2013年11月6日
10:00--12:00
2013年11月5日
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2013年10月15日
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2013年09月3日
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2013年08月29日
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2013年08月28日
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2013年08月6日
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2013年07月4日
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2013年06月25日
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2013年05月21日
10:00--12:00
吴频吉 |
17年半导体产品支持经验,参与技术支持、市场推广等活动。目前负责瑞萨电子通用产品在中国市场的推广。 | |
姜辉 |
姜辉于2003及2006年获得东南大学无线电工程系学士及硕士学位。毕业后加入意法半导体汽车电子部从事模拟集成电路设计,之后负责汽车电子的技术市场推广。2011年加入德州仪器,负责汽车电子中国MCU及RF-MCU 的业务拓展,随后负责TI中国无线连接解决方案的业务拓展。 | |
蔡志威 |
有7年消费类电子软件开发经验,现任安富利电子NXP产品线的应用工程师,主要负责MCU, Bipolar, Ident等等的产品技术支持。 | |
周丽娜 |
周丽娜(Ally Zhou)拥有十多年FPGA设计、EDA工具和多年客户支持的经验。2011年加入公司以来,专注于Vivado设计套件以及UltraFast设计方法学的的推广和支持。Ally曾先后在同济大学,芬兰米凯利理工学院和复旦大学求学,获得工学硕士学位。加入赛灵思公司之前,曾在Synopsys工作,主要负责FPGA综合和ASIC原型验证方案的支持。 |
功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
在本文中,我们将探讨SiC半导体产品如何实现高质量和高可靠性,以及SiC制造商为确保其解决方案能够投放市场所付出的巨大努力,这些努力不仅提升了产品性能,还确保了卓越的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
CCD(电荷耦合器件)和CMOS(互补金属氧化物半导体)是两种常见的图像传感器技术,它们在数字相机、摄像头、扫描仪、手机等设备中广泛应用。它们的工作原理、性能特点、优势和适用场景都有一些不同。
[问:] | 掉电后数据是丢失还是? |
[答] | 可以保存,FRAM是非易失性存储器。 |
[问:] | 我联系了一下力源,人家直接回复没有代理此产品,我问的是518K*8的产品?我应该问深圳哪家代理商有此产品? |
[答] | 您可以直接联系我们上海office:021-61463688转销售部 |
[问:] | FRAM的存储容量有多大? |
[答] | 目前最大可以支持4Mbit,请参考page10. |
[问:] | 您好,首先感谢您在百忙之中抽出时间为我们做了精彩的演讲。然后我想了解一下贵司的基于铁电技术的产品有否应用于像MCU,ARM,DSP,FPGA等集成IC中,效果如何?谢谢~~ |
[答] | 目前我们有集成FRAM的MCU产品,后续我们还会考虑开发集成RTC的FRAM产品 |
[问:] | 产品成本和价格? |
[答] | 您可以联系我们相关的代理和销售http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html |