2022年04月27日
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2022年04月21日
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2022年03月29日
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2022年03月23日
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2022年01月11日
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2021年12月28日
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2021年12月22日
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2021年12月16日
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2021年12月9日
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2021年09月22日
14:00--15:30
吴频吉 |
17年半导体产品支持经验,参与技术支持、市场推广等活动。目前负责瑞萨电子通用产品在中国市场的推广。 | |
姜辉 |
姜辉于2003及2006年获得东南大学无线电工程系学士及硕士学位。毕业后加入意法半导体汽车电子部从事模拟集成电路设计,之后负责汽车电子的技术市场推广。2011年加入德州仪器,负责汽车电子中国MCU及RF-MCU 的业务拓展,随后负责TI中国无线连接解决方案的业务拓展。 | |
蔡志威 |
有7年消费类电子软件开发经验,现任安富利电子NXP产品线的应用工程师,主要负责MCU, Bipolar, Ident等等的产品技术支持。 | |
周丽娜 |
周丽娜(Ally Zhou)拥有十多年FPGA设计、EDA工具和多年客户支持的经验。2011年加入公司以来,专注于Vivado设计套件以及UltraFast设计方法学的的推广和支持。Ally曾先后在同济大学,芬兰米凯利理工学院和复旦大学求学,获得工学硕士学位。加入赛灵思公司之前,曾在Synopsys工作,主要负责FPGA综合和ASIC原型验证方案的支持。 |
功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
在本文中,我们将探讨SiC半导体产品如何实现高质量和高可靠性,以及SiC制造商为确保其解决方案能够投放市场所付出的巨大努力,这些努力不仅提升了产品性能,还确保了卓越的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
随着技术的不断成熟和研发的持续深入,SiC的优势将进一步得到挖掘,为未来的电力转换与储能应用带来更多可能性。希望本文对SiC器件的分析和应用研究能够为读者在相关设计中提供有益的参考与指导。
[问:] | 安森美电池价格? |
[答] | 安森美主要提供半导体器件,目前没有汽车电池产品提供。 |
[问:] | 碳化硅技术的特点是?有哪些优势? |
[答] | 碳化硅的技术主要是在高压应用,高频率应用,高温度应用方面有明显优势,因为其阻断电压高,寄生电容小,晶圆本身更加耐高温这些特点。 |
[问:] | 安森美的碳化硅(SiC)技术 有何特点? |
[答] | 晶圆这块,安森美注重长期应用的参数漂移这一块,因此支持更长期应用保持可靠性。封装这一块,塑封封装能保证低寄生电感,高可靠性,长期应用更加可靠。 |
[问:] | 安森美SiC方案解决了汽车行业当前面临的哪些难点? |
[答] | 安森美SIC解决方案,提供了更长续航的解决方案,同时高可靠性使得能够承诺更长的使用时间。 |
[问:] | 安森美SiC解决方案突出的特色体现在哪些方面? |
[答] | 安森美SIC突出特点,封装比较领先,保证设计的高效率和可靠性。另外,安森美垂直整合了产业链,对于供货的稳定性帮助很大。 |