2011年12月6日
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2011年11月22日
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2011年09月21日
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2011年08月30日
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2011年08月11日
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2011年07月13日
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2011年06月21日
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2011年06月14日
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2011年04月19日
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2011年04月12日
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吴频吉 |
17年半导体产品支持经验，参与技术支持、市场推广等活动。目前负责瑞萨电子通用产品在中国市场的推广。 |
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姜辉 |
姜辉于2003及2006年获得东南大学无线电工程系学士及硕士学位。毕业后加入意法半导体汽车电子部从事模拟集成电路设计，之后负责汽车电子的技术市场推广。2011年加入德州仪器，负责汽车电子中国MCU及RF-MCU 的业务拓展，随后负责TI中国无线连接解决方案的业务拓展。 |
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蔡志威 |
有7年消费类电子软件开发经验,现任安富利电子NXP产品线的应用工程师,主要负责MCU, Bipolar, Ident等等的产品技术支持。 |
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周丽娜 |
周丽娜（Ally Zhou）拥有十多年FPGA设计、EDA工具和多年客户支持的经验。2011年加入公司以来，专注于Vivado设计套件以及UltraFast设计方法学的的推广和支持。Ally曾先后在同济大学，芬兰米凯利理工学院和复旦大学求学，获得工学硕士学位。加入赛灵思公司之前，曾在Synopsys工作，主要负责FPGA综合和ASIC原型验证方案的支持。 |
功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
在本文中，我们将探讨SiC半导体产品如何实现高质量和高可靠性，以及SiC制造商为确保其解决方案能够投放市场所付出的巨大努力，这些努力不仅提升了产品性能，还确保了卓越的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
CCD（电荷耦合器件）和CMOS（互补金属氧化物半导体）是两种常见的图像传感器技术，它们在数字相机、摄像头、扫描仪、手机等设备中广泛应用。它们的工作原理、性能特点、优势和适用场景都有一些不同。
| [问:] | USB接口完全兼容规范吗？还是说只是部分兼容？比如端点数是否16对？ |
| [答] | 完全兼容 |
| [问:] | 专家你好，tingle演讲能感受到F4很强大，很优秀。但真正让强大的硬件水平发挥出来还是离不开固件或者软件。可能有不少客户对USB，以太网的具体原理和机制了解不深，对于这些客户，ST做了哪些工作，尽量减少客户的这部分工作量，或者说做了多少相关的固件库之类的工作？很关注这些事情，因为这直接关系到客产品户开发周期的长短。谢谢。 |
| [答] | ST网站有相关的例程，还有usb,以太网的培训视频。 |
| [问:] | 可否介绍下STM32F4的保密性原理以及加密处理器的主要特性？谢谢! |
| [答] | 加密处理器支持AES ，DES, HASH (MD5, SHA-1)，参见数据手册。 |
| [问:] | 据我所知，flash一般能工作在最高20MHZ左右吧？你们的ART到底是如何加速的，我没看明白 |
| [答] | 并行读取，分枝缓存。 |
| [问:] | STM32F系列的通讯接口都有什么? |
| [答] | 常用的都有，具体参见数据手册。 |
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