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座谈已结束
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伍宏杰 高级产品工程师 |
负责富士通FRAM产品在中国区的市场推广及相关工作. | |
李亚东 技术支持工程师 |
拥有10多年的电子从业经验,先后从事过各类电子产品的技术支持以及应用的工作,经验丰富。 |
[ 最近 10 条问答 ] [ 全部发言 ] | ||
[问:springvirus] | 来学习下! | |
[答:伍宏杰] | 欢迎参加! | [2013-11-6 9:59:33] |
[问:mingwu2013] | 多讲案例 | |
[答:Eric Cai] | 在演讲中有涉及 | [2013-11-6 10:05:55] |
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友,大家上午好,欢迎大家参加由富士通公司举办的在线研讨会! | [2013-11-6 10:11:58] |
[问:iwqtthf] | 请问富士通的FRAM比赛普拉斯的有哪些优势? | |
[答:伍宏杰] | 富士通控制从研发到生产所有程序,品质和交货的稳定性会更好 | [2013-11-6 10:23:57] |
[问:BruceLone] | 请问一下FRAM相对于一般常用的RAM来说它的优势是什么? | |
[答:Eric Cai] | 关键是掉电时还可以保存原来的数据,而一般的RAM在断电后,数据会丢失,在一些应用中FRAM可以代替电池+SRAM的应用 | [2013-11-6 10:24:38] |
[问:lpgoal] | fram是一种新的存储技术么? | |
[答:伍宏杰] | 富士通在1999年就实现了FRAM存储器的量产话,迄今为止已向市场供应了23亿片FRAM产品. | [2013-11-6 10:25:09] |
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友,大家刚才看到的是专家演讲环节,我们目前已经进入到在线问答环节,如果大家有任何关于本期主题或者富士通公司的问题都可以跟我们的专家交流,谢谢! | [2013-11-6 10:25:43] |
[问:xqh518] | 请问:有代替PC机内存的应用案例吗?谢谢 | |
[答:Eric Cai] | 目前还没有,我们的产品容量最大是4M Bit,还无法代替PC的内存 | [2013-11-6 10:25:49] |
[问:linger223] | 讲的不错 | |
[答:Eric Cai] | 谢谢,希望能在您的应用上使用我们的产品,帮助您的系统提高可靠性 | [2013-11-6 10:26:49] |
[问:boboboblog] | 温度范围是多少? | |
[答:Kathy] | 您好,一般是負40度到85度。具體詳細的數值可以參考datasheet 請上富士通網站下載http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/ | [2013-11-6 10:27:08] |
[问:xqh518] | 大家好,来学习了。 | |
[答:Eric Cai] | 欢迎,欢迎 | [2013-11-6 10:27:18] |
[主持人:ChinaECNet] | 大家在查看在线问答的同时,您还可以点击“演讲内容”来重复收看刚才的专家演讲,如果大家还没有查看到自己问的问题答案,也请不要着急,我们的专家会尽量在12点结束前一一详细回复,谢谢! | [2013-11-6 10:28:22] |
[问:yuer_52] | 希望能以实际应用范围讲一下FRAM的使用 | |
[答:伍宏杰] | FRAM应用范围非常广泛,适合于对数据安全可靠性比较高的应用,具体请参考Page9 | [2013-11-6 10:28:59] |
[问:reporter] | FRAM已经面世很多年了,在发展过程中,有哪些重要的改进? | |
[答:Eric Cai] | - FRAM 从1999年开始量产以来,有将近14年的历史,在这过程中,我们的生产工艺不断改进0.35um?0.18um.- 产品的性能不断提高,读写次数,功耗,电压范围都有很大提升,- 从1999截至2013年6月,富士通的FRAM铁电存储器产品累计交货已达23亿片,而具有非易失性、低功耗 、高速烧写 、高读写耐久性(一万亿次以上)、随机存取等正是FRAM脱颖而出的竞争优势 | [2013-11-6 10:29:24] |
[问:iwqtthf] | 寿命如何? | |
[答:伍宏杰] | 在85度工作环境下,可以保持10年.在低于85度环境下会保持更久 | [2013-11-6 10:30:14] |
[问:zjs830] | FRAM的容量目前能做到多大? | |
[答:Eric Cai] | 在我们的演讲中可以看到,目前我们最大的容量是4M bit,未来会做8M--16M的产品具体可以去我们网站查询http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/ | [2013-11-6 10:31:11] |
[问:sywh] | FRAM比一般的RAM快吗 | |
[答:伍宏杰] | 和RAM速度接近,但FRAM可以实现掉电保存,属于非易失性存储器 | [2013-11-6 10:31:12] |
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友,今天我们有幸请到了富士通半公司的几位工程师跟大家在线交流,机会难得,希望大家能踊跃参与,我们会在会后抽取幸运网友,可以获得由富士通公司赠送的8G U盘,或者移动电源,期待大家的踊跃参与,谢谢! | [2013-11-6 10:31:40] |
[问:o0pingu0o] | 请问富士通的FRAM与Ramtron的FRAM互相兼容么? | |
[答:Eric Cai] | 是的,基本上互相兼容 | [2013-11-6 10:31:55] |
[问:o0pingu0o] | 请问富士通的FRAM与Ramtron的FRAM互相兼容么? | |
[答:伍宏杰] | 兼容,和EEPROM的封装也是兼容的 | [2013-11-6 10:31:55] |
[问:zwjiang] | FRAM使用寿命如何,在以前的项目中,发现寿命不如EEPROM? | |
[答:李亚东] | FRAM的写次数可以达到10000000000次,而EEPROM只有1000000次.所以FRAM的寿命是远远高于EEPROM. | [2013-11-6 10:32:20] |
[问:stu_deepblue] | 请问铁电的读写一般可以达到多少次? | |
[答:伍宏杰] | 目前最大可以达到10万亿次 | [2013-11-6 10:32:50] |
[问:lyn3210] | 能否比较一下几种存储器的价格? | |
[答:Eric Cai] | 具体的价格可以询问我们的当地销售和代理商http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/ | [2013-11-6 10:34:01] |
[问:jliangli] | 价格呢? | |
[答:Eric Cai] | 具体的价格可以询问我们的当地销售和代理商http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/ | [2013-11-6 10:34:25] |
[问:smart_2010] | 从成本上看,FRAM和SRAM+超级电容,谁好 | |
[答:伍宏杰] | 成本差不多,但FRAM是单芯片解决方案,可靠性会更好! | [2013-11-6 10:34:44] |
[问:reporter] | FRAM虽然结合了RAM和ROM的优点,但是价格较贵,怎样才能让更多的应用易于接受呢? | |
[答:Eric Cai] | - FRAM的制作工艺决定了,他与其他的存储器成本有所不同。但是我们有我们自己的优势,用了我们的FRAM可以让客户省去一些备用电池和大容量的电容。对于客户来说,系统成本和研发成本降低才是最重要的。 | [2013-11-6 10:35:18] |
[问:adinike1] | 富士通的这方面的专家,但是个人觉得宣传力度不够 | |
[答:Candy] | 谢谢您的建议,我们FRAM也正在加大宣传力度,最近我们和P&S搞了FRAM免费申请样品的活动,可以关注下,谢谢 | [2013-11-6 10:35:45] |
[问:梦你知多少] | 最大写入次数是否有限制? | |
[答:伍宏杰] | 目前是10000亿次,在实际应用中可以理解为无限次 | [2013-11-6 10:35:45] |
[问:2006142108] | 来学习了 | |
[答:Candy] | 欢迎 | [2013-11-6 10:36:01] |
[问:linghz] | 都可用于那些行业? | |
[答:Eric Cai] | 我们的目标市场有工业控制,医疗,测量仪器,汽车电子,娱乐产品,新能源,工厂自动化等 | [2013-11-6 10:37:15] |
[问:linghz] | 请问有哪些成功案例? | |
[答:伍宏杰] | 请参考Page9 | [2013-11-6 10:38:47] |
[问:stu_deepblue] | 公司一直用ramtron的铁电,请问可以和富士通的互换不? | |
[答:Eric Cai] | 应该没问题,能告诉你们使用的具体型号么? | [2013-11-6 10:38:48] |
[问:reporter] | FRAM目前的产品线阵容如何? | |
[答:伍宏杰] | Page10上有详细介绍 | [2013-11-6 10:39:47] |
[问:armcu] | 这个产品功耗最低多少?最低工作温度能达到多少? | |
[答:李亚东] | 待机功耗典型值只有5uA,工作环境温度是-40度到+85度 | [2013-11-6 10:39:52] |
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友,Fujitsu 和P&S FRAM“免费样片”申请活动正在火热开展中,欢迎大家踊跃参与!http://www.icbase.com/NewsPage.aspx?NewsId=96 | [2013-11-6 10:40:14] |
[问:reporter] | 对于那些行业,FRAM有专为应用而生的技术优势? | |
[答:Kathy] | 你好。對於必須頻繁做DATA LOG,講求高可靠性,計價相關的應用。比如說工業機械,智慧電錶,綠能。FRAM是性價比最佳的的記憶體 | [2013-11-6 10:40:21] |
[问:visionary] | FRAM的可擦写性能怎么样 | |
[答:李亚东] | 可保证擦写次数10的12次方. | [2013-11-6 10:41:33] |
[问:lixinliang] | 富士通的FRAM与RAMTRON公司的FRAM相比,有什么优势?目前我们使用RAMTRON公司的FRAM。 | |
[答:Eric Cai] | 拥有晶圆工艺制造和封装厂,实现高品质产品的稳定供货具有14 年的 FRAM量产经验(自 1999年) | [2013-11-6 10:42:59] |
[问:yuer_52] | FRAM这么大的优势,其相比于EEPROM缺点在哪里呢?! | |
[答:伍宏杰] | 从性能上说,FRAM绝对占优,无论从速度,可读写次数,功耗,抗干扰行方面都占优. | [2013-11-6 10:43:25] |
[问:p00hbear] | 为什么不介绍渠道和销售,难道是用来show的么? | |
[答:Eric Cai] | 具体的价格可以询问我们的当地销售和代理商http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/ | [2013-11-6 10:44:04] |
[问:p00hbear] | 价格和购买渠道,能大概介绍下么? | |
[答:Eric Cai] | 具体的价格可以询问我们的当地销售和代理商http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/目前我们在P&S网站上在搞免费样品申请活动,您可以试一下: http://www.icbase.com/NewsPage.aspx?NewsId=96 | [2013-11-6 10:45:16] |
[问:hjf2002] | 请问富士通有没有出带时钟的FRAM芯片? | |
[答:伍宏杰] | 目前没有,未来会开发此类产品,Page10和Page11有提到. | [2013-11-6 10:45:23] |
[问:Andy_lv] | 请问,FRAM 是掉电可以保存的吗? | |
[答:Kathy] | 您好。FRAM最大的特性就是斷電後仍然可以保持資料,因此可以節省電池成本和PCB板上面積,提供最佳的無電源解決方案 | [2013-11-6 10:45:23] |
[问:wujieling] | 谢谢嘉宾的讲解 | |
[答:Candy] | 有机会多了解我们FRAM的产品,希望帮助您提高您的产品系统性能 | [2013-11-6 10:46:20] |
[问:stu_deepblue] | FRAM和EEPROM从功能上来说两者之间可以通用吗? | |
[答:伍宏杰] | 都是非易性存储器,FRAM在读写速度,可读写次数,功耗等方面比EEPROM做的更好. | [2013-11-6 10:46:58] |
[问:hc0814] | 安全性如何 | |
[答:Eric Cai] | FRAM的安全性能很好,特别是对于有放射线的场合特别适合,相对于EEPROM更为安全 | [2013-11-6 10:48:14] |
[问:jwdxu2009] | 有应用在车载上的方案 | |
[答:伍宏杰] | GPS,形式记录仪,安全气囊,汽车音响都有成功应用案例 | [2013-11-6 10:48:28] |
[问:LVyks] | 请问一下FRAM的最高速度可以达到多少? | |
[答:Eric Cai] | 对于不同接口通信速度不同: iic: 1MHzSPI: 25--50MHz并口:100--150ns 作用 | [2013-11-6 10:50:03] |
[问:blackbattery] | FRAM相对于一般常用的EEPROM来说它的优势是什么? | |
[答:伍宏杰] | 读写速度更快,可读写次数更多,功耗更低,在Page5有具体的比较. | [2013-11-6 10:50:14] |
[问:linghz] | PPT提供下载吗? | |
[答:Candy] | 会议结束之后会提供演讲稿的PDF文档下载 | [2013-11-6 10:50:33] |
[问:nizhenyuchina] | 学习下 | |
[答:Candy] | 欢迎 | [2013-11-6 10:50:53] |
[问:zhuoshibo] | FRAM能不能代替norflash应用,如果能,那么它的读写延时会比norflash有多少优势? | |
[答:Eric Cai] | 由于容量和成本的限制,FRAM现在还不能用来完全代替Norflash | [2013-11-6 10:51:03] |
[问:pleasemissme] | 报到学习一下 | |
[答:Candy] | 欢迎 | [2013-11-6 10:51:11] |
[问:blackbattery] | 能降低多少能耗?成本的优势? | |
[答:伍宏杰] | 以EEPROM作比较,目前FRAM的功耗是其的千分之一,您可以参考Page5 | [2013-11-6 10:51:19] |
[问:lvfeicc] | 我曾经试用过Ramtron的铁电存储器,请问富士通和Ramtron的有什么区别? | |
[答:Kathy] | 您好。富士通鐵電存儲器的研發到生產皆是IN HOUSE,量產已經14年。因此能實現高品質的穩定供貨和具競爭力的價格。 | [2013-11-6 10:52:06] |
[问:elec921] | FRAM价格贵吗? | |
[答:Eric Cai] | RAM的制作工艺决定了,他与其他的存储器成本有所不同。但是FRAM有自己的优势,用了我们的FRAM可以让客户省去一些备用电池和大容量的电容。- 对于客户来说,系统成本和研发成本降低才是最重要的。 | [2013-11-6 10:52:55] |
[问:stu_deepblue] | 今天来迟了 | |
[答:Eric Cai] | 没事,演讲材料会放在网站上供您参考 | [2013-11-6 10:53:50] |
[问:wujieling] | 成本上有没有优势? | |
[答:Eric Cai] | FRAM的制作工艺决定了,他与其他的存储器成本有所不同。但是FRAM有自己的优势,用了FRAM可以让客户省去一些备用电池和大容量的电容。对于客户来说,系统成本和研发成本降低才是最重要的。 | [2013-11-6 10:54:47] |
[问:BruceLone] | 从PPT上看,FRAM的速度好快 | |
[答:伍宏杰] | 是的,和RAM速度差不多,但FRAM是非易性存储器,掉电状态下也可以保存数据. | [2013-11-6 10:55:38] |
[问:visionary] | 富士通的FRAM支持哪些通信接口 | |
[答:伍宏杰] | SPI,I2C,并口 | [2013-11-6 10:55:55] |
[问:p00hbear] | FRAM可以扩展RAM用于高速运算么,比如算法设计 | |
[答:Eric Cai] | 理论上可以,但关键是看您的运算速度有多高 | [2013-11-6 10:56:37] |
[问:gaon] | F和EEP的区别主要是哪些,除了功耗方面的 | |
[答:伍宏杰] | 读写速度更快,可读写次数更多(接近无限次),具体您可以参考Page5 | [2013-11-6 10:56:42] |
[问:lingf] | 容量上目前能做到多高? | |
[答:伍宏杰] | 目前最大是4M bit,后续会开发更多大容量产品,page11--Page13有介绍我们的产品计划。 | [2013-11-6 10:57:56] |
[问:linyu0395] | 其实性能挺好的容量最大多少呢? | |
[答:伍宏杰] | 目前最大是4M bit,后续会开发更大容量产品。 | [2013-11-6 10:58:21] |
[问:wankeng] | 你好,主持人,铁电存储器以及EEPROM,Flash等常见储存介质主要有哪些区别呀,给些实用性建议,不要度娘那种官方的解释,望借此机会能够有更深刻的认识,谢谢! | |
[答:Eric Cai] | 在我们网站上有具体的介绍,您可以参考一下:http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/overview/如果你还有问题的话,可以通过我们的销售和代理和我们联系,谢谢http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html | [2013-11-6 10:59:58] |
[问:wrhmily] | 与传统存储器相比,FRAM具有哪些优势? | |
[答:Kathy] | 您好。FRAM的三大具體優勢就是寫的快,無限寫,低功耗。 | [2013-11-6 11:00:19] |
[问:visionary] | FRAM的稳定性怎么样 | |
[答:伍宏杰] | 稳定性不错,读写速度快,可以保证掉电瞬间的数据安全性;可读写次数多(接近无限次),适合于需要频繁读写数据的应用;低功耗,适合于便携式等应用. | [2013-11-6 11:00:48] |
[问:swustmask] | 样品在哪里申请? | |
[答:Candy] | 我们和P&S有免费样片申请活动,请关注http://www.icbase.com/NewsPage.aspx?NewsId=96 | [2013-11-6 11:02:16] |
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友,我们的问答结束时间是12点整,还请大家抓紧时间踊跃提问,把握跟富士通专家直接交流的机会,或者如果您想富士通专家会后联系您,也可以再问问题的同时留下联系方式,谢谢大家的参与! | [2013-11-6 11:02:18] |
[问:smart_2010] | 10000亿次是否也包含读的操作 | |
[答:Kathy] | 您好。是的。目前最高讀寫次數到達10萬億次。 | [2013-11-6 11:02:20] |
[问:wrhmily] | 请问FRAM产品的主要应用领域有哪些? | |
[答:Eric Cai] | 目标市场有工业控制,医疗,测量仪器,汽车电子,娱乐产品,新能源,工厂自动化等 | [2013-11-6 11:02:38] |
[问:rzy] | 富士通的FRAM技术与Ramtron有什么渊源关系不?富士通是否有兼容Ramtron(Cypress)的FM24CL04的型号?有的话,公开报价大概在什么范围?谢谢。 | |
[答:伍宏杰] | 推荐MB85RC04V,具体报价请联系代理商,具体联系方式请参考富士通半导体官网。 | [2013-11-6 11:02:54] |
[问:zd_net] | 价格怎么样? | |
[答:Candy] | 请关注下面网站http://www.icbase.com/NewsPage.aspx?NewsId=96,并可价格咨询 | [2013-11-6 11:03:53] |
[问:yjglwyyjg] | 2M的FRAM现在价位是多少? | |
[答:伍宏杰] | 报价请联系代理商,具体联系方式请参考富士通半导体官网. | [2013-11-6 11:03:57] |
[问:zhugejunyan] | 并口FRAM的数据传输是8位还是16位? | |
[答:Eric Cai] | 两者都有,具体您可以参见我们的datasheethttp://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/standalone/ | [2013-11-6 11:04:16] |
[问:boboboblog] | 价格如何? | |
[答:Candy] | 请关注以下网站http://www.icbase.com/NewsPage.aspx?NewsId=96,并咨询价格,谢谢 | [2013-11-6 11:04:36] |
[问:wankeng] | 主持人,现在大家常用的铁电存储器的容量需求一般是多大呀,价格是怎样的呀 | |
[答:伍宏杰] | 容量需求取决于具体应用的数据量。 | [2013-11-6 11:04:50] |
[问:yjglwyyjg] | 有没有512K*8的FRAM?具体型号是什么? | |
[答:Eric Cai] | 有啊,MB85R4001A 具体资料如下:http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/standalone/ | [2013-11-6 11:06:33] |
[问:lvfeicc] | FRAM的抗干扰性如何? | |
[答:伍宏杰] | 抗干扰性很好,尤其在抗伽马射线领域。 | [2013-11-6 11:06:42] |
[问:liang-1011] | FRAM存储器的读写速率分别达到什么水平? | |
[答:伍宏杰] | 和RAM接近,平均读写周期150ns | [2013-11-6 11:07:31] |
[问:armcu] | 工作电压范围呢? | |
[答:Eric Cai] | IIc:2.7--5.5vSPI:1.8--3.6 2.7--5.5并口: 3.3V | [2013-11-6 11:08:04] |
[问:secondrenzdw] | 在温度范围内,读写速度有多大变化? | |
[答:伍宏杰] | 温度对读写速度是没有影响的 | [2013-11-6 11:08:19] |
[问:sywh] | 请问有没有能在-25度~0度之间的温度工作的产品? | |
[答:伍宏杰] | 目前我们可以支持-45度到85度的温度范围 | [2013-11-6 11:08:55] |
[问:yuer_52] | 那FRAM在工业和军工上有运用吗!? | |
[答:伍宏杰] | 工业上应用非常广泛,具体参考Page9 | [2013-11-6 11:10:02] |
[问:limh909] | 供货情况如何? | |
[答:Eric Cai] | 正常8--10周,但一些常用型号我们代理商会常备库存代理信息如下:http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html | [2013-11-6 11:10:19] |
[问:xqh518] | 请问:FRAM目前有哪些规格的封装?谢谢。 | |
[答:伍宏杰] | 目前有SOP,SON,TSOP,DIP等封装。 | [2013-11-6 11:11:42] |
[问:xzyang] | 存储现在没什么问题!演讲很好! | |
[答:Candy] | 谢谢,欢迎继续关注我们FRAM的产品 | [2013-11-6 11:12:21] |
[问:linghz] | 产品使用寿命多长? | |
[答:Eric Cai] | 对于数据保存期限我们保证:10年 (+85℃) | [2013-11-6 11:13:07] |
[问:sywh] | 请问一下,目前来看FRAM是否存在缺点或者不足? | |
[答:伍宏杰] | 读写次数理论上来说是有限的(1万亿次左右),在实际应用中可以理解为无限次. | [2013-11-6 11:13:10] |
[问:pleasemissme] | 我是用来做加密狗的 | |
[答:Eric Cai] | 可以考虑使用FRAM | [2013-11-6 11:13:32] |
[问:liang-1011] | FRAM作为数据存储有哪些特别的优势? | |
[答:伍宏杰] | 速度快,可读写次数多,功耗低. | [2013-11-6 11:14:06] |
[问:HXM9531] | 容量最大能做到多少? | |
[答:Kathy] | 您好。目前並行介面(parallel)最高到4Mb.未來持續會有更高容量(8Mb,16Mb)開發計畫 | [2013-11-6 11:14:19] |
[问:Tilo] | 伍工您说“抗干扰性很好,尤其在抗伽马射线领域。”,这一块的机理是什么? | |
[答:伍宏杰] | 是FRAM铁电晶体的特性 | [2013-11-6 11:14:58] |
[问:armcu] | 存储数据和读取数据的速度如何? | |
[答:李亚东] | FRAM的存取数据和读取数据的速度都是一样的,150ns | [2013-11-6 11:15:17] |
[问:gaon] | 在价格方面有优势吗,是不是能替代EEP? | |
[答:伍宏杰] | 从性能上完全可以替代EEPROM,而且是单芯片解决方案,性价比较高。 | [2013-11-6 11:16:11] |
[问:iwqtthf] | 我们做电表打算用铁电?怎样联系你们.谢谢 | |
[答:Eric Cai] | 可以联系我们的代理和销售:http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html另外,我们正在开展样品免费申请活动,您有兴趣可以参加:http://www.icbase.com/NewsPage.aspx?NewsId=96 | [2013-11-6 11:16:28] |
[问:nizhenyuchina] | 性价比怎么样 | |
[答:Candy] | 单芯片方案,性价比较高 | [2013-11-6 11:17:27] |
[问:xzyang] | 和铁电的存储芯片一样吗? | |
[答:伍宏杰] | 一样,都是FRAM. | [2013-11-6 11:18:31] |
[问:mt1122] | 这个可以当SRAM用么 | |
[答:伍宏杰] | 可以的,而且掉电状态下还可以保持数据 | [2013-11-6 11:19:06] |
[问:yjglwyyjg] | 我想问一下深圳这边的代理商联系方式? | |
[答:Candy] | 有的,具体请参考富士通半导体官网代理商信息http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html | [2013-11-6 11:19:06] |
[问:gsqycx] | 读写熟读达到多少? | |
[答:伍宏杰] | 平均读写周期150ns,请参考Page7. | [2013-11-6 11:19:41] |
[问:163zhli] | 存储材料--铁电晶体,是铁基非晶材料吗 | |
[答:Eric Cai] | FRAM是运用铁电材料(PZT等)的铁电性(Ferro electricity)和铁电效应(Ferroelectric Effect)来进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作 | [2013-11-6 11:20:25] |
[问:visionary] | FRAM的成本较高,怎样能降低成本使易于接受 | |
[答:Kathy] | 您好。在工業控制,智慧電錶,醫療相關的應用中,FRAM的高可靠性是客戶最需要且肯定的。從性價比的觀點上看,FRAM是新世代存儲器的最佳選擇 | [2013-11-6 11:21:06] |
[问:visionary] | 最大的读写速率达到多少 | |
[答:Eric Cai] | 可以达到100--150ns左右 | [2013-11-6 11:21:19] |
[问:zd_net] | 软件支持win8吗? | |
[答:Eric Cai] | 我们是底层硬件,对于应用层的软件没有太多限制 | [2013-11-6 11:22:19] |
[问:cmsee] | 我是要在DSP6713+FPGA中使用,有应用案例么? | |
[答:伍宏杰] | 有的,只要有IIC和SPI接口就可以了 | [2013-11-6 11:22:25] |
[问:linghz] | 如何取得技术支持? | |
[答:Candy] | 联系上海office 021-61463688转技术支持部门或者联系各地代理商http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html | [2013-11-6 11:22:54] |
[问:liugx08] | FRAM写数据速度如何? | |
[答:伍宏杰] | 请参考Page7 | [2013-11-6 11:23:12] |
[问:visionary] | 最大能存储多少字节的数据 | |
[答:伍宏杰] | 目前最大存储支持4M bit. | [2013-11-6 11:23:49] |
[问:sywh] | 以前没用过贵公司的产品,不知道是否兼容同系列的产品。 | |
[答:Eric Cai] | 兼容,最近我们有免费样品申请活动您可以申请样品试一下.http://www.icbase.com/NewsPage.aspx?NewsId=96 | [2013-11-6 11:24:21] |
[问:visionary] | FRAM的写入读出周期是很重要的啊 | |
[答:Eric Cai] | 对的 | [2013-11-6 11:24:44] |
[问:iwqtthf] | 请问富士通的FRAM比赛普拉斯的有哪些优势? | |
[答:伍宏杰] | 富士通控制从研发到量产的所有程序,所以品质和交货的稳定性会很好。 | [2013-11-6 11:25:03] |
[问:Tilo] | fram失效原因有哪些?使用中需要注意哪些事项? | |
[答:李亚东] | 具体问题具体分析,特别要注意一下上电下电的时序. | [2013-11-6 11:25:22] |
[问:iwqtthf] | 请问富士通的FRAM比赛普拉斯的有哪些优势? | |
[答:Eric Cai] | 有14 年的 FRAM量产经验(自 1999年) 拥有晶圆工艺制造和封装厂,实现高品质产品的稳定供货 | [2013-11-6 11:25:29] |
[问:dqjiazj] | FRAM与EEPROM的区别 | |
[答:伍宏杰] | 速度更快,可读写次数更多,功耗更低,具体请参考Page5 | [2013-11-6 11:25:48] |
[问:jiangmali] | 不知道这种产品的性价比如何,功能是升级了,但是成本呢?公司都要考虑性价比的? | |
[答:Eric Cai] | - FRAM的制作工艺决定了,他与其他的存储器成本有所不同。但是我们有我们自己的优势,用了我们的FRAM可以让客户省去一些备用电池和大容量的电容。对于客户来说,系统成本和研发成本降低才是最重要的,您可以从整个系统的角度来考虑 | [2013-11-6 11:26:19] |
[问:BruceLone] | FRAM的性价比如何? | |
[答:Eric Cai] | FRAM的制作工艺决定了,他与其他的存储器成本有所不同。但是FRAM有自己的优势,用了FRAM可以让客户省去一些备用电池和大容量的电容。对于客户来说,系统成本和研发成本降低才是最重要的 | [2013-11-6 11:26:58] |
[问:david-xia] | FRAM跟DDRRAM相比有何优缺点? | |
[答:伍宏杰] | FRAM是非易失性存储器,可以实现掉电保存.唯一的缺点是读写次数是有限的,目前可以支持到1万亿次,但在实际应用用可以理解为无限次。 | [2013-11-6 11:27:18] |
[问:BruceLone] | FRAM的稳定性怎么样? | |
[答:伍宏杰] | 稳定行很好.读写速度快,可读写次数多(接近无限次),功耗低. | [2013-11-6 11:28:16] |
[问:ccgzkr] | FRAM数据存储的时间有多长?这么好的产品在价格上与E2PROM相比较差距有多大? | |
[答:Eric Cai] | 存储时间比较接近RAM,目前在价格上和EEPROM有一定差距,具体您可以和我们代理联系.http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html另外,我们在做样品免费申请活动,您可以申请一些样品试下:http://www.icbase.com/NewsPage.aspx?NewsId=96 | [2013-11-6 11:29:46] |
[问:zjs830] | 有没有应用实例,目前市面上的哪些产品用到了富士通的FRAM芯片? | |
[答:伍宏杰] | 应用非常广泛,覆盖了智能三表,工业控制,汽车等众多领域,具体请参考Page9 | [2013-11-6 11:30:01] |
[问:mingwu2013] | FRAM和SRAM相比读写速度怎么用? | |
[答:Kathy] | 请参考Page11 | [2013-11-6 11:31:20] |
[问:mengyun2801] | 了解一下新的解决方案~~~ | |
[答:Eric Cai] | 我们的PPT中有涉及。要了解更多,您可以联系我们相关的代理和销售http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html | [2013-11-6 11:31:22] |
[问:零星琐碎] | 大家好吃了没 | |
[答:Eric Cai] | 谢谢,关心 | [2013-11-6 11:31:44] |
[问:linlimcu] | 听起来不错 | |
[答:Eric Cai] | 谢谢,你的参与 | [2013-11-6 11:32:01] |
[问:163liu] | 正听着呢 | |
[答:Eric Cai] | 谢谢,你的参与 | [2013-11-6 11:32:09] |
[问:visionary] | 适应性怎么样,,,在温度变化较大的环境下能稳定工作么 | |
[答:伍宏杰] | 目前可以支持-45度到85度的工作环境. | [2013-11-6 11:32:16] |
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友,我们的问答时间到12点结束,大家可以在会后登陆中电网本期座谈页面观看今天的专家演讲和所有的在线问答回放,并且还会有专家演讲PDF文档供大家免费下载,希望大家关注,谢谢! | [2013-11-6 11:32:33] |
[问:mingwu2013] | 是否今后趋势会取代其他存储器 | |
[答:伍宏杰] | FRAM是性能很全面的存储器技术,会被越来越多的领域接受。 | [2013-11-6 11:32:59] |
[问:pe_luo@163.com] | 和RAMTRON 的技术有什么异同? | |
[答:Eric Cai] | 我们是说大同小异 ;) | [2013-11-6 11:33:02] |
[问:gjianw217] | FRAM现在主要的应用案例有没有,如果有,比如? | |
[答:Kathy] | 您好。FRAM廣泛應用於工業自動化,智慧電錶,辦公自動化,綠能,醫療設備及rfid領域。 | [2013-11-6 11:34:53] |
[问:rzy] | 一直以为FRAM是Ramtron公司的专利产品,不知道富士通也起步这么早,请问富士通是否拥有铁电技术的专利? | |
[答:Eric Cai] | 有14 年的 FRAM量产经验(自 1999年) 拥有晶圆工艺制造和封装厂,实现高品质产品的稳定供货所以,专利不是问题 | [2013-11-6 11:34:55] |
[问:stclq] | 铁电的可靠性如何? | |
[答:伍宏杰] | 应该说可靠性很好。读写速度快--适合需要在掉电瞬间保存数据的应用可读写次数多--适合于需要频繁更新数据的领域功耗低--适合于便携式等应用领域 | [2013-11-6 11:35:22] |
[问:wrhmily] | 应用FRAM产品的话成本高不高,与现有存储器价格相比较? | |
[答:Eric Cai] | FRAM的制作工艺决定了,他与其他的存储器成本有所不同。但是FRAM有自己的优势,用了FRAM可以让客户省去一些备用电池和大容量的电容。- 对于客户来说,系统成本和研发成本降低才是最重要的。 | [2013-11-6 11:36:28] |
[问:a20084666] | 我想问下这个在不同温度下,读写速度变化大不大 | |
[答:伍宏杰] | 温度对读写速度没有影响. | [2013-11-6 11:36:30] |
[问:coyoo] | 一般什么封装啊?焊接调试是否方便 | |
[答:伍宏杰] | 目前支持SOP,SON,TSOP,DIP等封装。 | [2013-11-6 11:37:26] |
[问:ynchk] | 成本和价格? | |
[答:Kathy] | 您可以联系我们相关的代理和销售http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html | [2013-11-6 11:37:49] |
[问:ynchk] | 产品成本和价格? | |
[答:Kathy] | 您可以联系我们相关的代理和销售http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html | [2013-11-6 11:37:56] |
[问:linghz] | 供货周期多长? | |
[答:伍宏杰] | 请通过富士通官网联系代理商。 | [2013-11-6 11:38:02] |
[问:bingxinjian226] | 封装形式有哪些?价格大概能有多少? | |
[答:伍宏杰] | 封装形式有SOP,TSOP,DIP,SON.价格请联系代理商. | [2013-11-6 11:38:35] |
[问:wankeng] | FRAM与RAM速度相近?RAM之所以是因为与CPU直接相连的原因吧,而FRAM相对于芯片内部的RAM与Flash一般是属于外扩型存储介质,那为何FRAM的速度还能如此之快呢,可以详细说明吗 | |
[答:Eric Cai] | FRAM读写快是由内部结构决定的,您可以在我们网站上找到答案,谢谢http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/overview/ | [2013-11-6 11:39:00] |
[问:coyoo] | FRAM是同步RAM吗? | |
[答:Eric Cai] | 不是,FRAM是运用铁电材料(PZT等)的铁电性(Ferro electricity)和铁电效应(Ferroelectric Effect)来进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作 | [2013-11-6 11:40:00] |
[问:coyoo] | 非易失,是否可以作为fpga等芯片的配置芯片啊? | |
[答:伍宏杰] | 可以的,只要有IIC,SPI接口就可以。 | [2013-11-6 11:40:01] |
[问:neo_bright] | 样品申请为什么不提供并口产品?不提供大容量样品么? | |
[答:Candy] | 并口产品,大容量样品暂不参加此次免费样片申请活动,需要请联系我们代理商http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html,谢谢 | [2013-11-6 11:40:11] |
[问:springvirus] | 没用过,来学习下! | |
[答:Eric Cai] | 谢谢,您的参与 | [2013-11-6 11:40:17] |
[问:hua186078] | FRAM挂在MCU上的实时性怎么样?有相关的参数吗? | |
[答:Eric Cai] | 能说得再清楚些么? | [2013-11-6 11:41:00] |
[问:zhangjshl] | 富士通的并口FRAM100--150ns的写入时间较普通RAM低很多,能做高速缓存用吗? | |
[答:Eric Cai] | SRAM大概速度在40--50ns左右。关键看你整个系统的速度要求。 | [2013-11-6 11:41:51] |
[问:smart_2010] | FRAM在智能卡上有哪些典型应用 | |
[答:Eric Cai] | 在日本的Felica上有大量使用 | [2013-11-6 11:42:23] |
[问:david-xia] | FRAM的存储容量有多大? | |
[答:伍宏杰] | 目前最大可以支持4Mbit,请参考page10. | [2013-11-6 11:43:37] |
[问:zhangjshl] | FRAM的价格与其他非易失存储器相比有优势吗?大概M/$? | |
[答:Kathy] | 您好,FRAM最大的優勢就是寫的快,無限寫,低供耗。在講求高可靠性的應用中是最佳的存儲器選擇。 關於售價,您可以联系我们相关的代理和销售http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html | [2013-11-6 11:44:15] |
[问:david-xia] | 相比于其它RAM,在设计上应用上FRAM有什么特别的要求?比如电压、电流等 | |
[答:Eric Cai] | 对于FRAM没有特别的要求,只要符合我们DATASHEET标准就好 | [2013-11-6 11:46:27] |
[问:xqh518] | 请问:FRAM的存储介质是什么,在使用中需要主要哪些问题?谢谢。 | |
[答:伍宏杰] | 存储介质是铁电晶体,使用用请注意上下电时序,datasheet 上有详细说明。 | [2013-11-6 11:47:05] |
[问:xqh518] | 请问:FROM的存储响应速度现在达到什么水平?谢谢 | |
[答:Eric Cai] | 我们最快的并口读写速度在150ns左右 | [2013-11-6 11:47:22] |
[问:ezcui] | 寿命有多长?读写1万亿次是极限吧? | |
[答:Eric Cai] | 1万亿次是我们保证的最小次数,实际数据可能大于这个数据。 | [2013-11-6 11:48:31] |
[问:biyuming] | 您好,首先感谢您在百忙之中抽出时间为我们做了精彩的演讲。然后我想了解一下贵司的基于铁电技术的产品有否应用于像MCU,ARM,DSP,FPGA等集成IC中,效果如何?谢谢~~ | |
[答:伍宏杰] | 目前我们有集成FRAM的MCU产品,后续我们还会考虑开发集成RTC的FRAM产品 | [2013-11-6 11:48:32] |
[问:coyoo] | 这个有点类似flash嘛,能进行简单的对比介绍吗?FRAM跟falsh比,它的比较优势有哪些? | |
[答:Eric Cai] | 可以去我们网站上,有详细比较:http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/overview/ | [2013-11-6 11:49:15] |
[问:zhangjshl] | FRAM刷新时突然掉电会产生什么危害?如何应对? | |
[答:李亚东] | 这种情况是非常罕见的极端情况,因为FRAM的读写周期只有150ns。同样的,如果需要防护的话,可以从硬件的角度去做处理,比如在FRAM的外围线路上增加一颗电容,防止突然快速掉电。 | [2013-11-6 11:49:29] |
[问:ezcui] | 有温度要求吗? | |
[答:伍宏杰] | -45度~85度 | [2013-11-6 11:51:13] |
[问:yjglwyyjg] | 我联系了一下力源,人家直接回复没有代理此产品,我问的是518K*8的产品?我应该问深圳哪家代理商有此产品? | |
[答:Candy] | 您可以直接联系我们上海office:021-61463688转销售部 | [2013-11-6 11:51:35] |
[问:ezcui] | 可靠性有无保障?具体水平? | |
[答:伍宏杰] | 可靠性很高.读写速度快,功耗低,可读写次数多.抗辐射性强。 | [2013-11-6 11:52:17] |
[问:bossking] | FRAM在存储时,对环境干拢有没有要求?在什么情况下会出现存储错误? | |
[答:Eric Cai] | FRAM抗干扰很好,关键管理好上下电的时序,就可以避免读写错误 | [2013-11-6 11:52:34] |
[问:hc0814] | 掉电后数据是丢失还是? | |
[答:伍宏杰] | 可以保存,FRAM是非易失性存储器。 | [2013-11-6 11:52:54] |
[问:visionary] | 如果需要大量数据的快速写入读出,,富士通有什么解决方案 | |
[答:Eric Cai] | 我们的FRAM最大4M bit,但要做大数据读写,目前没有完整方案。 | [2013-11-6 11:54:06] |
[问:rzy] | 刚才ppt中提到的那个比较FRAM、Flash、EEPROM的写速度的Demo板是否有相关的原理图和程序公开提供? | |
[答:Eric Cai] | 你可以到我们销售人员处询问。http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/ | [2013-11-6 11:54:49] |
[问:ezcui] | 读写1万亿次是设计水平还是实际试验结果?采用的是何种试验方式? | |
[答:Kathy] | 您好。這是實際試驗結果。每顆芯片都經過富士通最嚴謹的品質測試後才能出貨。 | [2013-11-6 11:55:04] |
[问:jun228zhang] | 来晚了 | |
[答:Candy] | 您可以观看回放的Video,谢谢 | [2013-11-6 11:55:08] |
[问:stu_deepblue] | 请问有哪些原因可能引起FRAM的掉电不保存?希望能够从FRAM本身和外围电路讲解,谢谢 | |
[答:Eric Cai] | 关键是控制上下电的时序,具体参见datasheet.http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/ | [2013-11-6 11:56:19] |
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友,咱们今天的座谈马上就要结束了,大家可以会后观看专家演讲和所有问答回放,如果还有任何疑问请联系富士通公司,再次感谢大家的参与! | [2013-11-6 11:56:20] |
[问:ezcui] | 能全面地抗辐射吗? | |
[答:Eric Cai] | 我们的抗辐射能力比其他存储器强。 | [2013-11-6 11:57:00] |
[问:ezcui] | 是否还存在某些“瓶颈”或“短板”呢? | |
[答:伍宏杰] | 相比其他传统的存储器,FRAM目前市场知名度还有待提高. | [2013-11-6 11:57:01] |
[问:visionary] | 存储器的寻址周期和功是一个重要的评估指标,富士通在这些方面有什么优势呢 | |
[答:Eric Cai] | 我们和RAM比较接近 | [2013-11-6 11:57:31] |
[问:ezcui] | 具体应用中是否有哪些须特别注重的关键问题或要点? | |
[答:Eric Cai] | 注意上下电的时序,其他请参看datasheet http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/ | [2013-11-6 11:58:05] |
[主持人:ChinaECNet] | 各位网友,我们本期座谈到这里就结束了,感谢大家的积极参与,请大家关注富士通公司,我们下期再见! | [2013-11-6 11:59:23] |
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富士通电子元器件(上海)有限公司(FES)是富士通在中国的半导体业务总部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大连等地均设有分公司,负责统筹富士通在中国半导体的销售业务。
富士通电子元器件(上海)有限公司的主要销售产品包括 Custom SoCs (ASICs), 代工服务,专用标准产品(ASSPs),铁电随机存储器,继电器和GaN(氮化镓)等,它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户,并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。