS的主要特点是什么? | |
[答:yangchunyan] | PCB尺寸小,热损耗低,EMI干扰低。 | [2011-12-20 11:14:38] |
[问:ezcui] | 瑞萨DrMOS多芯片模块是否具备超强的抗干扰性能? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 是的!谢谢! | [2011-12-20 11:14:51] |
[问:liuguod] | 在设计PCB时,应该如何考虑DrMOS器件的散热问题? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 着重考虑散热的结构设计和布局。谢谢! | [2011-12-20 11:15:39] |
[问:ezcui] | 多个芯片集成在同一个模块内是否也会产生哪些不利影响或弊端? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 不会。谢谢! | [2011-12-20 11:15:54] |
[主持人:ChinaECNet] | 如果您想了解更多有关瑞萨电子产品的信息,欢迎访问瑞萨官网:http://cn.renesas.com。现在注册“My Renesas“帐号,更可获得工具下载、邮件信息服务等优质技术支持。 | [2011-12-20 11:16:10] |
[问:zjpxu] | DrMOS多芯片在防止发热上采取什么样的措施呢? | |
[答:wubingzhang] | 您好: DrMOS根据工作条件的不同,在结构上也有不同的设计,以便器件的散热性能得到最大发挥。谢谢! | [2011-12-20 11:17:32] |
[问:liuguod] | DrMOS器件的热阻有多少?如何确定?使用时需要加散热器吗? | |
[答:cindyyao] | 产品线比较多,不同的产品热阻不同,如果你对哪一个产品感兴趣,可以看下我们的规格书,上面都有详细的数据的 使用时加不加散热器看你个人需要,可以加可以不加,不加就主要靠PCB散热,加的话对散热会好点 | [2011-12-20 11:17:51] |
[问:liuhanjiayou] | 目前DrMos8*8产品还有哪些地方需要改善? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 目前来看,性能表现得非常良好。谢谢! | [2011-12-20 11:19:03] |
[问:liuguod] | 请问专家,POL-SiP器件并联使用时需要特别注意什么问题? | |
[答:yangchunyan] | 主要注意PCB走线要等长,线与线之间要保持一定距离,避免干扰。 | [2011-12-20 11:19:36] |
[问:liuhanjiayou] | Pol-sip的可靠性与稳定性怎么样? | |
[答:yangchunyan] | Pol-sip 的可靠性和稳定性较传统分立产品都会更高。 | [2011-12-20 11:20:15] |
[问:liuguod] | 演示中所说的20A电流,是否需要另加散热器? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 只要热性能ok,散热器可以选择性使用。谢谢! | [2011-12-20 11:20:47] |
[问:泥鳅] | 请问专家:讲演PPT的第8页“DrMOS产品阵容”表格中的“P”表示何意? | |
[答:cindyyao] | 没特别的意思,相当于钩,就是代表有这个功能 | [2011-12-20 11:20:59] |
[问:liuguod] | 从可靠性角度考虑,DrMOS器件和POL-SiP器件在使用中务须特别注重哪些问题? | |
[答:yangchunyan] | DrMOS器件和POL-SiP器件在并联时主要注意CLK 和PWM 控制线要保持等长,避免产生传输延时。 | [2011-12-20 11:21:39] |
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友,今天我们依然为大家准备了购物卡等礼品。同时,2011年11月的获奖名单已经公布,请点击以下路径查看:http://seminar.eccn.com/prize/name_list_1112.htm | [2011-12-20 11:21:52] |
[问:liuguod] | 影响POL-SiP器件效率的主要因素有那些?目前最高效率能达到多少? | |
[答:yangchunyan] | POL-SiP器件的效率主要和频率及集成MOS 的Rdson等参数有关,目前效率可以做到94%左右。 | [2011-12-20 11:22:36] |
[问:liuhanjiayou] | 在使用中,DrMos6*6mm相比DrMos8*8mm的优势有哪些? | |
[答:cindyyao] | 省空间 | [2011-12-20 11:27:17] |
[问:czmoo] | DrMOS多芯片模块已批产并投放市场了吗? | |
[答:cindyyao] | 是的,很多产品都有大批量出货的 | [2011-12-20 11:27:43] |
[问:siceng] | 整合驱动IC的DrMOS是否只有瑞萨有,瑞萨的整合驱动IC的DrMOS,在行业内有何性价比优势? | |
[答:cindyyao] | 不是,还有别的家。瑞萨的性价比是很高的,而且瑞萨是这个产品的鼻祖 | [2011-12-20 11:29:02] |
[问:jufengzhiyi] | PCB干扰问题如何防护? | |
[答:cindyyao] | 合理布局,滤波,我们有专门的LAYOUT的指引向导的 | [2011-12-20 11:29:57] |
[问:siceng] | 咱们的qFn封装,是在芯片背面有56个连接Pin吗 | |
[答:cindyyao] | 6x6的是40个pin,8x8的是56个pin的 | [2011-12-20 11:31:13] |
[问:liuguod] | 请问专家,开关电源中会产生尖峰电压,它对DrMOS器件的影响有多大?容易损坏吗? | |
[答:yangchunyan] | 尖峰电压对Drmos 的影响很大,当尖峰电压超过MOS 的VDS 值时,很容易造成MOS 损坏。 | [2011-12-20 11:32:16] |
[主持人:ChinaECNet] | 如果您想了解更多有关瑞萨电子产品的信息,欢迎访问瑞萨官网:http://cn.renesas.com。现在注册“My Renesas“帐号,更可获得工具下载、邮件信息服务等优质技术支持。 | [2011-12-20 11:34:03] |
[问:liuhanjiayou] | 在使用中,如何对R2J20608NP与R2J20609NP进行选择? | |
[答:cindyyao] | 支持的最大输入电压不一样,看你的应用环境学则 | [2011-12-20 11:34:40] |
[问:liuhanjiayou] | POL-sip6*6产品相对于老一代的8*8产品的优点是什么? | |
[答:cindyyao] | 性价比更高 | [2011-12-20 11:35:02] |
[问:wdyjz] | DrMOS5V驱动逻辑的IC的负载电流可承受多大? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 负载电流最大可以支持40A。谢谢! | [2011-12-20 11:36:06] |
[问:tengzhihua] | 输入电压最大是多少? | |
[答:yangchunyan] | 27V | [2011-12-20 11:38:25] |
[问:liuguod] | 造成MOSFET发热烧坏的原因主要有哪些? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 造成MOSFET发热烧坏的直接原因是器件的电流过大,造成过热而烧坏。负载过大、桥臂短路等等情况都可能引起此类问题。谢谢! | [2011-12-20 11:38:32] |
[问:liuhanjiayou] | 在同一系统中多次使用DrMos产品会不会带来负面影响? | |
[答:cindyyao] | 不会 | [2011-12-20 11:39:31] |
[问:siceng] | designtools除了网站,有没有可供下载的软件呀 | |
[答:yangchunyan] | 目前没有其他途径 | [2011-12-20 11:40:02] |
[问:wdyjz] | DrMOS多芯片可以并联输出吗? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 可以!谢谢。 | [2011-12-20 11:40:17] |
[问:QZDZ] | DrMOS容许最高结温是多少度? | |
[答:yangchunyan] | 150°C | [2011-12-20 11:40:46] |
[问:liuhanjiayou] | 瑞萨双重过热保护功能是怎样实现的? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 通过热点温度感应,芯片能识别外部的温度,根据温度的不同数值进行控制。谢谢! | [2011-12-20 11:41:35] |
[问:lruny] | 专门为12v输入的低电压输出应用优化的产品有那些? | |
[答:cindyyao] | R2J20657NP/658/654 | [2011-12-20 11:46:32] |
[问:ezcui] | 该多芯片模块具体带有哪些实用接口? | |
[答:cindyyao] | 可以看下我们的规格书,上面有比较详细的介绍 | [2011-12-20 11:47:00] |
[问:ezcui] | 温漂程度如何? | |
[答:yangchunyan] | 很稳定 | [2011-12-20 11:47:54] |
[问:easewind] | 在零件设计上是否经过工厂贴片加工? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 否。谢谢! | [2011-12-20 11:47:56] |
[问:ezcui] | 设计PCB时对抑制电磁干扰应采取哪些具体措施?有必要加屏蔽罩吗? | |
[答:wubingzhang] | 您好: 首先应从PCB 布板来很好的控制干扰渠道。在电路设计中应当根据需求增减吸收电路。最后考虑是否加屏蔽。谢谢! | [2011-12-20 11:49:36] |
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友,本次座谈的演示及问答内容,将于今天下午开始在中电网进行回放,同时还提供本次座谈的PPT内容下载,请大家关注中电网的更新。 | [2011-12-20 11:50:07] |
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友,本次座谈的演示及问答内容,将于今天下午开始在中电网进行回放,同时还提供本次座谈的PPT内容下载,请大家关注中电网的更新。 | [2011-12-20 11:53:22] |
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友,由于时间的关系,我们今天的座谈到这里就结束了,感谢您的参与! | [2011-12-20 11:55:24] |
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