2010年11月4日
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2010年11月3日
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2010年10月28日
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2010年09月15日
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2010年07月21日
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2010年07月8日
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2010年06月8日
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2010年06月3日
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2010年05月13日
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2010年01月6日
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吴频吉 |
17年半导体产品支持经验，参与技术支持、市场推广等活动。目前负责瑞萨电子通用产品在中国市场的推广。 |
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姜辉 |
姜辉于2003及2006年获得东南大学无线电工程系学士及硕士学位。毕业后加入意法半导体汽车电子部从事模拟集成电路设计，之后负责汽车电子的技术市场推广。2011年加入德州仪器，负责汽车电子中国MCU及RF-MCU 的业务拓展，随后负责TI中国无线连接解决方案的业务拓展。 |
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蔡志威 |
有7年消费类电子软件开发经验,现任安富利电子NXP产品线的应用工程师,主要负责MCU, Bipolar, Ident等等的产品技术支持。 |
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周丽娜 |
周丽娜（Ally Zhou）拥有十多年FPGA设计、EDA工具和多年客户支持的经验。2011年加入公司以来，专注于Vivado设计套件以及UltraFast设计方法学的的推广和支持。Ally曾先后在同济大学，芬兰米凯利理工学院和复旦大学求学，获得工学硕士学位。加入赛灵思公司之前，曾在Synopsys工作，主要负责FPGA综合和ASIC原型验证方案的支持。 |
功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
在本文中，我们将探讨SiC半导体产品如何实现高质量和高可靠性，以及SiC制造商为确保其解决方案能够投放市场所付出的巨大努力，这些努力不仅提升了产品性能，还确保了卓越的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
CCD（电荷耦合器件）和CMOS（互补金属氧化物半导体）是两种常见的图像传感器技术，它们在数字相机、摄像头、扫描仪、手机等设备中广泛应用。它们的工作原理、性能特点、优势和适用场景都有一些不同。
| [问:] | 使用imx51平台开发android应用时,发现process的vss会不断增长，直至崩溃。这大概是什么原因？是否是FSL定制了kernel/jvm引起的？nexusone等标准平台无此现象。 |
| [答] | 我们i.MX51 Android有很多客户量产，未报告这个问题，请检查是否和您自己的应用相关？ 或者在www.freescale.com,然后进入support一项，详述您的问题。 |
| [问:] | 标准的android可否应用在imx5x系列平台上面？如果不行，是否必须采用fsl自己的发行版？进行二次开发有什么样的限制？ |
| [答] | Google发布的Android不是针对i.M5x的，一定要用FSL的发行版。没有限制。 |
| [问:] | 请问专家硬件方面，如果采用i.MX51开发的板卡，后续的升级方便吗？一般初次开发，开发周期估计是多少？ |
| [答] | 开发板硬件是不变的，我们会定期升级软件。初次开发到量产，开发周期需要半年到一年。 |
| [问:] | 请问i.MX35基于ARM-11内核，主要用在网络信息应用和音频娱乐为主的方案中。那么它都具备哪些主要特征？ |
| [答] | MX35主要用在车载系统，有CAN bus. |
| [问:] | 请问专家i.MX是否带CAN控制器，内部的CAN控制器与独立的CAN控制器在功能和使用上有何区别？ |
| [答] | i.MX53内部带CAN控制器。内部的CAN省成本，效率更高。否则要再外接芯片处理。 |
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