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MOSFET相关专家

专家介绍

	吴频吉	17年半导体产品支持经验，参与技术支持、市场推广等活动。目前负责瑞萨电子通用产品在中国市场的推广。
	姜辉	姜辉于2003及2006年获得东南大学无线电工程系学士及硕士学位。毕业后加入意法半导体汽车电子部从事模拟集成电路设计，之后负责汽车电子的技术市场推广。2011年加入德州仪器，负责汽车电子中国MCU及RF-MCU 的业务拓展，随后负责TI中国无线连接解决方案的业务拓展。
	蔡志威	有7年消费类电子软件开发经验,现任安富利电子NXP产品线的应用工程师,主要负责MCU, Bipolar, Ident等等的产品技术支持。
	周丽娜	周丽娜（Ally Zhou）拥有十多年FPGA设计、EDA工具和多年客户支持的经验。2011年加入公司以来，专注于Vivado设计套件以及UltraFast设计方法学的的推广和支持。Ally曾先后在同济大学，芬兰米凯利理工学院和复旦大学求学，获得工学硕士学位。加入赛灵思公司之前，曾在Synopsys工作，主要负责FPGA综合和ASIC原型验证方案的支持。

MOSFET相关知识

高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析，一文get√

高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温，确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路（HVIC）是专为半桥开关应用设计的高边和低边栅极驱动集成电路，驱动高压、高速MOSFET 而设计。
开关功率晶体管的选择和正确操作：第 2 部分

当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时，晶体管将跨越其线性区域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨导非常高，漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此，驱动器在跨越线性区域时将承受严重负载，这会导致栅极电压保持在稳定状态。因此，除非驱动器可以提供几安培的电流，否则开关速度将大大减慢。如此强大的输出级需要大型、昂贵的芯片，尤其是 CMOS 芯片。
【测试案例分享】如何评估热载流子引导的MOSFET衰退

随着MOSFET栅极长度的减小，热载流子诱发的退化已成为重要的可靠性问题之一。在热载流子效应中，载流子被通道电场加速并被困在氧化物中。这些被捕获的电荷会引起测量器件参数的时间相关位移，例如阈值电压 (VTH)、跨导 (GM)以及线性 (IDLIN) 和饱和 (IDSAT) 漏极电流。
一款适用于光伏应用的半桥评估板设计

光伏，作为重点发展的新质生产力，其市场规模仍在迅速发展扩大中，其技术迭代也在不断演进升级。英飞凌作为半导体技术和市场应用的领军企业，发布了一系列具有差异化附加价值的创新半导体，并同时推出了一款适用于光伏应用的半桥拓扑评估板，为工程师分享了系统设计的参考方案，并提供了器件性能的评估平台。
减轻高压电动汽车栅极驱动器故障

高压栅极驱动器对于确保可靠地控制电动汽车中的电流至关重要。从控制逆变器的 IGBT 或 MOSFET 的开关到监控和管理电池的充电状态、健康状况和热条件，高压驱动器可确保对开关事件进行控制。电机控制单元和车载充电器也受益于这些驱动器，使它们成为电动汽车功能必不可少的。然而，这些高压驱动器并非万无一失。
使用快速共模和隔离探头进行浮动测量

在这种情况下，我们使用一个小型电池振荡器（基于 LTC6907），它连接到 Mosfet 的漏极，从而提供测量所需的共模电压变化。该振荡器板具有 SMB 输出，但我们将把电缆直接焊接到板上以进行此测试。差分测量是振荡器的输出，即 2V 电平信号，它与 Mosfet 的切换不同步。首先，我们使用与之前相同的 4 厘米长的电线测量此信号。

MOSFET相关问答

[问:]	GaN HEMT目前性价比还有待提高吧？
[答]	是的
[问:]	和IGBT比反应速度如何
[答]	和IGBT比差不多得快10倍的速率
[问:]	高频MOS管有没有
[答]	GAN本身就是高频功率器件
[问:]	2V门限可以用在3.3V系统吗?
[答]	一般的门极驱动电压10V左右，门极的极限是+/-18V
[问:]	这个在智能家居里有应用吗
[答]	高效率和高密度的开关电源在智能家居上面也是有优势的

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