bwin�ͻ��- 5G应用布局-安世解决方案- Nexperia 艾睿电子厂商_在线座谈

精彩问答

[问:]	有高速接口信号的ESD防护器件吗？
[答:]	有的，安世有完整的高速信号接口的ESD解决方案，具体请浏览安世官网
[问:]	buck电路，上下管mos怎么选型，需要注意什么？
[答:]	注意Qg,Qrr等动态参数
[问:]	安世提供DC电源模块吗？和FPGA厂家提供的主板电源芯片和模块有什么区别？
[答:]	目前不能提高DC电源模块，但是有些电源模块可以提供测试，可以跟我们的分销商联系。
[问:]	5G应用目前在安世总业务中的占比大概是多少？
[答:]
[问:]	5G的天线阵列对比4G有哪些不同？
[答:]
[问:]	氧化镓有前途吗？安世有没有布局氧化镓？
[答:]
[问:]	600W左右开关电源的MOSFET目前开关频率最高达到多少时效率不会下降太多？
[答:]	这个没有具体测试过，不同的mosfet的参数也不一样，要看实际测试为准
[问:]	5G的穿透力如何？
[答:]	看应用频段，频率越高，穿透力越弱
[问:]	安世解决方案主要用于哪些领域？与其他公司同类产品相比，最大特色表现在哪些方面？
[答:]
[问:]	H2栅极电压可以承受的正反向耐压可以实现多大？
[答:]
[问:]	H2氮化镓技术是安世独有技术？
[答:]
[问:]	5G对高功率MOSFET提出了哪些要求？
[答:]
[问:]	5G通信的演进对接入网产生哪些影响?
[答:]
[问:]	MOS管开关损耗做的怎么样？RDSon最小多少？
[答:]	我们最小的RDS(ON)最小的是0.57mohm PSMNR51-25YLH, 我们有一系列的low Qg -YLD 产品
[问:]	5G应用辐射是否让身边辐射增大？比如手机和基站的电磁辐射
[答:]	辐射是指能量的大小， 5G因为高频，所以衰减更大，所以采取密集部署小基站，相比较于宏基站降低功耗，因此辐射不会比4G高，当然不管是4G还是5G都要符合国标的安全区域。
[问:]	5G应用布局，是部到基站吗？
[答:]
[问:]	5g应用场景有哪些？求介绍
[答:]
[问:]	H2兼容标准的传统硅MOSFET驱动器吗？
[答:]
[问:]	安世有5g电源的参考案例吗？
[答:]	有的，可以登录我们官网看5g推荐产品https://www.nexperia.com/applications/industrial-and-power/
[问:]	Nextpower Live 预计什么时候发布？
[答:]
[问:]	安世MOSFETs器件在同行业中处于什么水平？
[答:]	处于第一梯队，跟国际品牌同样的水平
[问:]	海鸥脚的优势是什么？
[答:]	提高焊接的可靠性，在热冲击时有助于解决器件和PCB等不同材质的热胀冷缩的应力
[问:]	5g技术在工业方面能有什么应用呢？
[答:]
[问:]	采用这种H2氮化镓技术的芯片成本怎么控制的？
[答:]
[问:]	有H桥型MOSFET产品吗？驱动电机用
[答:]	目前在研发中
[问:]	H2也是采用氮化镓高电子迁移率晶体管技术吗？
[答:]
[问:]	铜夹片技术主要有哪些特点？
[答:]	低热阻，高ID，车规级可靠性，可波峰焊，低寄生感抗等
[问:]	哪些5G应用场景能得到认可？
[答:]	4K/8K直播， VR，现场360度直播，这种基于ｅMBB的应用已经展开了，智慧交通，自动驾驶也在开展中。物联网也在发展中
[问:]	5G技术在哪些领域已经进入了应用阶段？
[答:]
[问:]	MOSFET中栅极电阻有哪些作用？
[答:]	可以预防误导通，改善开关速度等
[问:]	5G什么时候可以实现全面应用呢？
[答:]
[问:]	以后的5G技术主要应用在哪些领域中啊？
[答:]
[问:]	晚上，看个后半段。
[答:]	请继续关注
[问:]	nexperia有5G终端（模块、电源、功放等）方面的产品吗？
[答:]	安世提供分立器件，想二三极管， MOS/GaN， ESD和模拟逻辑器件，目前没有模块、功放产品
[问:]	LFPAK支持哪些封装？
[答:]
[问:]	安世LEPAK33系列在5G通讯基站中都发挥了哪些作用？
[答:]	作为DC/DC开关管，缓启等
[问:]	5G 适用于所有领域吗？
[答:]
[问:]	5G通信应用在高频高速低时延和多通路,它对器件和GaN功率晶体管器的封装技术有什么要求?
[答:]
[问:]	Nextpower Live 100V 方案 Low Qrr 是如何做到的？
[答:]	通过我们的设计工艺做到的，具体的涉及到公司内部机密。
[问:]	采用铜夹片技术设计的芯片热性能怎么样？
[答:]	铜夹片相对于wire bonding，散热性更高，更大面积的铜接触会带来更低的引线电阻和寄生电感，自身产生的热也会降低，更大面积的铜也会通过引脚更好的传到热到PCB和散热到空气中。
[问:]	安世在5G领域有哪些优势？
[答:]
[问:]	怎样解决载体对5G天线的影响，以及消除天线相互之间的影响和耦合
[答:]
[问:]	5G应用将带来哪些全新生活？
[答:]
[问:]	铜夹片底部散热的PCB设计时，是接独立铜皮，还是接地
[答:]	底部铜片就是漏级
[问:]	氮化镓技术目前有什么应用吗
[答:]
[问:]	请问：动态特性的提升是用什么指标表征的？
[答:]	比较典型的是Qg,Qrr等
[问:]	安世的MOSFET用于5G的那些方面？
[答:]	热插拔、高频开关管，DC/DC,AC/DC,ORING等应用
[问:]	您认为5G的到来带来最大的变化是什么？
[答:]
[问:]	SIP32102 这个在光模块上面用很多有没有好的替代
[答:]
[问:]	铜夹片有多厚？
[答:]	这个属于公司内部机密，不公开。
[问:]	低感抗和低阻抗是不是有利于提升抗干扰能力？谢谢！
[答:]
[问:]	应用的安全技术要求有哪些？稳定性如何？
[答:]	我们有严格的可靠性测试，具体可以查看我们产品的可靠性报告，里面有详细介绍。
[问:]	安世的MOSFET不仅仅用于5G吧？还适合那些应用？
[答:]	是的，我们的MOSFET广泛应用在汽车，消费电子产品，5G，工业制造，电动工具，电池保护等应用。
[问:]	5G究竟带来全球经济收益有多大?
[答:]
[问:]	对于整个基站天馈系统的射频通路，安世具有哪些仿真方案参考？
[答:]
[问:]	mos建议并接使用吗？
[答:]	建议，很多应用都是需要并联使用的。但是需要注意Layout等细节
[问:]	安世的产品有没有现场演示可以组织参观吗？
[答:]
[问:]	请问安世半导体的氮化镓器件是否是硅基氮化镓?
[答:]	是的
[问:]	能提供测试板试用，运用到智能家用，功耗多谢
[答:]	可以的，具体可以联系我们分销商。
[问:]	5G会给现在的生活带来哪些重大变化？
[答:]
[问:]	psmn4R8-100BSE 是 psmn3r8-100BS 的升级吗？还是替代
[答:]	是对soa能力的升级，不是替代。两个产品都一直在生产，看客户SOA需求来选择。
[问:]	在天线设计方面如何来保障精度？
[答:]
[问:]	砷化镓功率器件和氮化镓器件相比,性能如何?
[答:]	砷化镓相比较于GaN的区别在于GaN能够在更高的功率时保持更高的频率工作范围，5G应用中，GaN 将会更广泛
[问:]	安世的5G芯片底层设计以那个系例为主？在万物互联的工业领域应用中模块化能提供吗？
[答:]
[问:]	目前有哪些厂商已经用到了安世的解决方案呢
[答:]	目前全球大型的5G通信设备厂都有使用我的产品。
[问:]	安世的解决方案里的功率器件有多少W，如何通过380A ?
[答:]
[问:]	新一代氮化镓技术改善了哪些方面？
[答:]	更容易驱动，就像驱动MOSFET一样使用。
[问:]	安世天线解决方案采用哪种算法？有哪些处理方面功能？
[答:]
[问:]	这么大的功率，散热设计怎么解决的
[答:]	我们的MOS 采用铜压片封装工艺，具有较低的热阻。散热设计具体要看具体的电源，有时极限不在mos的能力，在于PCB的散热能力,可以多并联或加散热器等。
[问:]	安世在哪几个维度对5G进行支持
[答:]
[问:]	超小型目前在5G上有应用吗
[答:]	有的，无引脚小型化是未来趋势，逻辑的小型化封装用在处理器和外设的buffer和电平转换， SOD882/962的ESD用于5G终端的经典保护，MOS的DFN1006和0606用在5G手机终端可穿戴部分的信号控制部分还有做电平转换等应用很多。
[问:]	安世有单芯片双buck输出的芯片可供选择吗？
[答:]
[问:]	LFPAK封装用什么材料做的，善热能力这么强？
[答:]
[问:]	安世的5G产品有哪些？
[答:]
[问:]	请问专家,如何正确选择大功率MOSFET?
[答:]	首先确定封装、耐压、内阻、Qg、热阻、SOA能力，ID电流能力等。要从你的具体应用来选择，是作为高频开关管还是缓启等。
[问:]	5G的可视化数据的管理也是个难题？如何实现智能管理？
[答:]
[问:]	5G的高带宽低延时中低延时是通过什么实现的呢？
[答:]
[问:]	请问专家,你对化合物半导体的发展包括它们的应用有什么建议?
[答:]	你所说的应该是指第三代半导体材料，目前SiC， GaN，应用会越来越广泛，尤其5G的发展带来了迅猛发展，高功率，低功耗，支持高频率。目前被几家国际大厂控制，国内处在起步阶段，前途是光明的，过程应该会比较曲折。
[问:]	垂直化的整合的好处？
[答:]
[问:]	3R7 会把psmn3r8-100BS 取代吗？
[答:]	目前不会，PSMN3R8-100BS仍然在生产，看可以SOA要求来选择。3R7具有超强的SOA.
[问:]	SOT23 1969年，为什么在市场上被应用这么久？
[答:]
[问:]	这个贴片的封装能过30A，优点很明显，真的吗？
[答:]	PPT上的资料都是真实的，不知道你说的是哪个封装,如果是LFPAK56封装我们的ID电流最大可以到380A。
[问:]	超小型是怎么解决无引脚的稳定性？
[答:]
[问:]	基站选择5G产品注意些什么？
[答:]	可以登录我们官网选择5G应用选择合适的产品，https://www.nexperia.com/applications/industrial-and-power/
[问:]	怎样测试mos元件？有哪些关键参数？
[答:]	MOS的参数很多，Rdson，耐压，过电流能力， Qg等，具体如何测试请联系安世相关窗口以获得技术支持
[问:]	在5G电源中使用双环电路控制可靠性如何？
[答:]
[问:]	5G基站耗电量很大，安世在解决电源效率方面有哪些优势？
[答:]	例如100V的管子，我们具有业界较低的Qrr,也有降低的Qg 值的-YLD系列产品，都对提高电源效率有帮助
[问:]	5G的芯片数字化标准如何选比较优先呢？
[答:]
[问:]	安世产品适用于不同的5G产品吗?
[答:]
[问:]	安世仿真解决方案可以帮助设计者达到哪些效果？
[答:]	提供IBIS， spice， S参数仿真文件，针对功率MOS，可以提供热仿真
[问:]	贵司针对5G应用，都有哪些相关产品？
[答:]
[问:]	前置放大可以有什么小信号MOSFET可以推荐的？
[答:]
[问:]	热插拔方案目前我们只发布了 0.57 那个吗？
[答:]	不是的，我们有一系列的热插拔产品，可以看我们后缀都是带-YSE/BSE/PSE/MSE结尾的都是适合用在热插拔的应用
[问:]	安世半导体在5G应用对优势产品？
[答:]
[问:]	和SiC功率器件相比,GaN功率晶体管器件有什么不同性能或优势?
[答:]	SiC的热特性更高，耐压更高，GaN电子迁移率更快，更适用于高频，尤其5G的电源和射频PA部分
[问:]	在我们布局5G当中，现实如何提高现实设备的应用效能？
[答:]	需要从底层电源设计就要考虑高效率的电源，运用新的器件(例如GaN)，新的拓扑等都可以提高效率
[问:]	安世在5G应用里面可以提供哪些元器件跟解决方案
[答:]	POWER MOS， GaN，这些用在电源部分来提高利用率、降低功耗，ESD部分用于静电浪涌保护
[问:]	5GADC AD7134应用，片式聚会物电容成本确实很高，有没有更经济实用的快速小批量定制方案？
[答:]
[问:]	安世在5G应用方面有哪些创新点？
[答:]
[问:]	你们的MOSFET是如何设置自我保护的？
[答:]
[问:]	5G电源对与磁性元件的设计有什么要求?
[答:]	5G电源需求更高的功率密度，体积会更小，频率会更高，这些也是对磁性元件的要求。
[问:]	5G传输速度很快，会不会导致发射端或者终端发热严重，这种问题如何克服？
[答:]	会的，能耗高，解决方案是选用更低功耗的产品，提高利用率
[问:]	请问 5G在民间生活中有多少个方面的应用？谢谢
[答:]
[问:]	5G天线可以实现波瓣数字化控制吗？实现指定位置唤醒通信
[答:]
[问:]	基站上面如何选择5G产品？
[答:]	可以登录我们官网查看具体应用 https://www.nexperia.com/applications/industrial-and-power/
[问:]	5G的布局对来有什么重大变化？
[答:]
[问:]	低功耗应用中怎么选择MOSFET类型?
[答:]	选择具有较低FOM值MOSFET, FOM=Qg*Rds(on）
[问:]	MOSFET的ESD有没有电压高一些的？
[答:]	MOS的ESD保护瓶颈主要是指Gate端，gate的栅氧化层有关，此外安世有很多集成ESD的MOS管，防护等级会更高可达1KV以上
[问:]	有哪些具体的应用案例？
[答:]	热插拔，同步整流、ORing等电源上应用到我们的MOSFET
[问:]	5G 基站天线设计有什么解决方案？
[答:]
[问:]	DFN1x1的功率等级是多少？
[答:]	260mw-350mw,具体可以查看我们规格书。
[问:]	5G加AI的布局是未来造制的必然？关键是如何性价比投入？
[答:]
[问:]	ESD保护二极管有什么优势？
[答:]	ESD 二极管用来保护静电和浪涌，安世的优势在于更小的封装提供更高的静电防护，此外在高速信号接口保护部分有非常丰富的方案
[问:]	产品的应用领域有哪些
[答:]
[问:]	燃油效率可以达到什么级别？
[答:]
[问:]	5G在应用中的寿命为多长？
[答:]
[问:]	安世在5G提供几种类型的二极管品类？
[答:]	ESD 二极管用于浪涌和静电防护， Zener用于稳压，肖特基和快恢复管用于防反和续流，此外新推出的SiGe管子可提供100-200V的耐压，更低的泄露电流更高的热控制
[问:]	5g应用的mos应该具有哪些特点？
[答:]	因为5g电源的功率需求更大，需要高功率密度，需要MOS管具有的更好的开关性能，SOA能力，封装可靠性更高的可靠性。
[问:]	5G技术的到来，半导体厂家的产品有何新的需求和设计挑战？
[答:]
[问:]	你们的MOS器件比汽车AEC-Q101标准高出多少呢？
[答:]	在可靠性方面高于AECQ101，高于1000小时的热冲击测试

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