2011年03月29日
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2011年03月15日
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2011年02月22日
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2011年01月11日
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2010年12月21日
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2010年12月16日
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2010年12月2日
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2010年11月17日
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2010年11月11日
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吴频吉 |
17年半导体产品支持经验，参与技术支持、市场推广等活动。目前负责瑞萨电子通用产品在中国市场的推广。 |
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姜辉 |
姜辉于2003及2006年获得东南大学无线电工程系学士及硕士学位。毕业后加入意法半导体汽车电子部从事模拟集成电路设计，之后负责汽车电子的技术市场推广。2011年加入德州仪器，负责汽车电子中国MCU及RF-MCU 的业务拓展，随后负责TI中国无线连接解决方案的业务拓展。 |
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蔡志威 |
有7年消费类电子软件开发经验,现任安富利电子NXP产品线的应用工程师,主要负责MCU, Bipolar, Ident等等的产品技术支持。 |
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周丽娜 |
周丽娜（Ally Zhou）拥有十多年FPGA设计、EDA工具和多年客户支持的经验。2011年加入公司以来，专注于Vivado设计套件以及UltraFast设计方法学的的推广和支持。Ally曾先后在同济大学，芬兰米凯利理工学院和复旦大学求学，获得工学硕士学位。加入赛灵思公司之前，曾在Synopsys工作，主要负责FPGA综合和ASIC原型验证方案的支持。 |
功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
在本文中，我们将探讨SiC半导体产品如何实现高质量和高可靠性，以及SiC制造商为确保其解决方案能够投放市场所付出的巨大努力，这些努力不仅提升了产品性能，还确保了卓越的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
CCD（电荷耦合器件）和CMOS（互补金属氧化物半导体）是两种常见的图像传感器技术，它们在数字相机、摄像头、扫描仪、手机等设备中广泛应用。它们的工作原理、性能特点、优势和适用场景都有一些不同。
| [问:] | 最近AC-DCLED驱动中对电解电容的处理比较受关注，请问贵公司有什么好的建议？ |
| [答] | 尽量少用电解，如用NCL30000做的带PFC校正的AC-DC, 一次侧都不用电解只在二次侧用电解，而二次电解尽量远离发热源还要注意电流流过的电流，就是电解本身的发热。 |
| [问:] | 你好：请问怎样连系贵司的供应商？ |
| [答] | 请登录安森美半导体的网站www.onsemi.com，里面有详尽的代理商的联系方式。 |
| [问:] | 存储器内程序乱是怎么回事？ |
| [答] | 电源不稳、强电磁干扰、程序错误等都可能导致存储器内程序乱。 |
| [问:] | STM32F2设立视频接口的目的是实时将视频数据通过通信口发出还是本地存储？ |
| [答] | 都可以。比如可以通过以太网传输出去，也可以显示在LCD上，或者存储在本地，比如FSMC上的各种外部大容量的闪存。 |
| [问:] | F1为什么DMA经硬件多次复位后将无法启动,只有断电后才会启动,F2的DMA稳定性如何啊. |
| [答] | F1的DMA问题，请先参考以下DMA相关的应用笔记，然后联系代理商寻求技术支持。 |
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