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条问答 ] [ 全部发言 ] |
| [主持人：ChinaECNet] |
各位网友大家上午好，欢迎参加中电网在线座谈，今天我们邀请到Spansion的专家，与大家共同探讨“提高系统可靠性之NAND闪存的应用设计”，欢迎大家踊跃提问！ |
[2013-9-11 10:19:45] |
| [主持人：ChinaECNet] |
各位网友，现在我们已经进入问答环节，如果您想重复观看刚才播放的演讲内容，请点击页面上方的“在线演示”。 |
[2013-9-11 10:19:54] |
| [问：xqh518] |
请问：这个闪存主要是用于PC还是移动设备？谢谢 |
| [答：Luke] |
嵌入式设备 |
[2013-9-11 10:26:05] |
| [问：xin123qin] |
这可存储芯片的存储量及功耗，通信速度？ |
| [答：Luke] |
有各种不同的型号，具体请上我们的官网下载数据手册。 |
[2013-9-11 10:26:58] |
| [问：hwdz] |
BLOCK0一样也是会受读影响的吧？虽然保证了1000次擦写，但是如果有足够多次启动，不是可能也会发生扰动，造成BOOTLOADER出错吗？而且BOOTLOADER的PART1无法ECC的话，还是会无法启动啊？ |
| [答：Danny] |
boot区域的数据一般很少更新，1000次基本足够。至于读造成的影响，通常一个产品在其生命周期内也不太可能有超过一百万次启动的情形。现在很多主芯片会对part1做hardware ECC 校验 |
[2013-9-11 10:29:20] |
| [问：pyjhhh] |
扩展区可以给用户使用么？ |
| [答：Danny] |
可以的，Spare area跟main area本质上没有什么不同，也可以用来存放用户数据。 |
[2013-9-11 10:30:19] |
| [问：zhuzibaijia1215] |
NORFLASH与NANDFLASH的区别是什么呢 |
| [答：Danny] |
最大的区别是NAND有坏块，需要ECC支持。 至于更具体的区别，可能没有办法在此一一赘述，请谅解 |
[2013-9-11 10:33:14] |
| [问：dabieshan] |
“提高系统可靠性”这个标题有点大啊，那么系统可靠性都有哪些方面呢？ |
| [答：Danny] |
演示的最开头解释了，这里说的系统可靠性，主要是针对FLASH数据的可靠性 |
[2013-9-11 10:34:40] |
| [问：WhiteTiger] |
SLC与MLC有哪些区别？ |
| [答：Danny] |
请参看演示的第五页，那个表总结了SLC和MLC的使用上的区别 |
[2013-9-11 10:37:52] |
| [问：hwdz] |
以前只听说SSD的控制芯片上有这种均衡算法，那么在一般的U盘或SD卡上，是否有类似UBI的均衡算法呢？还是必须由上层的应用来保证？比如一个8G的U盘，存了4个G，删掉重写，它使用的块是另外4G优先，还是像硬盘一样从头重新使用呢？ |
| [答：Danny] |
SD卡的均衡算法怎么设计由其内部的控制器设计决定，这部分的设计一般有专利保护，外界能了解到的信息不多。我认为应该也是全局均衡的。 |
[2013-9-11 10:42:48] |
| [问：zdsine] |
你好，能共享下PPT吗？谢谢，今天很有收获 |
| [答：Danny] |
我们每个座谈都有一个回放的页面，包括presentation和问答, 后续您可以继续访问此网站了解相关内容。谢谢。 |
[2013-9-11 10:43:45] |
| [主持人：ChinaECNet] |
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[2013-9-11 10:45:50] |
| [问：online_radio] |
哪些因素会影响闪存内容丢失或者损坏？ |
| [答：Robert] |
要先看数据是大面积丢失还是只是bit翻转，如果是固定位置的丢失，要检查一下CPU上下电是否有作用于flash的波形出来，对于Nand flash，是允许位翻转的，确定ECC算法有用上。如果数据丢失可以比较容易的复现，要检查一下芯片是否损坏了。多数情况下，误操作或者CPU发出的杂波导致闪存内容丢失比较多见。 |
[2013-9-11 10:47:24] |
| [问：CMika] |
FLASH数据的可靠性有什么提升 |
| [答：Danny] |
如果遵循NAND FLASH的使用限制，可以延长FLASH 使用寿命，同时可以使里面的数据保持更久。这样FLASH数据的可靠性就得到提升 |
[2013-9-11 10:48:11] |
| [问：charly_sun] |
目前NANDFLASH最大擦写次数到底能达到什么水平?不是理论值，是实际情况? |
| [答：Robert] |
看工艺而定，SLC的一般是能达到100K次的。MLC的要差，5000次左右。 |
[2013-9-11 10:48:51] |
| [问：o0pingu0o] |
请问NAND一般应用在什么场合比较合适，比较多些？ |
| [答：Danny] |
从容量的角度看 1/2/4/8 Gbit一般用SLC NAND比较多， 再高容量就是用MLC了。SLC NAND目前一般用在PON/DSL/TV/STB/GPS等应用场合 |
[2013-9-11 10:51:23] |
| [问：lh130748] |
NAND闪存有哪些特点 |
| [答：Luke] |
容量大，单位容量价格便宜。但是使用时需要关注坏块、ECC校验、均衡等。 |
[2013-9-11 10:51:34] |
| [问：87672844] |
这个有什么发展前境？ |
| [答：Robert] |
你是指Nand flash有什么发展前景么？ |
[2013-9-11 10:51:44] |
| [问：CMika] |
这个用于嵌入式设备有什么实例吗 |
| [答：Danny] |
SLC NAND目前一般用在PON/DSL/TV/STB/GPS等场合,配合的系统一般是LINUX或者WINCE |
[2013-9-11 10:52:20] |
| [问：zwjiang] |
有没有工业级或汽车级的产品？ |
| [答：Luke] |
Spansion的SLC nand 有工业级和汽车级的产品。 |
[2013-9-11 10:53:47] |
| [主持人：ChinaECNet] |
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[2013-9-11 10:54:24] |
| [问：o0pingu0o] |
请问有SPI或者I2C的NAND芯片么？除了SD卡那种的。 |
| [答：Robert] |
有的，目前市面上是有SPI Nand的 |
[2013-9-11 10:55:00] |
| [问：o0pingu0o] |
NAND相对于FLASH的特点有哪些？ |
| [答：Danny] |
NAND FLASH就是FLASH的一种，演示讲稿第5页列举了NOR/SLC NAND/MLC NAND这三种常见的FLASH类型的差异 |
[2013-9-11 10:56:57] |
| [问：o0pingu0o] |
请问这个速度能到多快呀？能擦写多少次呀？ |
| [答：Robert] |
read 速度 25us, program 速度200us/page, erase 速度 2ms/block. 擦写次数100K次。 |
[2013-9-11 10:58:55] |
| [问：a20084666] |
处理的速度是多少 |
| [答：Stuart] |
写入时间200us，擦除时间2ms |
[2013-9-11 10:59:21] |
| [主持人：ChinaECNet] |
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[2013-9-11 11:00:42] |
| [问：WhiteTiger] |
请问贵公司有四线制SPIFlash吗？有哪些型号？ |
| [答：Stuart] |
Spansion FL1K，FLS 系列SPI flash都可以工作在四线模式。 |
[2013-9-11 11:01:27] |
| [问：WhiteTiger] |
请问现在的FLASH在功耗上有降低吗？ |
| [答：Robert] |
目前的最大的工作电流在30mA, 待机电流在10uA。 |
[2013-9-11 11:02:42] |
| [问：hjb85] |
SPANSION的NANDflash最大容量多少? |
| [答：Robert] |
8Gb |
[2013-9-11 11:03:03] |
| [问：cat3902982] |
请问下，我们在买一些嵌入式开发板的时候，老再说FLASH是MLC还有SLC这两个究竟有多大区别啊？ |
| [答：Stuart] |
MLC和SLC的结构有所差异，SLC的稳固性要好于MLC，而容量上MLC可以做的比SLC大。 |
[2013-9-11 11:03:26] |
| [问：hjb85] |
如何可以延长NANDflash的使用寿命？ |
| [答：Robert] |
按照我们今天讲解的内容来设计，主要是做好wear level设计，可以延长使用寿命。 |
[2013-9-11 11:04:12] |
| [问：xqh518] |
请问：今天介绍的闪存主要用于嵌入式系统，那它与单片机、人机界面结合可以吗，在这些设备里使用有什么特别要求吗？谢谢 |
| [答：Stuart] |
存储器是通用设备，不只使用在嵌入式系统中，在很多领域只要需要存储器的地方都可以使用，Spansion产品有工业级和汽车级，可满足绝大多数要求。 |
[2013-9-11 11:05:22] |
| [问：hjb85] |
SPANSION的NANDflash写速度有多快？ |
| [答：Stuart] |
Spansion nand flash 写入时间为200us。 |
[2013-9-11 11:06:20] |
| [问：hwdz] |
刚刚致电了Kingston官方的技术支持，他们说SD和U盘芯片没有均衡算法，都是由操作系统来保证的，所以看来使用SD卡的应用，需要自己在上层写带均衡功能的应用程序了。 |
| [答：Danny] |
我觉得还是有的，因为如果没有均衡，并且卡快写满的时候，这个时候再往里面反复写数据就很危险了， 因为SD卡一般用MLC，擦写次数很低的。 |
[2013-9-11 11:10:38] |
| [问：hjb85] |
一般最影响NANDflash的寿命是那些因素？ |
| [答：Robert] |
1）算法 2）有无过载 3）是否受外界的EOS 都会影响 nand flash的使用寿命 |
[2013-9-11 11:10:49] |
| [问：WhiteTiger] |
为保证FLASH可靠性，除ECC,还有哪些比较好的算法？ |
| [答：Danny] |
还有就是要采用扇区擦写均衡算法，特别是全局的，静态类型的算法 |
[2013-9-11 11:12:26] |
| [问：yxhua] |
一般MLC的成本会有更大优势，SLC的优势一般体现在哪？ |
| [答：Robert] |
1）可靠性， 2）使用寿命 3）速度比MLC的要快， 此外小容量的Nand flash基本上都集中在SLC上， MLC主要是用来做大容量的 |
[2013-9-11 11:13:56] |
| [问：yxhua] |
MLC与SLC一般都用于哪些场合？ |
| [答：Stuart] |
对于数据安全性要求高，软件负担小的地方建议使用SLC，对于数据非常大但又要求低成本的应用，只能选择MLC。 |
[2013-9-11 11:14:15] |
| [问：yxhua] |
目前生产MLC有那些厂家？ |
| [答：Danny] |
TOSHIBA,MICRON,SAMSUNG,HYNIX。 SPANSION主要是NOR和SLC |
[2013-9-11 11:14:54] |
| [问：liutao111] |
现在基于SPI的NANDflash速度如何？ |
| [答：Stuart] |
目前spanion提供的nand flash都为8位数据线。 |
[2013-9-11 11:15:02] |
| [问：liutao111] |
现在一般的OS是否都支持NANDflash？ |
| [答：Stuart] |
现在os系统基本都支持nand flash。 |
[2013-9-11 11:16:11] |
| [主持人：ChinaECNet] |
各位网友大家上午好，欢迎参加中电网在线座谈，今天我们邀请到Spansion的专家，与大家共同探讨“提高系统可靠性之NAND闪存的应用设计”，欢迎大家踊跃提问！ |
[2013-9-11 11:16:37] |
| [主持人：ChinaECNet] |
各位网友，现在我们已经进入问答环节，如果您想重复观看刚才播放的演讲内容，请点击页面上方的“在线演示”。 |
[2013-9-11 11:16:48] |
| [问：liutao111] |
串行接口的NANDflash比起并行接口NANDflash有哪些特点。使用于哪些场合？ |
| [答：Robert] |
串型接口主要特点是管脚比并行接口的少，用于比较多管脚数目有要求的应用上。 |
[2013-9-11 11:18:10] |
| [问：yjglwyyjg] |
可以增加多长时间的寿命? |
| [答：Danny] |
请问您指的是采用扇区擦写均衡算法后的情形吗？一般一个块能承受10万次擦写，假设一天擦写总数是1万次，如果不采用均衡，这个块可能10天后就坏了。如果在1000个块上作均衡，相当于每个块每天擦写10次，寿命能延长到10000天 |
[2013-9-11 11:19:18] |
| [问：ezcui] |
有无低碳优势？ |
| [答：Danny] |
遵循NAND使用约束，提高数据可靠性，延长FLASH使用寿命，就是最好的低碳 |
[2013-9-11 11:21:20] |
| [问：ezcui] |
“均衡”是何具体概念？ |
| [答：Stuart] |
均衡就是均匀的使用flash中的每一个块。由于nand包含很多个块，如果只是用某一个块进行写入和擦除，就会造成这块过度损耗，若采用均衡方法写入，可大大提高使用寿命。 |
[2013-9-11 11:28:46] |
| [问：ezcui] |
延长NANDflash使用寿命的诀窍在哪？ |
| [答：Stuart] |
使用均衡方法写入数据到flash，减少擦除次数。 |
[2013-9-11 11:30:27] |
| [问：zdsine] |
演讲中6410的启动上是前4kb，数据手册也是，实际应用中都是前四页中每页前2K由irom移动到iram，共8k，我用的mlc的做过实验。请问这点有误吗？ |
| [答：Danny] |
更正一下：8K应该没问题，如果是SLC 2Kpage, 一共搬4个页。数据手册上这个地方前后写得有出入 |
[2013-9-11 11:34:11] |
| [问：zhangjshl] |
扇区擦写均衡算法是不是在数据写入时已经考虑数据占位的问题了？ |
| [答：Stuart] |
这要看算法本身是否会考虑到数据之间的关联性。一般算法会将新操作与历史记录比较后在进行写入。 |
[2013-9-11 11:35:02] |
| [主持人：ChinaECNet] |
各位网友，由于时间的关系，我们今天的座谈将在11:40结束，请大家抓紧时间提问 |
[2013-9-11 11:37:42] |
| [问：xqh518] |
介绍的延长NANDflash使用寿命的方法比较独特。请问：这个功能的实现是利用软件实现还是利用硬件里类似切换开关的形式来完成？谢谢 |
| [答：Danny] |
扇区擦写均衡算法现在已经是普遍采用的，应该算不上独特。它一般是用软件（在文件系统里）实现，当然，也可以用硬件控制器实现，EMMC就是这样做的 |
[2013-9-11 11:40:25] |
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