2013年05月9日
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2013年04月16日
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2013年01月17日
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2012年12月6日
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2012年09月11日
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2012年09月5日
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2012年08月7日
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2012年05月22日
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2012年03月29日
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2012年01月12日
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吴频吉 |
17年半导体产品支持经验，参与技术支持、市场推广等活动。目前负责瑞萨电子通用产品在中国市场的推广。 |
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姜辉 |
姜辉于2003及2006年获得东南大学无线电工程系学士及硕士学位。毕业后加入意法半导体汽车电子部从事模拟集成电路设计，之后负责汽车电子的技术市场推广。2011年加入德州仪器，负责汽车电子中国MCU及RF-MCU 的业务拓展，随后负责TI中国无线连接解决方案的业务拓展。 |
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蔡志威 |
有7年消费类电子软件开发经验,现任安富利电子NXP产品线的应用工程师,主要负责MCU, Bipolar, Ident等等的产品技术支持。 |
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周丽娜 |
周丽娜（Ally Zhou）拥有十多年FPGA设计、EDA工具和多年客户支持的经验。2011年加入公司以来，专注于Vivado设计套件以及UltraFast设计方法学的的推广和支持。Ally曾先后在同济大学，芬兰米凯利理工学院和复旦大学求学，获得工学硕士学位。加入赛灵思公司之前，曾在Synopsys工作，主要负责FPGA综合和ASIC原型验证方案的支持。 |
功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
在本文中，我们将探讨SiC半导体产品如何实现高质量和高可靠性，以及SiC制造商为确保其解决方案能够投放市场所付出的巨大努力，这些努力不仅提升了产品性能，还确保了卓越的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
CCD（电荷耦合器件）和CMOS（互补金属氧化物半导体）是两种常见的图像传感器技术，它们在数字相机、摄像头、扫描仪、手机等设备中广泛应用。它们的工作原理、性能特点、优势和适用场景都有一些不同。
| [问:] | 都是pwm方式调制吗？低功率输出的时候如何处理？ |
| [答] | 不是单纯的PWM控制，是PWM恒流斩波控制。 |
| [问:] | 请问如何申请样品和测试板？？ |
| [答] | 向我们当地的销售可以申请，或者直接找BU和FAE。Liang.zeng@onsemi.comAlvin.shi@onsemi.com |
| [问:] | 请问LV8702可以最大驱动多大电流？ |
| [答] | 根据实际使用环境和散热条件来定，如果散热条件好，电流就会越大。 |
| [问:] | LV8048在你们官网产品目录里面没有找到 |
| [答] | 请在安森美网站主页登录三洋连接可以找到，我刚才确认了一下。 |
| [问:] | 请问这个PWM驱动器有没有EMI测试数据？有没有非PWM的驱动器？ |
| [答] | 小功率的有。大功率的基本都是恒流控制的。 |
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