2011年12月1日
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2011年05月19日
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2010年09月20日
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2010年08月31日
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2010年07月13日
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2010年01月26日
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2009年12月18日
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2009年04月10日
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2008年08月25日
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2008年07月15日
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吴频吉 |
17年半导体产品支持经验,参与技术支持、市场推广等活动。目前负责瑞萨电子通用产品在中国市场的推广。 | |
姜辉 |
姜辉于2003及2006年获得东南大学无线电工程系学士及硕士学位。毕业后加入意法半导体汽车电子部从事模拟集成电路设计,之后负责汽车电子的技术市场推广。2011年加入德州仪器,负责汽车电子中国MCU及RF-MCU 的业务拓展,随后负责TI中国无线连接解决方案的业务拓展。 | |
蔡志威 |
有7年消费类电子软件开发经验,现任安富利电子NXP产品线的应用工程师,主要负责MCU, Bipolar, Ident等等的产品技术支持。 | |
周丽娜 |
周丽娜(Ally Zhou)拥有十多年FPGA设计、EDA工具和多年客户支持的经验。2011年加入公司以来,专注于Vivado设计套件以及UltraFast设计方法学的的推广和支持。Ally曾先后在同济大学,芬兰米凯利理工学院和复旦大学求学,获得工学硕士学位。加入赛灵思公司之前,曾在Synopsys工作,主要负责FPGA综合和ASIC原型验证方案的支持。 |
功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
在本文中,我们将探讨SiC半导体产品如何实现高质量和高可靠性,以及SiC制造商为确保其解决方案能够投放市场所付出的巨大努力,这些努力不仅提升了产品性能,还确保了卓越的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
随着技术的不断成熟和研发的持续深入,SiC的优势将进一步得到挖掘,为未来的电力转换与储能应用带来更多可能性。希望本文对SiC器件的分析和应用研究能够为读者在相关设计中提供有益的参考与指导。
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是宽禁带(WBG)半导体材料,由于其独特性,使其在提高电子设备的效率和性能方面起着至关重要的作用,特别是在DC/DC转换器和DC/AC逆变器领域。
[问:] | layout上有什麽特別需要注意的地方? |
[答] | 电极大小和覆盖材料适配。和射频干扰尽量远离或隔离。走线要细短,避免粗大如同触摸检测电极一样 |
[问:] | MPR121有用在notebook,tablet的案例嗎? |
[答] | 目前都有客户做相关产品的设计。具体可以和我们联系 |
[问:] | 触摸传感器可以应用到家用护理电器以及医疗电器上吗? |
[答] | 不知道医疗上是否有特殊的要求,比如一些性能参数能,如果只就功能来讲完全可以 |
[问:] | MPR121最多能提供多少路的LED驱动功能? |
[答] | 支持8路gpio同时驱动,驱动电流12MA |
[问:] | MPR121可以承受的低温与高温极限时多少度? |
[答] | -40--85 |